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公開番号2024131484
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023041758
出願日2023-03-16
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び酸拡散制御剤
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20240920BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】ラフネスの低減化及び解像性を更に高められるレジスト組成物、そのレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、及び、そのレジスト組成物に用いる酸拡散制御剤として有用な化合物を提供する。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、下記一般式(d0)で表される化合物(D0)と、を含有する、レジスト組成物。[式中、R^d01は、アルキル基又はハロゲン原子である。n_d01は、0～5の整数である。n_d01が2以上である場合、R^d02は、アルキル基又はハロゲン原子である。n_d02は、0～5の整数である。R^d03は、アルキル基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。n_d03は、0～3の整数である。]
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、
下記一般式（ｄ０）で表される化合物（Ｄ０）と、を含有する、レジスト組成物。
TIFF
2024131484000099.tif
45
170
［式中、Ｒ
ｄ０１
は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０１
は、０～５の整数である。ｎ
ｄ０１
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０１
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｒ
ｄ０２
は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０２
は、０～５の整数である。ｎ
ｄ０２
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０２
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｒ
ｄ０３
は、アルキル基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０３
は、０～３の整数である。ｎ
ｄ０３
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０３
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｌ
１
及びＬ
２
は、それぞれ独立に、２価の連結基である。Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価の有機カチオンである。ｍは１以上の整数である。］
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記一般式（ｄ０）において、Ｒ
ｄ０１
はハロゲン原子であり、
Ｒ
ｄ０２
はハロゲン原子である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記一般式（ｄ０）において、Ｒ
ｄ０１
はヨウ素原子であり、
Ｒ
ｄ０２
はヨウ素原子である、請求項２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記一般式（ｄ０）において、Ｒ
ｄ０３
はヒドロキシ基又はハロゲン原子である、請求項１～３のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記一般式（ｄ０）において、Ｌ
１
及びＬ
２
は、それぞれ独立に、エステル結合又はアミド結合である、請求項１～３のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
支持体上に、請求項１～３のいずれか一項に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項７】
下記一般式（ｄ０）で表される化合物。
TIFF
2024131484000100.tif
45
170
［式中、Ｒ
ｄ０１
は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０１
は、０～５の整数である。ｎ
ｄ０１
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０１
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｒ
ｄ０２
は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０２
は、０～５の整数である。ｎ
ｄ０２
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０２
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｒ
ｄ０３
は、アルキル基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０３
は、０～３の整数である。ｎ
ｄ０３
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０３
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｌ
１
及びＬ
２
は、それぞれ独立に、２価の連結基である。Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価の有機カチオンである。ｍは１以上の整数である。］
【請求項８】
前記一般式（ｄ０）において、Ｒ
ｄ０１
はハロゲン原子であり、
Ｒ
ｄ０２
はハロゲン原子である、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
前記一般式（ｄ０）において、Ｒ
ｄ０１
はヨウ素原子であり、
Ｒ
ｄ０２
はヨウ素原子である、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
前記一般式（ｄ０）において、Ｒ
ｄ０３
はヒドロキシ基又はハロゲン原子である、請求項７～９のいずれか一項に記載の化合物。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び酸拡散制御剤に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える一要素とされる。これに対し、酸発生剤成分とともに、露光により該酸発生剤成分から発生する酸の拡散を制御する酸拡散制御剤を併有する化学増幅型レジスト組成物が提案されている。
例えば、特許文献１には、アニオン部に芳香環と脂肪族環との縮合環を有するカルボン酸塩からなる光崩壊性塩基を酸拡散制御剤成分として含有するレジスト組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－０１４７８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進み、急速にパターンの微細化が進んでいる。そして、これに伴い、半導体素子等を製造する際には、微細なパターンを良好な形状で形成できる技術が求められる。例えば、ＥＵＶ（極端紫外線）又はＥＢ（電子線）によるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようにパターン寸法が小さくなるほど、感度、ラフネス、解像性等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、向上させることが求められる。
【０００７】
これに対して、特許文献１の実施例に記載されているレジスト組成物においては、更なるラフネス低減、解像性の向上等が必要である。
【０００８】
そこで本発明は、ラフネスの低減化及び解像性を更に高められるレジスト組成物、そのレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、及び、そのレジスト組成物に用いる酸拡散制御剤として有用な化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の態様を含む。
本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、下記一般式（ｄ０）で表される化合物（Ｄ０）と、を含有する、レジスト組成物である。
【００１０】
TIFF
2024131484000001.tif
45
170
［式中、Ｒ
ｄ０１
は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０１
は、０～５の整数である。ｎ
ｄ０１
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０１
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｒ
ｄ０２
は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０２
は、０～５の整数である。ｎ
ｄ０２
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０２
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｒ
ｄ０３
は、アルキル基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。ｎ
ｄ０３
は、０～３の整数である。ｎ
ｄ０３
が２以上である場合、複数のＲ
ｄ０３
は、それぞれ同じでもよく異なってもよい。Ｌ
１
及びＬ
２
は、それぞれ独立に、２価の連結基である。Ｍ
ｍ＋
は、ｍ価の有機カチオンである。ｍは１以上の整数である。］
（【００１１】以降は省略されています）

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