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公開番号
2025009838
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-20
出願番号
2024073170
出願日
2024-04-26
発明の名称
芳香族アミン樹脂、硬化性組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置
出願人
DIC株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
C08G
61/02 20060101AFI20250109BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約
【課題】硬化物の吸水を抑制し、ひいては誘電特性(誘電率及び誘電正接)及び耐熱性の低下を抑制できる芳香族アミン樹脂を提供する。
【解決手段】フルオレン化合物(ただし、9位に置換基を有しないこととする)、芳香族アミン及び一般式(1)で表される化合物の反応生成物である芳香族アミン樹脂。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025009838000040.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">27</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">170</com:WidthMeasure> </com:Image>
(ここで、Arは、Ar
1
-Y-Ar
1
又はAr
1
であり、Ar
1
は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環式基であり、Yは、単結合、炭素原子数1~6の脂肪族炭化水素基、-P(=O)R
a
-基、酸素原子、硫黄原子又はスルホニル基であり、R
a
は、芳香環式基であり、R
1
は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基であり、Xは、脱離基である。)
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
フルオレン化合物(ただし、9位に置換基を有しないこととする)、芳香族アミン及び一般式(1)で表される化合物の反応生成物である芳香族アミン樹脂。
JPEG
2025009838000033.jpg
26
170
(ここで、
Arは、Ar
1
-Y-Ar
1
又はAr
1
であり、
Ar
1
は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環式基であり、
Yは、単結合、炭素原子数1~6の脂肪族炭化水素基、-P(=O)R
a
-基、酸素原子、硫黄原子又はスルホニル基であり、R
a
は、芳香環式基であり、
R
1
は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基であり、
Xは、脱離基である。)
続きを表示(約 2,100 文字)
【請求項2】
前記一般式(1)で表される化合物1モルに対し、前記フルオレン化合物が0.01~0.99モルである、請求項1に記載の芳香族アミン樹脂。
【請求項3】
一般式(5)で表される、芳香族アミン樹脂。
JPEG
2025009838000034.jpg
41
170
(ここで、
Zは、それぞれ独立して、一般式(2A):
JPEG
2025009838000035.jpg
38
170
で表される構造単位又は一般式(3A):
JPEG
2025009838000036.jpg
51
170
で表される構造単位であり、
Z’は、それぞれ独立して、一般式(2A’):
JPEG
2025009838000037.jpg
37
170
で表される構造単位又は一般式(3A’):
JPEG
2025009838000038.jpg
49
170
で表される構造単位であり、
Arは、それぞれ独立して、Ar
1
又はAr
1
-Y-Ar
1
であり、
Ar
1
は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環式基であり、
Yは、単結合、炭素原子数1~6の脂肪族炭化水素基、-P(=O)R
a
-基、酸素原子、硫黄原子又はスルホニル基であり、R
a
は、芳香環式基であり、
R
1
は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基であり、
R
2
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
mは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
R
3
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であるか、あるいは、nが2以上の場合、2つのR
3
は、それらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していてもよく、
nは、それぞれ独立して、0~3の整数であり、
R
b
及びR
c
は、それぞれ独立して、水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基であり、
R
2’
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
m’は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
R
3’
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であるか、あるいは、n’が2以上の場合、2つのR
3’
は、それらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していてもよく、
n’は、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
R
b'
及びR
c'
は、それぞれ独立して、水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基であり、
pは、平均値であり、0超の数であり、
*は、それぞれ結合手を表し、
ただし、樹脂は、一般式(2A)及び/又は一般式(2A’)で表される構造単位と、一般式(3A)及び/又は一般式(3A’)で表される構造単位とを含む。)
【請求項4】
一般式(5-1)で表される化合物及び一般式(5-2)で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む、請求項3に記載の芳香族アミン樹脂。
JPEG
2025009838000039.jpg
77
170
(ここで、
Ar、Z、R
1
、R
3’
、n’、R
b’
及びR
c’
は、請求項3と同義である。)
【請求項5】
アミン当量が100~2000g/当量である、請求項1又は3に記載の芳香族アミン樹脂。
【請求項6】
数平均分子量が100~10000である、請求項1又は3に記載の芳香族アミン樹脂。
【請求項7】
請求項1又は3に記載の芳香族アミン樹脂と、硬化性樹脂とを含有する硬化性組成物。
【請求項8】
請求項7に記載の硬化性組成物の硬化物。
【請求項9】
補強基材及び前記補強基材に含浸した請求項7に記載の硬化性組成物の半硬化物を有するプリプレグ。
【請求項10】
請求項9に記載のプリプレグ及び銅箔の積層体である回路基板。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、芳香族アミン樹脂、硬化性組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置に関するものである。
続きを表示(約 3,600 文字)
【背景技術】
【0002】
芳香族アミン樹脂はポリアミド樹脂、アミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂をはじめとする様々なポリマーの中間体でありながら、強い求核性を有することから、エポキシ樹脂やイソシアネート樹脂等の硬化剤としても広く用いられている。例えば、芳香族アミン樹脂を硬化剤として用いたエポキシ樹脂組成物は、優れた耐熱性及び絶縁性を発現し、半導体、多層プリント基板等の電子部品用途で広く用いられている。
特許文献1では、ビフェニルアラルキル構造を有する芳香族アミン樹脂をエポキシ樹脂組成物に使用することにより、硬化物の耐熱性、吸湿性を改善することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2016/117584号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
半導体、多層プリント基板等の電子部品に対する耐候性や信頼性に対する要求は、近年、一層厳しい。半導体、多層プリント基板等の電子部品に用いられる硬化物が吸水すると、硬化物が劣化し、誘電特性や耐熱性を低下させ得る。そのため、依然として、吸水が抑制された硬化物をもたらすことができる芳香族アミン樹脂が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、フルオレン構造単位の9位の水素原子をアラルキルに変性した構造を有する芳香族アミン樹脂により、当該樹脂を用いた硬化物の吸水を抑制することができ、ひいては誘電特性(誘電率及び誘電正接)及び耐熱性の低下を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0006】
本発明の要旨は以下のとおりである。
[1]フルオレン化合物(ただし、9位に置換基を有しないこととする)、芳香族アミン及び一般式(1)で表される化合物の反応生成物である芳香族アミン樹脂。
JPEG
2025009838000001.jpg
27
170
(ここで、
Arは、Ar
1
-Y-Ar
1
又はAr
1
であり、
Ar
1
は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環式基であり、
Yは、単結合、炭素原子数1~6の脂肪族炭化水素基、-P(=O)R
a
-基、酸素原子、硫黄原子又はスルホニル基であり、R
a
は、芳香環式基であり、
R
1
は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基であり、
Xは、脱離基である。)
[2]前記一般式(1)で表される化合物1モルに対し、前記フルオレン化合物が0.01~0.99モルである、[1]の芳香族アミン樹脂。
[3]一般式(5)で表される、芳香族アミン樹脂。
JPEG
2025009838000002.jpg
40
170
(ここで、
Zは、それぞれ独立して、一般式(2A):
JPEG
2025009838000003.jpg
38
170
で表される構造単位又は一般式(3A):
JPEG
2025009838000004.jpg
53
170
で表される構造単位であり、
Z’は、それぞれ独立して、一般式(2A’):
JPEG
2025009838000005.jpg
38
170
で表される構造単位又は一般式(3A’):
JPEG
2025009838000006.jpg
50
170
で表される構造単位であり、
Arは、それぞれ独立して、Ar
1
又はAr
1
-Y-Ar
1
であり、
Ar
1
は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香環式基であり、
Yは、単結合、炭素原子数1~6の脂肪族炭化水素基、-P(=O)R
a
-基、酸素原子、硫黄原子又はスルホニル基であり、R
a
は、芳香環式基であり、
R
1
は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数1~4の脂肪族炭化水素基であり、
R
2
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
mは、それぞれ独立して、0~4の整数であり、
R
3
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であるか、あるいは、nが2以上の場合、2つのR
3
は、それらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していてもよく、
nは、それぞれ独立して、0~3の整数であり、
R
b
及びR
c
は、それぞれ独立して、水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基であり、
R
2’
は、それぞれ独立して、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
【発明の効果】
【0007】
本発明の芳香族アミン樹脂によれば、当該樹脂を用いた硬化物の吸水を抑制することができ、ひいては誘電特性(誘電率及び誘電正接)及び耐熱性の低下を抑制できる。当該芳香族アミン樹脂を含有する硬化性組成物及びその硬化物を用いることにより、吸水が抑制され、ひいては誘電特性(誘電率及び誘電正接)及び耐熱性の低下が抑制された、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施例1で合成した芳香族アミン樹脂(1)のGPC測定結果である。
実施例1で合成した芳香族アミン樹脂(1)の
13
C-NMR測定結果である。
実施例1で合成した芳香族アミン樹脂(1)のFD-MS測定結果である。
実施例2で合成した芳香族アミン樹脂(2)のGPC測定結果である。
実施例2で合成した芳香族アミン樹脂(2)の
13
C-NMR測定結果である。
実施例2で合成した芳香族アミン樹脂(2)のFD-MS測定結果である。
実施例3で合成した芳香族アミン樹脂(3)のGPC測定結果である。
実施例3で合成した芳香族アミン樹脂(3)の
13
C-NMR測定結果である。
実施例3で合成した芳香族アミン樹脂(3)のFD-MS測定結果である。
実施例4で合成した芳香族アミン樹脂(4)のGPC測定結果である。
実施例4で合成した芳香族アミン樹脂(4)の
13
C-NMR測定結果である。
実施例4で合成した芳香族アミン樹脂(4)のFD-MS測定結果である。
実施例5で合成した芳香族アミン樹脂(5)のGPC測定結果である。
実施例5で合成した芳香族アミン樹脂(5)の
13
C-NMR測定結果である。
実施例5で合成した芳香族アミン樹脂(5)のFD-MS測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、発明を実施するための形態について詳細に説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【0010】
[用語]
本明細書における「反応原料」とは、化合又は分解といった化学反応により目的の化合物を得るために用いられ、目的の化合物の化学構造を部分的に構成する化合物をいい、溶媒、触媒といった、化学反応の助剤の役割を担う物質は除外される。本明細書では特に、「反応原料」とは、目的の芳香族アミン樹脂を化学反応により得るための前駆体をいう。
本明細書における「構造単位」とは、反応又は重合時に形成される化学構造の(繰り返し)単位をいい、換言すると、反応又は重合より形成される生成化合物において、当該反応又は重合に関与する化学結合の構造以外の部分構造をいい、いわゆる残基をいう。
(【0011】以降は省略されています)
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