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公開番号2024119662
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-03
出願番号2023026726
出願日2023-02-22
発明の名称電源制御装置
出願人ラピステクノロジー株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類H03K 17/08 20060101AFI20240827BHJP(基本電子回路)
要約【課題】ショート発生時に、素早く電源電流の制御が可能な電源制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】SW制御回路18及びSW制御回路20が回路のショートを検出すると、SW制御回路18はスイッチSW0をオフし、SW制御回路20はSW1をオンする。これにより、NMOSFET12のゲートソース間がショートしてNMOSFET12がオフし、バッテリ14から負荷への電力供給が停止される。さらに、ショート検出回路24が回路のショートを検出すると、スイッチSW2をオンしてNMOSFET12のゲートがグランドされる。これにより、NMOSFET12の寄生容量により一定時間高い状態になっていたゲート電位を瞬時にGNDまで落とせるため、より速くNMOSFET12をオフにすることができる。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
電源から負荷への電力の供給をオンオフするスイッチ部を作動させる作動回路と、
前記スイッチ部とグランドとの間に接続され、前記スイッチ部の前記グランドへの接続と非接続とを切り替えるグランドスイッチ部と、
回路のショートが検出された場合に、前記作動回路の接続を制御して前記スイッチ部をオフし、前記グランドスイッチ部を制御して前記スイッチ部をグランドに接続する制御部と、
を備えた電源制御装置。
続きを表示（約 280 文字）【請求項２】
前記制御部は、前記ショートが検出された場合に、前記作動回路との接続を制御して前記スイッチ部をオフする第１制御部と、
前記ショートが検出された場合に、前記グランドスイッチ部を制御して前記スイッチ部をグランドに接続する第２制御部と、
からなる請求項１に記載の電源制御装置。
【請求項３】
前記第１制御部は、前記作動回路を作動させる第１スイッチを制御する第１スイッチ制御部と、
前記作動回路を非作動にする第２スイッチを制御する第２スイッチ制御部と、
を含む請求項２に記載の電源制御装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源制御装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電源と負荷との間に接続されたハイサイドスイッチとしてＮチャネル型のパワーＭＯＳＦＥＴを用いた負荷駆動回路であって、前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲート電圧と前記電源の電源電圧とを比較する比較回路と、前記パワーＭＯＳＦＥＴのターンオフ動作において前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子から電荷を放電させる遮断回路とを具備し、前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子から電荷を放電させる放電速度は、前記ゲート電圧が前記電源電圧より高い場合と比較して、前記ゲート電圧が前記電源電圧より低い場合を遅く切り換えることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－１０９９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、ハイサイドスイッチとして用いられるＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴのターンオフ動作に際し、簡単な構成でオフ時間Ｔｏｆｆと立下り時間Ｔｆの最適化が可能である。しかしながら、ショート発生時には素早く電源電流の制御を行う必要があるため改善の余地がある。
【０００５】
本発明は、上記事実を考慮して成されたもので、ショート発生時に、素早く電源電流の制御が可能な電源制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１態様に係る電源制御装置は、電源から負荷への電力の供給をオンオフするスイッチ部を作動させる作動回路と、前記スイッチ部とグランドとの間に接続され、前記スイッチ部の前記グランドへの接続と非接続とを切り替えるグランドスイッチ部と、回路のショートが検出された場合に、前記作動回路の接続を制御して前記スイッチ部をオフし、前記グランドスイッチ部を制御して前記スイッチ部をグランドに接続する制御部と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように本発明によれば、ショート発生時に、素早く電源電流の制御が可能な電源制御装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態に係る電源制御装置の概略構成を示す図である。
本実施形態に係る電源制御装置において、スイッチＳＷ０をオフし、スイッチＳＷ１をオンした状態を示す図である。
本実施形態に係る電源制御装置において、スイッチＳＷ０をオフし、スイッチＳＷ１をオンし、かつスイッチＳＷ２をオンした状態を示す図である。
従来の電源制御装置の一例を示す図である。
従来の電源制御装置において、スイッチＳＷ０がオフし、スイッチＳＷ１がオンした状態を示す図である。
従来の電源制御装置と本実施形態に係る電源制御装置のゲート電位及びソース電位の時間変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る電源制御装置の概略構成を示す図である。なお、図１中の点線は外部接続を表す。
【００１０】
本実施形態に係る電源制御装置１０は、ハイサイドＦＥＴドライバによるバッテリ電流制御を行うものである。具体的には、本実施形態に係る電源制御装置１０は、図１に示すように、バッテリ１４の電力を負荷１６に供給するスイッチ部の一例としてのＮＭＯＳＦＥＴ１２を制御するものである。
（【００１１】以降は省略されています）

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