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公開番号2024081996
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-19
出願番号2022195654
出願日2022-12-07
発明の名称高周波回路構造及びその製造方法
出願人エレファンテック株式会社
代理人個人
主分類H05K 3/18 20060101AFI20240612BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】絶縁層と導電層の密着性を向上させながら、高周波伝送特性を向上させる。
【解決手段】硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも1種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、絶縁層表面に官能基を介して所定のパターン状に接合された触媒粒子群と、触媒粒子群に第1の膜厚で一体化された第1の導電層と、第1の導電層の上に第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚で第1の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第2の導電層と、を備えた。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする高周波回路構造。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする高周波回路構造。
【請求項３】
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、粒子径が１００ｎｍ未満の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波回路構造。
【請求項４】
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が３０％以下である、
ことを特徴とする請求項３に記載の高周波回路構造。
【請求項５】
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、非磁性の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする請求項４に記載の高周波回路構造。
【請求項６】
前記絶縁層と前記第１の導電層の間の界面の表面粗さＲａが前記触媒粒子の前記粒子径の１／２よりも小さい、
ことを特徴とする請求項５に記載の高周波回路構造。
【請求項７】
前記第１の導電層が無電解めっき析出層である、
ことを特徴とする請求項６に記載の高周波回路構造。
【請求項８】
前記第２の導電層が電解めっき層である、
ことを特徴とする請求項７に記載の高周波回路構造。
【請求項９】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記第２の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層にエッチング処理を行い配線を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
【請求項１０】
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基が表層に発現した絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層表面に触媒粒子コロイド溶液を供給し、前記触媒粒子コロイド溶液の溶媒を揮発させることにより前記絶縁層表面に触媒粒子群からなる触媒層を形成するステップと、
前記触媒層に無電解めっきで第１の導電層を一体形成するステップと、
前記第１の導電層上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を露光・現像して前記レジスト膜に配線パターンを形成するステップと、
前記第１の導電層に電解めっきで第２の導電層を一体形成するステップと、
前記レジスト膜除去後に前記第１の導電層の厚み分だけ金属のエッチング処理を行うことで前記第１の導電層と前記第２の導電層があわさった導電層に配線を形成するステップと、
必要に応じて露出した触媒粒子を除去するステップと、を含む、
ことを特徴とする高周波回路構造の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波回路構造及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材と、プライマー層と、触媒金属層と、無電解メッキ層とが積層された電気回路の構造体において、当該絶縁性基材の一部に導体回路が形成され、当該絶縁性基材上に当該プライマー層が部分的に構成されており、当該プライマー層はアミノ基を有し、当該触媒金属層は粒径２～１００ｎｍの単分散貴金属ナノ粒子からなり、分子量２００以下の糖アルコール水溶液中に当該単分散貴金属ナノ粒子群を均一に分散させた水溶液により当該プライマー層上に形成され、当該触媒金属層と当該プライマー層とがプライマー層上のアミノ基を介して接合され、かつ、当該無電解メッキ層が当該導体回路および当該触媒金属層と接続されている電気回路の構造体が知られている（特許文献１）。
【０００３】
プラスチック基材表面に連続的な導体配線パターンが形成された導体配線構造体において、プラスチック基材内部に埋没した埋設状態、或いは／及び、該プラスチック基材表面に一部が露出した埋設状態にて所定のパターン状に形成された触媒粒子群と、該触媒粒子群に一体化された導体配線パターンと、を備えた導体配線構造体も知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－１２３９０９号公報
特開２００６－２２２４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、絶縁層と導電層の密着性を向上させながら、高周波伝送特性を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の高周波回路構造は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする。
【０００７】
前記課題を解決するために、請求項２に記載の高周波回路構造は、
硫黄、酸素及び窒素から選ばれる少なくとも１種を含有する官能基を表層に有する絶縁層と、
前記絶縁層表面に前記官能基を介して接合された触媒粒子群と、
前記触媒粒子群に周波数３０ＧＨｚにおける界面導電率が純銅の８０％以上となるように第１の膜厚で一体化された第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚で前記第１の導電層の側壁を厚み方向において覆わないように形成された第２の導電層と、を備えた、
ことを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の高周波回路構造において、
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、粒子径が１００ｎｍ未満の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の高周波回路構造において、
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子の平均粒径より算出される変動係数が３０％以下である、
ことを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の高周波回路構造において、
前記触媒粒子群を構成する個々の触媒粒子は、非磁性の金属ナノ粒子である、
ことを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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