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公開番号2025002441
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023102624
出願日2023-06-22
発明の名称半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置
出願人富士通株式会社
代理人弁理士法人扶桑国際特許事務所
主分類H10D 30/47 20250101AFI20241226BHJP()
要約【課題】高い性能及び信頼性を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】半導体装置1は、トランジスタ部10及びそれと接続される配線20を含む。配線20は、電流が流れる方向D1と直交する面で切断したときの断面視において、第1導体部21及びそれを包囲する第2導体部22を含む。第1導体部21は、第1抵抗率を有し、第2導体部22は、第1抵抗率よりも高い第2抵抗率を有する。配線20によれば、高周波の電流が流れる場合にも、第2導体部22によって表面付近の電流密度が高まることが抑えられる。これにより、表皮効果に起因した配線20の破損が抑えられ、配線20の破損のためにトランジスタ部10の性能が十分に発揮されないといった事態が回避される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスタ部と、
前記トランジスタ部と接続される配線と、
を含み、
前記配線は、電流が流れる方向と直交する面で切断したときの断面視において、
第１抵抗率を有する第１導体部と、
前記第１抵抗率よりも高い第２抵抗率を有し、前記第１導体部を包囲する第２導体部と、
を含む、半導体装置。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記第１導体部は、Ａｕを含み、
前記第２導体部は、Ｐｔ又はＴｉを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線は、前記断面視において、
前記第２抵抗率よりも高い第３抵抗率を有し、前記第２導体部を包囲する第３導体部を更に含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１導体部は、Ａｕを含み、
前記第２導体部は、Ｐｔを含み、
前記第３導体部は、Ｔｉを含む、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線は、前記トランジスタ部のドレインに接続される配線、前記トランジスタ部のソースに接続される配線、及び、前記トランジスタ部のゲートに接続される配線のうちの、少なくともいずれかである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
トランジスタ部を形成する工程と、
前記トランジスタ部と接続される配線を形成する工程と、
を含み、
前記配線を形成する工程は、
電流が流れる方向と直交する面で切断したときの断面視において、
第１抵抗率を有する第１導体部と、
前記第１抵抗率よりも高い第２抵抗率を有し、前記第１導体部を包囲する第２導体部と、
を含む前記配線を形成することを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
トランジスタ部と、
前記トランジスタ部と接続される配線と、
を含み、
前記配線は、電流が流れる方向と直交する面で切断したときの断面視において、
第１抵抗率を有する第１導体部と、
前記第１抵抗率よりも高い第２抵抗率を有し、前記第１導体部を包囲する第２導体部と、
を含む半導体装置を備える、電子装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の配線に関し、芯の絶縁体の周囲を金で取り囲み、その金の下層に白金を設け、その白金の下層にチタン・タングステンを設けた配線構造が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平６－６９３６２号公報
特開平５－１０９７０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
トランジスタ部及びそれと接続される配線を含む半導体装置において、その配線には高周波の電流が流れ得る。高周波の電流が流れる配線では、表皮効果によって配線の表面付近の電流密度が高まり、配線が破損する恐れがある。配線の破損は、それと接続されるトランジスタ部の性能を十分に発揮できなくなる等、半導体装置の性能及び信頼性の低下を招き得る。
【０００５】
１つの側面では、本発明は、高い性能及び信頼性を有する半導体装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、トランジスタ部と、前記トランジスタ部と接続される配線と、を含み、前記配線は、電流が流れる方向と直交する面で切断したときの断面視において、第１抵抗率を有する第１導体部と、前記第１抵抗率よりも高い第２抵抗率を有し、前記第１導体部を包囲する第２導体部と、を含む、半導体装置が提供される。
【０００７】
また、別の態様では、上記のような半導体装置の製造方法、上記のような半導体装置を備える電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
１つの側面では、高い性能及び信頼性を有する半導体装置を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る半導体装置の一例について説明する図である。
第１実施形態に係る配線の変形例について説明する図である。
配線構造の例を示す図である。
配線の表面からの深さと電流密度との関係を示す図である。
第１実施形態に係る配線の形成方法の一例について説明する図（その１）である。
第１実施形態に係る配線の形成方法の一例について説明する図（その２）である。
第１実施形態に係る配線の形成方法の一例について説明する図（その３）である。
第２実施形態に係る半導体装置の第１例について説明する図である。
第２実施形態に係る半導体装置の第２例について説明する図である。
第３実施形態に係る半導体パッケージの一例について説明する図である。
第４実施形態に係る力率改善回路の一例について説明する図である。
第５実施形態に係る電源装置の一例について説明する図である。
第６実施形態に係る増幅器の一例について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１実施形態］
図１は第１実施形態に係る半導体装置の一例について説明する図である。図１（Ａ）には、半導体装置の一例の要部断面図を模式的に示している。図１（Ｂ）には、配線の一例の要部断面図を模式的に示している。図１（Ｃ）には、図１（Ｂ）のI－I断面斜視図の一例を模式的に示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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