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公開番号2024089815
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-04
出願番号2022205262
出願日2022-12-22
発明の名称基板処理方法及び基板処理装置
出願人個人
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240627BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の洗浄を適切に行う。
【解決手段】基板処理方法であって、基板上に供給された処理液を用いて電解エッチングを行い、前記基板上の粒子を当該基板から離脱させる電解エッチング工程と、前記処理液中に静電界を形成し、且つ、前記静電界の強度が相対的に大きい強電場と、前記静電界の強度が相対的に小さい弱電場とを形成する電界形成工程と、前記静電界によって、前記処理液の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率粒子を前記強電場に移動させ、且つ、前記処理液の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率粒子を前記弱電場に移動させる粒子移動工程と、を有する。
【選択図】図7

特許請求の範囲【請求項１】
基板処理方法であって、
基板上に供給された処理液を用いて電解エッチングを行い、前記基板上の粒子を当該基板から離脱させる電解エッチング工程と、
前記処理液中に静電界を形成し、且つ、前記静電界の強度が相対的に大きい強電場と、前記静電界の強度が相対的に小さい弱電場とを形成する電界形成工程と、
前記静電界によって、前記処理液の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率粒子を前記強電場に移動させ、且つ、前記処理液の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率粒子を前記弱電場に移動させる粒子移動工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記電界形成工程において、前記処理液中に正静電界と負静電界を繰り返し形成することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記電解エッチング工程において、前記電解エッチングを行い、前記基板上の金属粒子を金属イオンに酸化することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記処理液中に直接電極、露出電極、間接電極及び対向電極を配置する配置工程を有し、
前記直接電極は絶縁膜で覆われ、
前記露出電極は前記直接電極の表面に設けられ、前記処理液に露出し、
前記間接電極は絶縁膜で覆われ、
前記対向電極は絶縁膜で覆われていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記電解エッチング工程は、
前記間接電極に電圧を印加して前記処理液に静電界を形成する充電工程と、
前記露出電極と前記間接電極を接続して、前記対向電極側に配置された前記基板上の粒子を当該基板から離脱させる放電工程と、を有することを特徴とする、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記配置工程において、
側面視において、一対の前記直接電極を隣接して配置し、
側面視において、一対の間接電極を前記一対の直接電極を挟んで当該一対の直接電極の外側に配置し、
前記対向電極を前記一対の直接電極及び前記一対の間接電極に対向して配置することを特徴とする、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記電界形成工程において、前記一対の直接電極間に前記弱電場を形成し、
前記粒子移動工程において、前記低誘電率粒子を前記弱電場に移動させることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記電界形成工程において、前記間接電極側に前記強電場を形成し、
前記粒子移動工程において、前記高誘電率粒子を前記強電場に移動させることを特徴とする、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板処理装置であって、
基板上に供給された処理液を用いて電解エッチングを行う電解エッチング部と、
前記処理液中に静電界を形成する静電界形成部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記処理液を用いて電解エッチングを行い、前記基板上の粒子を当該基板から離脱させる電解エッチング工程と、
前記処理液中に静電界を形成し、且つ、前記静電界の強度が相対的に大きい強電場と、前記静電界の強度が相対的に小さい弱電場とを形成する電界形成工程と、
前記静電界によって、前記処理液の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率粒子を前記強電場に移動させ、且つ、前記処理液の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率粒子を前記弱電場に移動させる粒子移動工程と、を実行するように、電解エッチング部と前記静電界形成部を制御することを特徴とする、基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記電界形成工程において、前記処理液中に正静電界と負静電界を繰り返し形成するように、前記静電界形成部を制御することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、例えば半導体基板（以下、「基板」という。）を清浄な状態に保つため、各々の処理工程の前後において、基板上のパーティクル（異物）を除去する洗浄工程が行われている。
【０００３】
基板の洗浄工程では、例えば基板上に洗浄液を供給して、当該基板を洗浄する。この洗浄液には、パーティクルの高い除去力が求められる。特に近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、基板上に形成するパターンが微細化しており、より微細なパーティクルを除去する必要がある。
【０００４】
そこで従来、種々の洗浄液の開発が進められている。例えば特許文献１には、金属配線の腐食を抑制するためのリソグラフィー用の洗浄液が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－１２４９４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基板に付着するパーティクルには、例えば金属や非金属等、様々な種類の粒子が含まれる。この点、従来のように洗浄液のみで、これら複数種のパーティクルをすべて除去するのは困難である。したがって、従来の基板の洗浄工程には改善の余地がある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板の洗浄を適切に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明は、基板処理方法であって、基板上に供給された処理液を用いて電解エッチングを行い、前記基板上の粒子を当該基板から離脱させる電解エッチング工程と、前記処理液中に静電界を形成し、且つ、前記静電界の強度が相対的に大きい強電場と、前記静電界の強度が相対的に小さい弱電場とを形成する電界形成工程と、前記静電界によって、前記処理液の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率粒子を前記強電場に移動させ、且つ、前記処理液の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率粒子を前記弱電場に移動させる粒子移動工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、電解エッチング工程において表面に通電膜が無い基板においても非接触で電解エッチングを行いエッチング能力を向上させて基板から粒子を離脱させ、電界形成工程において処理液に強電場と弱電場を形成し、粒子移動工程において高誘電率粒子を強電場で収集し、低誘電率粒子を弱電場で収集することができる。したがって、洗浄液に静電界を形成することで、基板からパーティクルである粒子を除去して、当該基板を適切に洗浄することができる。
【００１０】
前記電界形成工程において、前記処理液中に正静電界と負静電界を繰り返し形成してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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