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10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2024120167
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-09-04
出願番号
2024023758
出願日
2024-02-20
発明の名称
中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体、電子デバイス及びそれらの応用
出願人
浙江工業大学
,
浙江華顕光電科技有限公司
,
ZHEJIANG HUAXIAN PHOTOELECTRICITY TECHNOLOGY CO., LTD
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
C07F
15/00 20060101AFI20240828BHJP(有機化学)
要約
【課題】中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体、電子デバイス及びそれらの応用を提供することを課題とする。
【解決手段】中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体は、式(I)又は(I’)で示される一般式構造を有し、式(I)及び(I’)は互いのエナンチオマーである。
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(式中、V
1
は、Nであり、L
a
は、5員の中心性不斉炭素環或いは複素環である。)
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体であって、前記錯体は、式(I)又は(I’)で示される一般式構造を有し、前記式(I)及び(I’)は互いのエナンチオマーであることを特徴とする、錯体。
JPEG
2024120167000077.jpg
89
170
[式中、V
1
は、Nであり、L
a
は5員の中心性不斉炭素環或いは複素環であり、
A
1
は、O、S、CR
x
R
y
、C=O、SiR
x
R
y
、GeR
x
R
y
、NR
z
、PR
z
、R
z
P=O、AsR
z
、R
z
As=O、S=O、SO
2
、Se、Se=O、SeO
2
、BH、BR
z
、R
z
Bi=O又はBiR
z
であり、
Y
1
、Y
2
、Y
3
、Y
4
、Y
5
、Y
6
、Y
7
及びY
8
は、それぞれ独立して、N又はCHであり、
R
1
、R
2
及びR
3
は、それぞれ独立して、一、二、三、四置換又は無置換を示し、同時にR
1
、R
2
、R
3
、R
a
、R
b
、R
c
、及びR
d
はそれぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、ヘテロアリール、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせであり、R
a
、R
b
、R
c
及びR
d
の任意の2つの基は結合して環系を形成することができる。]
続きを表示(約 3,600 文字)
【請求項2】
前記R
1
、R
2
、R
3
、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ジアリールアミノ、シリルであることを特徴とする、請求項1に記載の錯体。
【請求項3】
一般式構造におけるL
a
の構造は、以下から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の錯体。
JPEG
2024120167000078.jpg
100
170
[式中、R
a1
、R
a2
及びR
a3
は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせを示し、
式中、R
b1
、R
c1
及びR
c2
は、それぞれ独立して、一、二、三又は四置換又は無置換を示し、同時にR
b1
、R
c1
及びR
c2
は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、ヘテロアリール、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせであり、2つ以上の隣接するR
b1
、R
c1
及びR
c2
は選択的に結合して縮合環を形成することができる。]
【請求項4】
一般式構造におけるL
a
の具体的な構造は、以下から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の錯体。
JPEG
2024120167000079.jpg
206
170
JPEG
2024120167000080.jpg
247
170
[式中、R
d1
、R
e2
、R
e3
及びR
e4
は、それぞれ独立して、一、二、三、四置換又は無置換を示し、同時にR
e2
、R
e3
及びR
e4
はそれぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせである。]
【請求項5】
中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体であって、次の構造の1つから選択されることを特徴とする、錯体。
JPEG
2024120167000081.jpg
246
157
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2024120167000082.jpg
250
157
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2024120167000083.jpg
250
157
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2024120167000084.jpg
250
157
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2024120167000085.jpg
243
157
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2024120167000086.jpg
245
157
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2024120167000087.jpg
244
157
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2024120167000088.jpg
246
157
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2024120167000089.jpg
242
157
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2024120167000090.jpg
246
157
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2024120167000091.jpg
234
157
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2024120167000092.jpg
239
157
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2024120167000093.jpg
238
157
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2024120167000094.jpg
228
157
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2024120167000095.jpg
230
157
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2024120167000096.jpg
230
157
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2024120167000097.jpg
245
157
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2024120167000098.jpg
248
157
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2024120167000099.jpg
247
157
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2024120167000100.jpg
249
157
【請求項6】
中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体であって、次の構造の1つから選択されることを特徴とする、錯体。
JPEG
2024120167000101.jpg
146
170
【請求項7】
電子デバイスにおける請求項1~4、5、6のいずれか一項に記載の錯体の応用。
【請求項8】
前記電子デバイスとしては、有機エレクトロルミネッセンスデバイス、有機フォトルミネッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光検出器、有機光受容体、有機電場消光素子、発光電気化学セル又は有機レーザーダイオードが挙げられることを特徴とする、請求項7に記載の応用。
【請求項9】
請求項1~4、5、6のいずれか一項に記載の中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体を含む、電子デバイス。
【請求項10】
好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイス、有機フォトルミネッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光検出器、有機光受容体、有機電場消光素子、発光電気化学セル又は有機レーザーダイオードから選択されることを特徴とする、請求項9に記載の電子デバイス。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、円偏光発光材料製造の技術分野に関し、特に、中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体、電子デバイス及びそれらの応用に関する。
続きを表示(約 4,600 文字)
【背景技術】
【0002】
円偏光発光(CPL)は、キラルな発光物質が励起されて左回り又は右回りの円偏光を発する現象であるため、キラルな発光材料の設計・開発がこの分野の鍵となる。科学研究者の徹底的な研究につれ、これまでのところ、円偏光発光材料は3Dディスプレイ、データストレージ、量子コンピューティング、光学的偽造防止、バイオイメージング及び不整合成の分野で重要な用途を持っている。
【0003】
シクロメタル化白金(II)錯体燐光材料は、重原子効果により電気励起によって生成した全ての一重項励起子及び三重項励起子を最大限に利用でき、理論上の最大量子効率は100%にも達成可能であるため、理想的な発光材料の一種である。二座シクロメタル化白金(II)錯体は剛性が低く、2つの二座配位子は歪み・振動しやすいため、励起状態の材料分子のエネルギーが非放射的に消費され、その発光量子効率を低下させる。三座配位子に基づくシクロメタル化白金(II)錯体は、分子剛性が強化されているため、発光量子効率を向上させることができるが、2番目の単座配位子(Cl
-
フェノキシアニオン、アルキンアニオン、カルベンなど)は、錯体の化学的・熱的安定性を大幅に低下させ、OLEDデバイスの製造のために昇華・精製することが困難になる。したがって、二座及び三座配位子シクロメタル化錯体に基づく発光材料は、安定かつ高効率なOLEDデバイスへの応用に役立たない。
【0004】
二価のシクロメタル化白金(II)錯体の中心金属イオンはいずれもdsp
2
ハイブリダイゼーションであり、四座配位子と容易に配位して安定で剛直な平面四角形配置の分子を形成し、高い分子剛性により、分子の振動と回転による非放射緩和を抑制し、励起状態の材料分子のエネルギー損失を低減できるため、材料分子の発光量子効率の向上に役立つ。シクロメタル化白金(II)錯体の四座配位子の末端にある2つのアリール基の立体障害により材料分子は、歪んだ四角形型にされ、理論的にらせん不斉の特性を持っているが、分子は溶液中又は加熱昇華過程で配位子の末端にある2つのアリール基の上下振動により容易にラセミ化してしまい、エナンチオマーを分離することができず、光学的に純粋なシクロメタル化白金(II)錯体の材料分子を得るには極めて困難であり、円偏光発光の性質を有していない。したがって、高い化学安定性と熱安定性、及び円偏光発光特性を備えた光学的に純粋なシクロメタル化白金(II)錯体の材料分子をどのように設計及び開発するかは、円偏光発光OLEDデバイス(CP-OLED)への応用にとって重要意義及び莫大な実用価値を持ち、CP-OLED分野における喫緊の課題でもある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の目的は、従来技術の不足に着目して、中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体、電子デバイス及びそれらの応用を提供することである。本発明により提供される前記四座シクロメタル化白金(II)錯体は、四座配位子内の中心性不斉フラグメントL
a
を介して立体障害が少ない方法で四座配位子全体を金属イオンと配位するように自発的に誘導し、光学的に純粋な円偏光発光材料であるらせん不斉金属錯体を形成することができ、キラル分割を必要とせず、高い化学安定性を備えており、円偏光発光素子に重要な応用を持っている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の目的を達成するため、本発明は次の技術的手段を採用する。
【0007】
本発明は、中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体を提供し、前記錯体は式(I)又は(I’)で示される一般式構造を有し、式(I)及び(I’)は互いのエナンチオマーである。
JPEG
2024120167000002.jpg
89
170
[式中、V
1
は、Nであり、L
a
は5員の中心性不斉炭素環或いは複素環であり、
A
1
は、O、S、CR
x
R
y
、C=O、SiR
x
R
y
、GeR
x
R
y
、NR
z
、PR
z
、R
z
P=O、AsR
z
、R
z
As=O、S=O、SO
2
、Se、Se=O、SeO
2
、BH、BR
z
、R
z
Bi=O又はBiR
z
であり、
Y
1
、Y
2
、Y
3
、Y
4
、Y
5
、Y
6
、Y
7
及びY
8
は、それぞれ独立して、N又はCHであり、
R
1
、R
2
及びR
3
は、それぞれ独立して、一、二、三、四置換又は無置換を示し、同時にR
1
、R
2
、R
3
、R
a
、R
b
、R
c
、及びR
d
はそれぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせであり、R
a
、R
b
、R
c
及びR
d
の任意の2つの基は結合して環系を形成することができる。]
【0008】
好ましくは、本発明の前記R
1
、R
2
、R
3
、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、シアノ、ジアリールアミノ、シリルである。
【0009】
好ましくは、本発明の前記中心性不斉からせん不斉を誘導する四座シクロメタル化白金(II)錯体の一般式構造におけるL
a
の構造は、以下から選択される。
JPEG
2024120167000003.jpg
100
170
[式中、R
a1
、R
a2
及びR
a3
は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせを示し、
式中、R
b1
、R
c1
及びR
c2
は、それぞれ独立して、一、二、三又は四置換又は無置換を示し、同時にR
b1
、R
c1
及びR
c2
は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、ヘテロアリール、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせであり、2つ以上の隣接するR
b1
、R
c1
及びR
c2
は選択的に結合して縮合環を形成することができる。]
【0010】
さらに、L
a
の具体的な構造は、好ましくは以下から選択される。
JPEG
2024120167000004.jpg
206
170
JPEG
2024120167000005.jpg
247
170
[式中、R
d1
、R
e2
、R
e3
及びR
e4
は、それぞれ独立して、一、二、三、四置換又は無置換を示し、同時にR
e2
、R
e3
及びR
e4
はそれぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ヘテロアリール、ハロアルキル、ハロアリール、ハロヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアノ、アミノ、モノ又はジアルキルアミノ、モノ又はジアリールアミノ、エステル、イソニトリル、アルコキシカルボニル、アミド、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、スルホニルアミノ、スルファモイル、カルバモイル、アルキルチオ、スルフィニル、ウレイド、ホスホラミド、イミノ、スルホ、カルボキシル、ヒドラジン、置換シリル又はその組み合わせである。]
(【0011】以降は省略されています)
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