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公開番号2024118644
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-02
出願番号2023025032
出願日2023-02-21
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20240826BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ダイシング後の回路パターンを容易にピックアップ可能として、回路パターン(半導体装置)を効率よく生産する。
【解決手段】第1面に回路パターンが形成された半導体基板を製造することと、第1面に第1接着層を介して第1支持体を貼り付けて第1積層体を形成することと、第1面とは反対側の第2面に、ドットパターンを有する第2接着層を介して第2支持体を貼り付けて第2積層体を形成することと、第2積層体から第1支持体を剥離することと、第2支持体から、回路パターンをピックアップすることと、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面に回路パターンが形成された半導体基板を製造することと、
前記第１面に第１接着層を介して第１支持体を貼り付けて第１積層体を形成することと、
前記第１面とは反対側の第２面に、ドットパターンを有する第２接着層を介して第２支持体を貼り付けて第２積層体を形成することと、
前記第２積層体から前記第１支持体を剥離することと、
前記第２支持体から、前記回路パターンをピックアップすることと、を含む半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 890 文字）【請求項２】
前記第２接着層の前記ドットパターンは、前記半導体基板と前記第２支持体との間における少なくとも一部の領域に設けられる、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ドットパターンは、レジストを用いた露光、現像処理により形成される、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板に前記第２支持体を貼り付けた際、前記回路パターンと前記第２支持体との間には複数のドットが介在する、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板と前記第２支持体との間に介在する前記第２接着層の接着力は、前記半導体基板と前記第１支持体との間に介在する前記第１接着層の接着力よりも弱い、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板と前記第１支持体とを貼り付ける際の押圧力は、前記半導体基板と前記第２支持体とを貼り付ける際の押圧力よりも大きい、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１積層体において前記半導体基板を研削することを含む、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１積層体の前記半導体基板に対して、前記回路パターンごとにダイシングして個別化することを含む、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１積層体において、前記半導体基板と前記第１接着層との間に、光の照射により変質する反応層が設けられ、
前記光を前記反応層に照射することで前記第１支持体を前記第２積層体から剥離可能とすることを含む、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１支持体はガラス基板であり、
前記光は前記ガラス基板を介して前記反応層に照射される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体基板の回路パターン（半導体装置）が形成された面にダイシングテープが貼り付けられ、回路パターンごとにダイシングされる技術が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－１４２３７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体基板のダイシング後にダイシングテープから回路パターンを個々にピックアップする際、ダイシングテープの接着力により回路パターンを適切にピックアップできない場合がある。すなわち、ダイシングの際に半導体基板がずれないように、ダイシングテープは強い接着力で半導体基板を接着しているが、ダイシングテープの接着力が強いと、回路パターンをピックアップする際に強い力で引っ張るため回路パターンを損傷するおそれがある。また、回路パターンを壊さないように丁寧にピックアップするには時間がかかり、回路パターンの生産効率が低下する要因となる。
【０００５】
本発明は、ダイシング後の回路パターンを容易にピックアップ可能として、回路パターン（半導体装置）を効率よく生産することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様に係る半導体装置の製造方法は、第１面に回路パターンが形成された半導体基板を製造することと、第１面に第１接着層を介して第１支持体を貼り付けて第１積層体を形成することと、第１面とは反対側の第２面に、ドットパターンを有する第２接着層を介して第２支持体を貼り付けて第２積層体を形成することと、第２積層体から第１支持体を剥離することと、第２支持体から、回路パターンをピックアップすることと、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の態様によれば、半導体基板の回路パターンが形成された面に、ドットパターンを有する第２接着層を介して第２支持体が貼り付けられるので、半導体基板と第２支持体との間の接着力が弱くなっている。従って、回路パターンをピックアップする際、第２支持体から回路パターンを容易に引き剥がすことができる。その結果、回路パターンを壊すことなく容易にピックアップできるので、回路パターン（半導体装置）を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
半導体基板の一例を示す図である。
（Ａ）は半導体基板に第１接着層及び反応層を形成した状態を示す図であり、（Ｂ）は第１積層体の一例を示す図である。
（Ａ）は半導体基板を研削した状態を示す図であり、（Ｂ）は半導体基板をダイシングした状態を示す図である。
第２支持体の製造方法を説明する図であり、（Ａ）は基材にレジストの膜を形成した状態を示す図であり、（Ｂ）はレジストの膜を露光した状態を示す図である。
（Ａ）は露光後のレジストを現像した状態を示す図であり、（Ｂ）は第２支持体の一例を示す平面図である。
第２支持体の他の例を示す平面図である。
第２支持体の他の例を示す平面図である。
第１積層体と第２支持体とを配置した状態を示す図である。
（Ａ）は第１積層体と第２支持体とを貼り付けた状態を示す図であり、（Ｂ）は第２積層体を形成した状態を示す図である。
（Ａ）は第２積層体に光を照射した状態を示す図であり、（Ｂ）は吸着パッドが第１支持体を吸着した状態を示す図である。
（Ａ）は第１支持体を剥離した状態を示す図であり、（Ｂ）は半導体基板を洗浄する状態を示す図である。
（Ａ）は洗浄後の回路パターンを示す図であり、（Ｂ）は回路パターンを第２支持体からピックアップした状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施形態を説明するが、本発明は以下に説明する内容に限定されない。図面においては、各構成をわかりやすくするために、一部を強調して、あるいは一部を省略・簡略化して表しており、実際の構造又は形状、縮尺等が異なっている場合がある。図４（Ｂ）においては、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。このＸＹＺ座標系において、水平面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において一方向をＸ方向と表記し、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。また、ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の指す方向が＋方向であり、矢印の指す方向とは反対の方向が－方向であるとして説明する。
【００１０】
図１は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。図１に示すように、先ず、半導体基板１１が製造される（ステップＳ０１）。図２は、半導体基板１１の一例を示す図である。半導体基板１１は、第１面１２Ａと、第１面１２Ａとは反対側の第２面１２Ｂとを有する。半導体基板１１は、例えばシリコンウエハが使用される。半導体基板１１の第１面１２Ａには、複数の回路パターン１３（半導体装置）が設けられる。回路パターン１３は、公知の技術を用いて形成され、例えば、複数のメタル層、絶縁層等が積層されて形成される。なお、図２では、半導体基板１１の第１面１２Ａに形成された回路パターン１３を概念的に示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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