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公開番号
2024168793
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-12-05
出願番号
2023085742
出願日
2023-05-24
発明の名称
光源モジュール
出願人
東芝テック株式会社
代理人
弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類
G02B
26/10 20060101AFI20241128BHJP(光学)
要約
【課題】同一の基板に搭載された2個の半導体レーザが射出する光ビームをコリメータレンズへの入射前に合成して像面において焦点を合わせることができる光源モジュールを提供することである。
【解決手段】光源モジュールは、第1および第2の半導体レーザと、光ビーム合成素子とを有する。第1および第2の半導体レーザは、それぞれの光軸が平行となるように配置される。光ビーム合成素子は、第1および第2の半導体レーザがそれぞれ射出する第1および第2の光ビームが入射し、第1および第2の光ビームの光軸を近接させて射出する。第1の半導体レーザの第1の発光面から光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と第2の半導体レーザの第2の発光面から光ビーム合成素子の射出面の合計距離の空気換算長は互いに等しい。
【選択図】 図9
特許請求の範囲
【請求項1】
それぞれの光軸が平行となるように配置された第1および第2の半導体レーザと、
前記第1および第2の半導体レーザがそれぞれ射出する第1および第2の光ビームが入射し、前記第1および第2の光ビームの光軸を近接させて射出する光ビーム合成素子と、
を有し、
前記第1の半導体レーザの第1の発光面から前記光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と前記第2の半導体レーザの第2の発光面から前記光ビーム合成素子の前記射出面までの合計距離の空気換算長とが互いに等しい、
光源モジュール。
続きを表示(約 510 文字)
【請求項2】
前記光ビーム合成素子は、前記第1の光ビームが直接入射する偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタに隣接して配置された前記第2の光ビームが直接入射するプリズムとを有し、前記プリズムは、前記第2の光ビームを前記偏光ビームスプリッタに向けて反射し、前記偏光ビームスプリッタは、前記第1の光ビームを透過し、前記第2の光ビームを反射する、
請求項1に記載の光源モジュール。
【請求項3】
前記第1および第2の半導体レーザは、偏光方向が一致する直線偏光の光ビームを射出し、
前記光ビーム合成素子は、前記プリズムの入射面に設けられた1/2波長板をさらに有する、
請求項2に記載の光源モジュール。
【請求項4】
前記第1および第2の半導体レーザは、前記偏光ビームスプリッタの接合面に対して、P偏光の光ビームを射出する、
請求項3に記載の光源モジュール。
【請求項5】
前記第1の半導体レーザの前記第1の発光面と前記第2の半導体レーザの前記第2の発光面は、同一平面上に位置する、
請求項1に記載の光源モジュール。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、ワークプレイスに置かれる画像形成装置に搭載される光走査装置に使用される光源モジュールに関する。
続きを表示(約 2,400 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、画素密度を上げるために、2個の半導体レーザを有する光源モジュールが知られている。そのような光源モジュールでは、偏光ビームスプリッタを用いて、2個の半導体レーザが射出する光ビームを合成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開平07-181411号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
2個の半導体レーザを有する光源モジュールでは、2個の半導体レーザの発光面から偏光ビームスプリッタまでの光路長が異なる。このため、コリメータレンズに入射する前の発散光の光ビームの段階において、光ビームを合成して像面において焦点を合わせようとすると、2個の半導体レーザの発光面の位置を異ならせる必要に迫られる。その結果、2個の半導体レーザを同一の基板に搭載することが難しい。
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、同一の基板に搭載された2個の半導体レーザが射出する光ビームをコリメータレンズへの入射前に合成して同一の像面において焦点を合わせることができる光源モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態に係る光源モジュールは、第1および第2の半導体レーザと、光ビーム合成素子とを有する。第1および第2の半導体レーザは、それぞれの光軸が平行となるように配置される。光ビーム合成素子は、第1および第2の半導体レーザがそれぞれ射出する第1および第2の光ビームが入射し、第1および第2の光ビームの光軸を近接させて射出する。第1の半導体レーザの第1の発光面から光ビーム合成素子の射出面までの合計距離の空気換算長と第2の半導体レーザの第2の発光面から光ビーム合成素子の射出面の合計距離の空気換算長は互いに等しい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置を搭載する画像形成装置の縦断面図である。
図2は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置の上面図である。
図3は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置の斜視図である。
図4は、実施形態に係る光源モジュールがハウジングに取り付けられる前の光走査装置の斜視図である。
図5は、図2に示すD-D線に沿ってハウジングを破断した断面図である。
図6は、実施形態に係る光源モジュールの斜視図である。
図7は、図6の反対側から見た光源モジュールの斜視図である。
図8は、図7から基板の図示を省いた光源モジュールの斜視図である。
図9は、図6~図8に示す光源モジュールの平面図である。
図10Aは、第1の実施例に係る光源モジュールにおける第1のLDチップの図9に示すA方向視図である。
図10Bは、第1の実施例に係る光源モジュールにおける第2のLDチップの図9に示すB方向視図である。
図10Cは、図10Aの第1のLDチップと図10Bの第2のLDチップを光軸で重ね合わせて示す図である。
図10Dは、第1の実施例に係る光源モジュールに関する光走査装置の光学系を簡略して示す図である。
図10Eは、図10Cに示す2個のLDチップが発する光ビームによって像面に形成される4個の集光スポットを示す平面図である。
図11は、角度調整後にハウジングに固定された第1の実施例に係る光源モジュールが射出する2本の光ビームによって像面に実際に形成される4個の集光スポットを示す平面図である。
図12Aは、第2の実施例に係る光源モジュールにおける第1のLDチップの図9に示すA方向視図である。
図12Bは、第2の実施例に係る光源モジュールにおける第2のLDチップの図9に示すB方向視図である。
図12Cは、図12Aの第1のLDチップと図12Bの第2のLDチップを光軸で重ね合わせて示す図である。
図12Dは、第2の実施例に係る光源モジュールに関する光走査装置の光学系を簡略して示す図である。
図12Eは、図12Cに示す2個のLDチップが発する光ビームによって像面に形成される4個の集光スポットを示す平面図である。
図13は、角度調整後にハウジングに固定された第2の実施例に係る光源モジュールが射出する2本の光ビームによって像面に実際に形成される4個の集光スポットを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、実施形態について説明する。実施形態の説明に用いる各図面は、各部の縮尺を適宜変更している場合がある。また、実施形態の説明に用いる各図面は、説明の便宜上、一部の構成および符号を省略して示している場合がある。
【0009】
(画像形成装置)
まず、図1を参照して、画像形成装置について説明する。図1は、実施形態に係る光源モジュールを有する光走査装置を搭載する画像形成装置の縦断面図である。例えば、画像形成装置は、複合機(MFP:Multi Function Peripheral)である。
【0010】
画像形成装置1は、画像読取部10および画像形成部20を備える。画像読取部10は、シート原稿およびブック原稿の画像をスキャンして読み取る。画像形成部20は、画像読取部10にて原稿から読み取られた画像や、外部機器から画像形成装置1に送信された画像データ等に基づいて、シートに現像剤像を形成する。
(【0011】以降は省略されています)
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