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公開番号2025011490
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023113635
出願日2023-07-11
発明の名称半導体回路装置、集積回路装置及び検査方法
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G01R 31/26 20200101AFI20250117BHJP(測定;試験)
要約【課題】トランジスターのゲート-ソース間耐圧のスクリーニング試験を好適に行う半導体回路装置等の提供。
【解決手段】半導体回路装置10は、ドライバー回路100と、プリドライバー回路200と、第1パッド(パッドPD1)と、第1配線L1と、第2パッド(パッドPD2)と、第2配線L2と、電圧クランプ回路300と、を含む。ドライバー回路100は、ハイサイド側の第1トランジスターTR1を含む。プリドライバー回路200は、第1トランジスターTR1のゲートを駆動する第1プリドライバー210を含む。第1配線L1は、第1パッド(パッドPD1)と第1トランジスターTR1のソースとを接続する。第2配線L2は、第2パッド(パッドPD2)と第1プリドライバー210の電源ノードとを接続する。電圧クランプ回路300は、第1プリドライバー210の電源間をクランプする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ハイサイド側の第１トランジスターを含むドライバー回路と、
前記第１トランジスターのゲートを駆動する第１プリドライバーを含むプリドライバー回路と、
第１パッドと、
前記第１パッドと前記第１トランジスターのソースとを接続する第１配線と、
第２パッドと、
前記第２パッドと前記第１プリドライバーの電源ノードとを接続する第２配線と、
前記第１プリドライバーの電源間をクランプする電圧クランプ回路と、
を含むことを特徴とする半導体回路装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記第１配線の配線幅は、前記第２配線の配線幅より広いことを特徴とする半導体回路装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記第１プリドライバーの出力ノードと前記第１トランジスターのゲートとを接続する第３配線を含み、
前記第１配線の配線幅は、前記第３配線の配線幅より広いことを特徴とする半導体回路装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記第１プリドライバーに含まれるトランジスターの耐圧は、前記第１トランジスターの耐圧である第１耐圧よりも低い第２耐圧であり、
前記電圧クランプ回路は、
電源電圧を受け、前記第２耐圧に対応した電圧以下にクランプすることにより前記第１プリドライバーを保護することを特徴とする半導体回路装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記第１トランジスターは、
Ｐ型トランジスターであり、
前記第１プリドライバーの電源ノードは、
前記第１プリドライバーの高電位側電源ノードであることを特徴とする半導体回路装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体回路装置において、
前記第１トランジスターは、
ソースに第１電圧が供給され、
前記第１プリドライバーは、
前記第１電圧をハイレベルの電圧として前記第１トランジスターのゲートに供給し、前記第１電圧より低い第２電圧を前記第１電圧から減算した第３電圧をローレベルの電圧として前記第１トランジスターのゲートに供給することを特徴とする半導体回路装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記第１トランジスターは、
Ｎ型トランジスターであり、
前記第１プリドライバーの電源ノードは、
前記第１プリドライバーの低電位側電源ノードであることを特徴とする半導体回路装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体回路装置において、
前記第１トランジスターは、
ドレインに第４電圧が供給され、
前記第１プリドライバーは、
前記第１トランジスターのソース電圧である第５電圧をローレベルの電圧として前記第１トランジスターのゲートに供給し、
前記第４電圧より低い第２電圧と前記第５電圧とを加算した第６電圧をハイレベルの電圧として前記第１トランジスターのゲートに供給することを特徴とする半導体回路装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記ドライバー回路は、
ローサイド側の第２トランジスターを含み、
前記プリドライバー回路は、
前記第２トランジスターのゲートを駆動する第２プリドライバーを含むことを特徴とする半導体回路装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体回路装置において、
前記第１トランジスターのドレインに電気的に接続される第３パッドを含み、
前記第１パッドと前記第３パッドとの距離は、前記第２パッドと前記第３パッドとの距離より短いことを特徴とする半導体回路装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体回路装置、集積回路装置及び検査方法等に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、パワーデバイス等に用いられるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）が知られている。特許文献１には、ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続されるパッドと、ＥＳＤ保護回路に接続されるパッドが分離され、個々に検査できる手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２００６－５１３５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＭＯＳＦＥＴのゲートはプリドライバーによって駆動し、かつ当該プリドライバーが電圧クランプ回路によって保護されている場合がある。このような場合においてもＭＯＳＦＥＴのゲート－ソース間の耐圧スクリーニング試験を好適に行う手法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、ハイサイド側の第１トランジスターを含むドライバー回路と、前記第１トランジスターのゲートを駆動する第１プリドライバーを含むプリドライバー回路と、第１パッドと、前記第１パッドと前記第１トランジスターのソースとを接続する第１配線と、第２パッドと、前記第２パッドと前記第１プリドライバーの電源ノードとを接続する第２配線と、前記第１プリドライバーの電源間をクランプする電圧クランプ回路と、を含む半導体回路装置に関係する。
【０００６】
本開示の他の態様は、上記した半導体回路装置と、前記半導体回路装置を収容するパッケージと、を含み、前記パッケージの電源端子は、前記第１パッド及び前記第２パッドに電気的に接続される集積回路装置に関係する。
【０００７】
本開示の他の態様は、ハイサイド側の第１トランジスターを含むドライバー回路と、前記第１トランジスターのゲートを駆動する第１プリドライバーを含むプリドライバー回路と、第１パッドと、前記第１パッドと前記第１トランジスターのソースとを接続する第１配線と、第２パッドと、前記第２パッドと前記第１プリドライバーの電源ノードとを接続する第２配線と、前記第１プリドライバーと電源との間をクランプする電圧クランプ回路と、を含む半導体回路装置の検査方法であって、前記第１パッドに第１検査用電圧を印加することで、前記第１トランジスターのソースを前記第１検査用電圧に設定し、前記第２パッドに前記第１検査用電圧と異なる第２検査用電圧を印加することで、前記第１トランジスターのゲートを前記第２検査用電圧に設定し、前記第１パッドに流れる電流を測定することで、前記第１トランジスターのゲート－ソース間耐圧のスクリーニング試験を行う検査方法に関係する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態の半導体回路装置の構成例を説明する図。
第１トランジスターのスクリーニング試験を説明する図。
本実施形態に係るハーフブリッジ回路の例を説明する図。
半導体回路装置のパットとパッケージの端子との接続の例を説明する図。
半導体回路装置に係るＩＣチップのレイアウトの例を説明する図。
本実施形態に係るＨブリッジ回路の例を説明する図。
半導体回路装置の変形例を説明する図。
変形例における第１トランジスターのスクリーニング試験を説明する図。
変形例における第２トランジスターのスクリーニング試験を説明する図。
変形例に係るＨブリッジ回路の例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが必須構成要件であるとは限らない。
【００１０】
図１に、本実施形態の半導体回路装置１０の構成例を示す。以下の説明において、後述する外部負荷Ｍをモーターとし、モーター制御装置として機能する半導体回路装置１０を例示することがあるが、例えば外部負荷ＭをＬＥＤとし、ＬＥＤ制御装置として半導体回路装置１０を機能させてもよく、半導体回路装置１０の用途を特に限定するものではない。なお、以降において、外部負荷Ｍを駆動するように半導体回路装置１０を動作させることを通常動作と呼ぶことにする。
（【００１１】以降は省略されています）

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