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公開番号
2024078164
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-06-10
出願番号
2022190559
出願日
2022-11-29
発明の名称
成膜装置及び成膜方法
出願人
キヤノントッキ株式会社
代理人
弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類
C23C
14/24 20060101AFI20240603BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約
【課題】成膜制御性を向上すること。
【解決手段】成膜装置は、基板に第一の蒸着物質を放出する第一の蒸着手段と、前記基板に対する前記第一の蒸着物質の放出中に、前記第一の蒸着手段を軸に対する円軌道に沿って移動させる移動手段と、前記第一の蒸着手段と前記基板との間に配置され、前記第一の蒸着手段から放出された前記第一の蒸着物質が前記基板に到達することを制限可能なシャッタと、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
基板に第一の蒸着物質を放出する第一の蒸着手段と、
前記基板に対する前記第一の蒸着物質の放出中に、前記第一の蒸着手段を軸に対する円軌道に沿って移動させる移動手段と、
前記第一の蒸着手段と前記基板との間に配置され、前記第一の蒸着手段から放出された前記第一の蒸着物質が前記基板に到達することを制限可能なシャッタと、を備える、
ことを特徴とする成膜装置。
続きを表示(約 1,200 文字)
【請求項2】
請求項1に記載の成膜装置であって、
前記基板に第二の蒸着物質を放出する第二の蒸着手段を備え、
前記移動手段は、
前記基板に対する前記第二の蒸着物質の放出中に、前記第二の蒸着手段を前記円軌道に沿って移動させ、
前記シャッタは、
前記第二の蒸着手段と前記基板との間に配置され、前記第二の蒸着手段から放出された前記第一の蒸着物質が前記基板に到達することを制限可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項3】
請求項1に記載の成膜装置であって、
前記シャッタは、前記第一の蒸着手段の移動に同期して、前記円軌道の前記軸周りに回転可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項4】
請求項2に記載の成膜装置であって、
前記シャッタは、
前記第一の蒸着手段を前記基板に露出させ、前記第二の蒸着手段を前記基板に対して遮蔽した姿勢で、前記第一の蒸着手段及び前記第二の蒸着手段の移動に同期して、前記円軌道の前記軸周りに回転可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項5】
請求項2に記載の成膜装置であって、
前記移動手段は、前記第一の蒸着手段及び前記第二の蒸着手段を搭載して回転する回転台を含む、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項6】
請求項5に記載の成膜装置であって、
前記シャッタは、前記回転台と同軸上で同期的に回転可能であり、かつ、前記回転台に対する回転方向の相対位置を変更可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項7】
請求項2に記載の成膜装置であって、
前記第一の蒸着物質と前記第二の蒸着物質とは、異なる物質である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項8】
請求項1に記載の成膜装置であって、
前記シャッタは、制限面積を変更可能である、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項9】
基板に、該基板の発光層を形成する蒸着物質としてホスト材料を放出する第一の蒸着手段と、
前記基板に、前記発光層を形成するに蒸着物質としてドーパント材料を放出する第二の蒸着手段と、
前記基板に対する前記ホスト材料及び前記ドーパント材料の放出中に、前記第一の蒸着手段及び前記第二の蒸着手段を軸に対する円軌道に沿って移動させる移動手段と、を備える、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項10】
基板に蒸着物質を放出する複数の蒸着手段と、
前記複数の蒸着手段を搭載し、前記基板に対する蒸着物質の放出中に回転する回転台と、
前記回転台と同軸上で同期的に回転可能であり、かつ、前記複数の蒸着手段の少なくとも一つを前記基板に対して遮蔽可能なシャッタと、を備える、
ことを特徴とする成膜装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、成膜装置及び成膜方法に関する。
続きを表示(約 1,600 文字)
【背景技術】
【0002】
基板に対して蒸着物質を蒸着し、成膜する技術が知られている。特許文献1には、蒸着源を移動しながら基板に蒸着物質を放出し、成膜する技術が開示されている。蒸着源を移動しながら成膜することにより、蒸着源の構造や個体差に起因したムラを低減でき、基板上の膜厚分布の均一性を向上できる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2004-307880号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1の技術では、成膜の厚さの制御や、蒸着材料の選択といった成膜制御に関して、蒸着源の加熱のON/OFF程度の制御しか行えず、改善の余地がある。
【0005】
本発明は、成膜制御性を向上した技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明によれば、
基板に第一の蒸着物質を放出する第一の蒸着手段と、
前記基板に対する前記第一の蒸着物質の放出中に、前記第一の蒸着手段を軸に対する円軌道に沿って移動させる移動手段と、
前記第一の蒸着手段と前記基板との間に配置され、前記第一の蒸着手段から放出された前記第一の蒸着物質が前記基板に到達することを制限可能なシャッタと、を備える、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、成膜制御性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。
本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略図。
蒸着ユニット周辺の機構を示す斜視図。
(A)及び(B)は図2の成膜装置の動作説明図。
(A)及び(B)は図2の成膜装置の動作説明図。
(A)及び(B)は図2の成膜装置の動作説明図。
(A)及び(B)は図2の成膜装置の動作説明図。
(A)~(F)は図2の成膜装置の動作説明図。
別の実施形態に係る成膜装置の概略図。
図9の成膜装置の蒸着ユニット周辺の機構を示す斜視図。
(A)~(F)は図9の成膜装置の動作説明図。
更に別の実施形態に係る成膜装置の概略図。
(A)~(F)は図12の成膜装置の動作説明図。
更に別の実施形態に係る成膜装置の概略図。
(A)~(F)は図14の成膜装置の動作説明図。
(A)~(C)はシャッタの別の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【0010】
<第一実施形態>
<電子デバイスの製造ライン>
図1は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ライン100の構成の一部を示す模式図である。各図において、矢印X及びYは互いに直交する水平方向を示し、矢印Zは上下方向(重力方向)を示す。図1の製造ラインは、例えば、有機EL表示装置の発光素子の製造に用いられる。製造ライン100は、平面視で八角形の形状を有する搬送室120を備える。搬送室120には搬送路110から基板101が搬入され、また、成膜済みの基板101は搬送室120から搬送路111へ搬出される。
(【0011】以降は省略されています)
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