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公開番号2024151433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2023064748
出願日2023-04-12
発明の名称処理システム及び処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類C02F 1/02 20230101AFI20241018BHJP(水,廃水,下水または汚泥の処理)
要約【課題】有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。
【解決手段】PFAS無毒化システム1は、半導体製造装置100のリソラグラフィー装置111から排出されたPFASを含むレジスト廃液を濃縮する濃縮器11を備える。また、PFAS無毒化システム1は、濃縮器11によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる硫酸処理槽12を備える。
【選択図】図2

特許請求の範囲【請求項１】
半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、
前記濃縮部によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える処理システム。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記薬液処理部は、熱濃硫酸を含む液体によって前記濃縮液を分解及び揮発させる、請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
前記濃縮部に接続された循環流路であってその途中に第１フィルタが設けられた第１流路と、
前記第１フィルタを通過した前記濃縮液のろ液が流れる第２流路と、
前記第２流路に接続され、前記ろ液を貯留するろ液貯留部と、を更に備える請求項２記載の処理システム。
【請求項４】
前記ろ液貯留部よりも下流側の第３流路と、
前記第３流路及び前記第２流路を接続するバイパス流路と、
前記バイパス流路内の液を加圧することにより、前記第２流路において該液を逆流させ、該液を前記第１フィルタの出口側から前記第１流路に流入させる送液部と、を更に備える、請求項３記載の処理システム。
【請求項５】
第２フィルタが設けられた第４流路を更に備え、
前記ろ液貯留部は、前記第２流路に接続された第１貯留部と、前記第３流路に接続された第２貯留部とを有し、
前記第４流路は、前記第１貯留部及び前記第２貯留部を接続する、請求項４記載の処理システム。
【請求項６】
前記薬液処理部によって揮発させられたガスについて、有機フッ素化合物リッチなガスと、有機フッ素化合物除去済みガスとに分離する第１ガスフィルタを更に備える、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。
【請求項７】
前記第１ガスフィルタは、前記薬液処理部において発生した熱を受け、前記濃縮液よりも高温にされている、請求項６記載の処理システム。
【請求項８】
外気を取り込み、該外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガスと、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガスとに分離する第２ガスフィルタを更に備え、
前記第２ガスフィルタは、前記第１分流ガスを前記薬液処理部に供給する、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。
【請求項９】
前記薬液処理部によって揮発させられたガスに含まれる有機フッ素化合物を燃焼除害する燃焼除害装置を更に備え、
前記第２ガスフィルタは、前記第２分流ガスを前記燃焼除害装置に供給する、請求項８記載の処理システム。
【請求項１０】
半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮ステップと、
前記濃縮ステップにおいてて濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理ステップと、を含む処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、処理システム及び処理方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機フッ素化合物等の含有比率を低減する処理装置と、アニオン交換体を含むイオン交換体を充填したアニオン交換棟と、アニオン交換棟に流通した再生液を分解処理する分解装置と、を含む排水処理システムが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１２５３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる処理システム及び処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る処理システムは、半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、濃縮部によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システムの概略図である。
図１に示されるＰＦＡＳ無毒化システムの構成図である。
ＰＦＡＳを含む液体のろ過について説明する図である。
ろ液を逆流させることによるフィルタの洗浄を説明する図である。
ガスの分離について説明する図である。
ガスフィルタの機能を説明する図である。
取り込んだ外気の分離について説明する図である。
ポジ型現像液の濃縮及び分解について説明する図である。
ろ液を逆流させることによるフィルタの洗浄を説明する図である。
ＳＰＭ廃液の排出を説明する図である。
ＳＰＭ廃液によるフィルタの洗浄を説明する図である。
変形例に係る分解処理室を説明する図である。
変形例に係るリターンラインを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
本実施形態に係る処理システムは、図１に示されるように、半導体製造装置１００から排出された、ＰＦＡＳを無毒化するＰＦＡＳ無毒化システム１である。なお、図１においては、ＰＦＡＳ無毒化システム１の構成の概略が示されており、一部の構成（例えば、後述するＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）廃液に係る構成）の図示が省略されている。ＰＦＡＳとは、有機フッ素化合物であるペルフルオロアルキル物質及びポリフルオロアルキル化合物（ＰＦＡＳ：Per- and PolyFluoroAlkyl Substances）である。
【００１０】
ＰＦＡＳとは、少なくとも１つ以上の-ＣＦ２-又は-ＣＦ３の脂肪族分子を含む化合物であり、テフロンのような有機高分子化合物（ポリマー）も含む。ＰＦＡＳは、例えば、泡消火剤、めっき液、航空機作動油、撥水剤、フロアワックス等に含まれている。また、ＰＦＡＳは、例えば、繊維、医療、電子基板、自動車、食品包装紙、石材、フローリング、皮革等に含まれている。半導体の製造工程においては、例えばノンポリマーのＰＦＡＳがフォトレジストで用いられている。また、ポリマーのＰＦＡＳが、半導体製造装置の配管、バルブ、ポンプ等の接液部材、反射防止膜等に用いられている。
（【００１１】以降は省略されています）

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