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公開番号2024083228
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-20
出願番号2023125411
出願日2023-08-01
発明の名称印刷回路基板およびその製造方法
出願人サムソンエレクトロ-メカニックスカンパニーリミテッド.
代理人弁理士法人共生国際特許事務所
主分類H05K 3/28 20060101AFI20240613BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】ワイヤボンディング環境に適した導電層の厚さを確保できる印刷回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による印刷回路基板は、対向する第1面および第2面を有する絶縁層と、絶縁層に埋め込まれ、第1面から陥没して配置された表面を有する第1接続パッドと、第1接続パッド上に位置し、一部が絶縁層に埋め込まれ、他の一部が絶縁層の第1面から突出した導電層と、絶縁層の第1面に位置し、導電層の高さと同一であるか、より低い表面を有する第1ソルダレジスト層とを含む。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
対向する第１面および第２面を有する絶縁層と、
前記絶縁層に埋め込まれ、前記第１面から陥没して配置された表面を有する第１接続パッドと、
前記第１接続パッド上に位置し、一部が前記絶縁層に埋め込まれ、他の一部が前記絶縁層の前記第１面から突出した導電層と、
前記絶縁層の前記第１面に位置し、前記導電層の表面と高さが同一であるか、またはより低い表面を有する第１ソルダレジスト層と、
を含むことを特徴とする印刷回路基板。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記導電層の側面は、前記第１ソルダレジスト層と接触する部分を有することを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項３】
前記導電層は、前記第１ソルダレジスト層の表面よりも突出し、
前記導電層の突出した厚さは、前記第１ソルダレジスト層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項４】
前記導電層は、前記第１接続パッド上に位置するニッケル（Ｎｉ）導電層と、前記ニッケル（Ｎｉ）導電層上に位置する金（Ａｕ）導電層とをさらに含み、
前記ニッケル導電層は、前記絶縁層の前記第１面よりも低い高さで前記第１接続パッドと接することを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項５】
前記ニッケル導電層の厚さは、前記第１ソルダレジスト層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項４に記載の印刷回路基板。
【請求項６】
前記ニッケル導電層は、前記第１ソルダレジスト層の表面よりも突出したことを特徴とする請求項４に記載の印刷回路基板。
【請求項７】
前記導電層が前記第１接続パッドと接する部分において、前記導電層の幅は、前記第１接続パッドの幅と同一であることを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項８】
前記第１ソルダレジスト層に埋め込まれた前記導電層部分の幅と、前記第１ソルダレジスト層から突出した前記導電層部分の幅とが互いに同一であることを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
【請求項９】
前記導電層は、前記第１接続パッド上に位置するニッケル（Ｎｉ）導電層と、前記ニッケル（Ｎｉ）導電層上に位置する金（Ａｕ）導電層とをさらに含み、
前記金導電層の幅は、前記ニッケル導電層の幅と同一であることを特徴とする請求項８に記載の印刷回路基板。
【請求項１０】
前記絶縁層上において複数の前記導電層が互いに隣接して配置され、前記互いに隣接した複数の導電層の間に前記第１ソルダレジスト層が配置されたことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
電子産業の発達に伴い電子機器が次第に高性能化されるにつれ、半導体パッケージは小型化／薄型化されると同時に高密度化されることが要求されている。パッケージの高密度化のために実装されるＩＣの個数増加に伴いＩ／Ｏ接続端子の個数も増加し、これによって、ボンディングパッドピッチが減少した微細回路実現のための工程能力の確保が必要になってきている。
【０００３】
現在の高密度パッケージにおけるＩＣ実装方法は、ワイヤボンディング方式と、フリップボンディング方式とが使用されている。Ｉ／Ｏ接続端子の個数が一定水準以上増加すると、実装時にかかる費用が考慮されてフリップボンディング方式が好まれている。しかし、ワイヤボンディングチップを実装する場合にも、微細回路で実現されたボンドフィンガーは必要になり、さらに、ワイヤボンディング環境を整えるようにニッケル導電層の適正な厚さを確保することが必要になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－２９６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ワイヤボンディングチップの実装のためのボンドフィンガーを微細回路で実現しながらも、ワイヤボンディング環境に適した導電層の厚さを確保できる印刷回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
しかし、本発明が解決しようとする課題は上述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的思想の範囲で多様に拡張可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による印刷回路基板は、対向する第１面および第２面を有する絶縁層と、前記絶縁層に埋め込まれ、前記第１面から陥没して配置された表面を有する第１接続パッドと、前記第１接続パッド上に位置し、一部が前記絶縁層に埋め込まれ、他の一部が前記絶縁層の前記第１面から突出した導電層と、前記絶縁層の前記第１面に位置し、前記導電層の高さと同一であるか、より低い表面を有する第１ソルダレジスト層とを含む。
【０００８】
前記導電層の側面は、前記第１ソルダレジスト層と接触する部分を有し得る。
前記導電層は、前記第１ソルダレジスト層の表面よりも突出し、前記導電層の突出した厚さは、前記第１ソルダレジスト層の厚さよりも厚いことが好ましい。
前記導電層は、前記第１接続パッド上に位置するニッケル（Ｎｉ）導電層と、前記ニッケル（Ｎｉ）導電層上に位置する金（Ａｕ）導電層とをさらに含み、前記ニッケル導電層は、前記絶縁層の前記第１面よりも低い高さで前記第１接続パッドと接することが好ましい。
前記ニッケル導電層の厚さは、前記第１ソルダレジスト層の厚さよりも厚いことが好ましい。
前記ニッケル導電層は、前記第１ソルダレジスト層の表面よりも突出することが好ましい。
前記導電層が前記第１接続パッドと接する部分において、前記導電層の幅は、前記第１接続パッドの幅と同一であってもよい。
前記第１ソルダレジスト層に埋め込まれる前記導電層部分の幅と、前記第１ソルダレジスト層から突出した前記導電層部分の幅とが互いに同一であってもよい。
前記導電層は、前記第１接続パッド上に位置するニッケル（Ｎｉ）導電層と、前記ニッケル（Ｎｉ）導電層上に位置する金（Ａｕ）導電層とをさらに含み、前記金導電層の幅は、前記ニッケル導電層の幅と同一であってもよい。
前記絶縁層上において複数の前記導電層が互いに隣接して配置され、前記互いに隣接した複数の導電層の間に前記第１ソルダレジスト層が配置され得る。
前記第１接続パッドは、ワイヤボンディングパッド用ボンドフィンガーを構成し得る。
前記半導体パッケージ用印刷回路基板は、前記絶縁層の前記第２面上に位置する第２接続パッドと、前記絶縁層の前記第２面において前記第２接続パッドの周囲に配置された第２ソルダレジスト層とをさらに含み得る。
前記第１ソルダレジスト層は、前記第２ソルダレジスト層よりも厚さが薄いことが好ましい。
前記絶縁層は、複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層は、それぞれ回路層を含んでもよい。
前記印刷回路基板は、前記絶縁層に埋め込まれて前記回路層に連結され、前記絶縁層の厚さ方向に延びるビアをさらに含み得る。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による印刷回路基板の製造方法は、対向する第１面および第２面を有する絶縁層に埋め込まれた第１接続パッドを含む埋め込みパターン基板を形成する段階と、前記絶縁層の前記第１面上に前記第１接続パッドを覆うように第１ソルダレジスト層を形成する段階と、前記第１接続パッドを露出させるように前記第１ソルダレジスト層に第１開口部をパターニングする段階と、メッキ工程を行って前記第１開口部に導電層を形成する段階と、前記第１ソルダレジスト層を薄型化（ｔｈｉｎｎｉｎｇ）する段階を含む。
【００１０】
前記第１ソルダレジスト層を薄型化する段階は、前記導電層を前記第１ソルダレジスト層の表面よりも突出させる段階をさらに含み得る。
前記導電層の突出した厚さは、前記第１ソルダレジスト層の厚さよりも厚く形成されることが好ましい。
前記導電層を形成する段階は、前記第１接続パッド上にニッケル（Ｎｉ）導電層を形成し、前記ニッケル導電層上に金（Ａｕ）導電層を形成する段階を含み得る。
前記第１ソルダレジスト層を薄型化する段階は、前記ニッケル導電層の厚さが前記第１ソルダレジスト層の厚さよりも厚くなるようにする段階を含むことが好ましい。
前記第１ソルダレジスト層を薄型化する段階は、前記ニッケル導電層を前記第１ソルダレジスト層の表面よりも高く突出させる段階をさらに含むことが好ましい。
前記第１ソルダレジスト層に前記第１開口部をパターニングする段階は、複数の前記第１開口部を互いに隣り合って位置するように形成する段階を含み得る。
前記第１ソルダレジスト層を薄型化する段階は、前記第１ソルダレジスト層をレーザを用いた物理的工程で薄型化する段階を含んでもよい。
前記第１ソルダレジスト層を薄型化する段階は、前記第１ソルダレジスト層を薬品を用いた化学的工程で薄型化する段階を含んでもよい。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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