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公開番号2024076651
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-06
出願番号2022188318
出願日2022-11-25
発明の名称処理装置及び処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/44 20060101AFI20240530BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】隔膜真空計のダイヤフラムへの膜の堆積を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による処理装置は、減圧可能な処理容器と、前記処理容器内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給流路と、前記処理容器に接続され、前記処理容器内の前記成膜ガスを排気する排気配管と、前記排気配管から分岐する枝配管と、前記枝配管に接続される隔膜真空計と、を備え、前記排気配管及び前記枝配管の少なくとも1つは、前記成膜ガスの消費を促進する材料が露出する内面を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給流路と、
前記処理容器に接続され、前記処理容器内の前記成膜ガスを排気する排気配管と、
前記排気配管から分岐する枝配管と、
前記枝配管に接続される隔膜真空計と、
を備え、
前記排気配管及び前記枝配管の少なくとも１つは、前記成膜ガスの消費を促進する材料が露出する内面を有する、
処理装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記排気配管及び前記枝配管の少なくとも１つは、前記成膜ガスの消費を促進する材料により形成される、
請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記排気配管及び前記枝配管の少なくとも１つは、内面が前記成膜ガスの消費を促進する材料で被覆される、
請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記排気配管及び前記枝配管の少なくとも１つを加熱する配管ヒータをさらに備える、
請求項１に記載の処理装置。
【請求項５】
前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給流路と、
前記クリーニングガス供給流路と前記枝配管とを接続するバイパス流路と、
をさらに備える、
請求項１に記載の処理装置。
【請求項６】
前記成膜ガスは、シラン系ガスであり、
前記成膜ガスの消費を促進する材料は、ニッケルである、
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項７】
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給流路と、
前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給流路と、
前記処理容器に接続され、前記処理容器内の前記成膜ガスを排気する排気配管と、
前記排気配管から分岐する枝配管と、
前記枝配管に接続される隔膜真空計と、
前記クリーニングガス供給流路と前記枝配管とを接続するバイパス流路と、
を備える処理装置における処理方法であって、
前記枝配管は、前記成膜ガスの消費を促進する材料が露出する内面を有し、
前記隔膜真空計で前記処理容器内の圧力を測定しながら、前記成膜ガス供給流路から前記処理容器内に前記成膜ガスを供給し、前記処理容器内に収容された基板に膜を形成する工程と、
前記クリーニングガス供給流路から前記バイパス流路を介して前記枝配管に前記クリーニングガスを供給し、前記膜を形成する工程において前記枝配管内に堆積した堆積物を除去する工程と、
を有する、
処理方法。
【請求項８】
前記クリーニングガス供給流路から前記処理容器内に前記クリーニングガスを供給し、前記膜を形成する工程において前記処理容器内に堆積した堆積物を除去する工程をさらに有する、
請求項７に記載の処理方法。
【請求項９】
前記枝配管内に堆積した堆積物を除去する工程は、前記枝配管を加熱することを含む、
請求項７に記載の処理方法。
【請求項１０】
前記成膜ガスは、シラン系ガスであり、
前記成膜ガスの消費を促進する材料は、ニッケルである、
請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の処理方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、処理装置及び処理方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
真空室内の圧力を測定する際にダイヤフラムを備える隔膜真空計が用いられる場合がある。特許文献１には、ガスや粒子によるダイヤフラムの汚染を抑制するためにバッフルを設ける技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２００９－５２４０２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、隔膜真空計のダイヤフラムへの膜の堆積を抑制できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による処理装置は、減圧可能な処理容器と、前記処理容器内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給流路と、前記処理容器に接続され、前記処理容器内の前記成膜ガスを排気する排気配管と、前記排気配管から分岐する枝配管と、前記枝配管に接続される隔膜真空計と、を備え、前記排気配管及び前記枝配管の少なくとも１つは、前記成膜ガスの消費を促進する材料が露出する内面を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、隔膜真空計のダイヤフラムへの膜の堆積を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る処理装置を示す概略図である。
隔膜真空計を示す概略図である。
第１実施形態に係る処理方法を示す概略図である。
第２実施形態に係る処理装置を示す概略図である。
第２実施形態に係る処理方法を示す概略図（１）である。
第２実施形態に係る処理方法を示す概略図（２）である。
第２実施形態に係る処理方法を示す概略図（３）である。
第３実施形態に係る処理装置を示す概略図である。
第３実施形態に係る処理方法を示す概略図（１）である。
第３実施形態に係る処理方法を示す概略図（２）である。
第３実施形態に係る処理方法を示す概略図（３）である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔第１実施形態〕
図１及び図２を参照し、第１実施形態に係る処理装置１について説明する。図１は、第１実施形態に係る処理装置１を示す概略図である。図２は、隔膜真空計１４５を示す概略図である。図１に示されるように、処理装置１は、処理容器１１と、成膜ガス供給部１２と、クリーニングガス供給部１３と、排気部１４と、制御部１９とを有する。
【００１０】
処理容器１１は、内部を減圧可能である。処理容器１１は、基板を収容する。処理容器１１内では、収容された基板に対して各種の処理が行われる。各種の処理は、例えば成膜処理を含む。各種の処理は、エッチング処理を含んでもよい。処理容器１１は、１枚の基板を収容可能であってもよく、複数枚の基板を収容可能であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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