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公開番号2024090470
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-04
出願番号2022206410
出願日2022-12-23
発明の名称光電変換装置及び信号処理装置
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G01S 17/894 20200101AFI20240627BHJP(測定;試験)
要約【課題】装置構成が簡略化された光電変換装置を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子への入射光に基づいて、1ビット信号により構成されたマイクロフレームを取得する取得部と、複数の前記マイクロフレームを合成することにより複数ビット信号により構成されたサブフレームを生成する合成部と、前記サブフレームの取得条件に対応する属性情報を前記サブフレームに付加する属性情報付加部と、を有し、1つの測距フレームに用いられる複数のサブフレームの少なくとも2つのサブフレームにおいて、前記取得条件が互いに異なる。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子への入射光に基づいて、１ビット信号により構成されたマイクロフレームを取得する取得部と、
複数の前記マイクロフレームを合成することにより複数ビット信号により構成されたサブフレームを生成する合成部と、
前記サブフレームの取得条件に対応する属性情報を前記サブフレームに付加する属性情報付加部と、
を有し、
１つの測距フレームに用いられる複数のサブフレームの少なくとも２つのサブフレームにおいて、前記取得条件が互いに異なる
ことを特徴とする光電変換装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記取得条件は、前記サブフレームの生成に用いられた複数の前記マイクロフレームの合成条件を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記属性情報は、１つのサブフレームの生成の際に合成された複数の前記マイクロフレームの数を示す情報を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記取得条件は、複数の前記マイクロフレームの各々の生成における前記入射光の受光条件を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記属性情報は、前記サブフレームの合成に用いられた複数の前記マイクロフレームの取得における前記入射光の発光から受光までの時間を示す情報を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記属性情報は、前記サブフレームの合成に用いられた複数の前記マイクロフレームの取得における前記入射光の受光期間の長さを示す情報を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記取得条件は、前記入射光を発する光源の発光条件を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記属性情報は、前記光源の発光強度を示す情報を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記属性情報は、前記光源の発光波長を示す情報を含む
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
１つの前記サブフレームにおいて、前記属性情報のデータは、前記複数の光電変換素子からの出力信号のデータよりも前に付加されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置及び信号処理装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光源から光を射出し、物体からの反射光を含む光を受光素子によって受けることにより、物体までの距離を測定する測距装置が開示されている。特許文献１の測距装置では、光電変換により生成された電子を増倍して信号を取得するＳＰＡＤ（ＳｉｎｇｌｅＰｈｏｔｏｎＡｖａｌａｎｃｈｅＤｉｏｄｅ）素子が受光素子として用いられている。特許文献１には、撮像フレームが形成されている途中で測距条件を変更する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１１２４４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されているような光電変換装置においては、制御部内のレジスタ部に記憶された異なる測距条件を切り替えることにより測距条件の変更が行われる。測距処理部は、この測距条件を参照して処理に用いる。しかしながら、このような手法では、制御部と測距処理部との間で測距条件を共有するための通信を要するため、光電変換装置の装置構成が複雑化する場合がある。
【０００５】
本発明は、装置構成が簡略化された光電変換装置及び信号処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書の一開示によれば、複数の光電変換素子と、前記複数の光電変換素子への入射光に基づいて、１ビット信号により構成されたマイクロフレームを取得する取得部と、複数の前記マイクロフレームを合成することにより複数ビット信号により構成されたサブフレームを生成する合成部と、前記サブフレームの取得条件に対応する属性情報を前記サブフレームに付加する属性情報付加部と、を有し、１つの測距フレームに用いられる複数のサブフレームの少なくとも２つのサブフレームにおいて、前記取得条件が互いに異なることを特徴とする光電変換装置が提供される。
【０００７】
本明細書の一開示によれば、光電変換素子への入射光に基づく１ビット信号により構成されたマイクロフレームが複数個合成されることにより生成され、複数ビット信号により構成されたサブフレームを記憶する記憶部と、前記サブフレームに基づいて距離情報を生成する距離情報生成部と、を有し、前記サブフレームには、前記サブフレームの取得条件に対応する属性情報が付加されており、１つの測距フレームに用いられる複数のサブフレームの少なくとも２つのサブフレームにおいて、前記取得条件が互いに異なることを特徴とする信号処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、装置構成が簡略化された光電変換装置及び信号処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る距離画像生成装置の概略構成例を示すハードウェアブロック図である。
第１実施形態に係る光電変換装置の全体構成を示す概略図である。
第１実施形態に係るセンサ基板の構成例を示す概略ブロック図である。
第１実施形態に係る回路基板の構成例を示す概略ブロック図である。
第１実施形態に係る光電変換部及び画素信号処理部の１画素分の構成例を示す概略ブロック図である。
第１実施形態に係るアバランシェフォトダイオードの動作を説明する図である。
第１実施形態に係る距離画像生成装置の概略構成例を示す機能ブロック図である。
第１実施形態に係る測距フレーム、サブフレーム及びマイクロフレームを説明するための模式図である。
第１実施形態に係る属性情報の付加位置を示す模式図である。
第１実施形態に係る距離画像生成装置の動作を示すフローチャートである。
第２実施形態に係る距離画像生成装置の動作を示すフローチャートである。
第３実施形態に係る距離画像生成装置の動作を示すフローチャートである。
第３実施形態に係る補正方法を示すヒストグラムである。
第４実施形態に係る機器の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。複数の図面にわたって同一の要素又は対応する要素には共通の符号が付されており、その説明は省略又は簡略化されることがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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