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公開番号2024051498
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-11
出願番号2022157703
出願日2022-09-30
発明の名称基板処理装置の評価方法
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20240404BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板を処理する処理装置内の清浄度を適切に評価する評価方法が求められている。
【解決手段】基板処理装置に搬入された評価基板と当該評価基板に対向する部材との間の空間に、評価基板の表面温度が対向する部材の表面温度よりも相対的に低くなるような温度勾配を発生させた状態で、評価基板を前記基板処理装置内で移動させる。そして移動させることにより評価基板に付着したパーティクルの数に基づいて、基板処理装置の状態を評価する評価する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する処理部を有する基板処理装置の評価方法であって、
前記基板処理装置に評価基板に搬入する工程と、
前記評価基板と当該評価基板に対向する部材との間の空間に、前記評価基板の表面温度が前記対向する部材の表面温度よりも相対的に低くなるような温度勾配を発生させる工程と、
前記温度勾配が発生している状態で、前記評価基板を前記基板処理装置の内部で移動させる工程と、
前記移動させる工程により前記評価基板に付着したパーティクルの数に基づいて、前記基板処理装置の状態を評価する評価工程と、
を有することを特徴とする評価方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記移動させる工程は、前記基板処理装置で処理される通常の基板が前記基板処理装置の内部で移動する動作を模擬したダミー動作であることを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項３】
前記温度勾配を発生させる工程は、前記評価基板を保持する保持部を冷却する冷却工程、および、前記評価基板と対向する部材を加熱する加熱工程の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項４】
前記評価基板と対向する部材は、金属膜が形成された透過性部材であり、
前記加熱工程は、前記基板処理装置に設けられた光照射部によって、前記部材に光を照射することで、前記部材を加熱することを特徴とする請求項３に記載の評価方法。
【請求項５】
前記基板処理装置は、基板上のインプリント材にモールドを接触させることで基板上にパターンを形成するインプリント装置であることを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項６】
前記パーティクルの数を検査する検査工程をさらに有し、
前記評価工程は、前記検査工程で検査されたパーティクルの数に基づいて評価することを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項７】
前記評価工程は、前記基板処理装置を実際の基板処理に使用するか否かの評価を行うことを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項８】
基板を処理する処理部を有する基板処理装置であって
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部と対向する位置で部材を保持する部材保持部と、
前記基板保持部で保持される評価基板と、前記部材保持部で保持される部材との間の空間に、前記評価基板の表面温度が前記対向する部材の表面温度よりも相対的に低くなるような温度勾配を発生させる温度調整手段と、
前記温度勾配が発生している状態で、前記評価基板を前記基板処理装置の内部で移動するように制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板処理装置の内部を移動した前記評価基板に付着したパーティクルの数に基づいて、前記基板処理装置の状態を評価することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の評価方法で評価された基板処理装置を用いて、基板を処理する工程と、
前記工程で処理された基板を加工する工程と、を含み、
加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置の評価方法に関するものである。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加えて、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターン（構造体）を形成することができるインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上に未硬化のインプリント材を供給（塗布）し、かかるインプリント材とモールド（型）とを接触させて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応するインプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。
【０００３】
このようなインプリント技術では、基板上やモールドにパーティクル（異物）が付着している状態で型と基板上のインプリント材を接触させると、所望の形状の構造物を形成することができないばかりか型や基板を破損してしまう可能性がある。そのため、インプリント装置といった基板処理装置内のパーティクルが極力少ない状態でインプリント処理を行う必要がある。
【０００４】
特許文献１には、装置停止後に再稼働させた際には、送風機で装置内にフィルターを介した大気を送り込むパーティクル除去運転を所定時間行うことで、パーティクルの数を許容できるレベルまで減らした状態でインプリント処理を行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－１２５７４５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
更に信頼性高く装置状態を判断するための方法としては、処理装置内のパーティクルの状態を判定することで装置の性能評価を行う方法があり、その方法も二つの手法が知られている。一つ目は、装置内のエアを吸引し、エアに含まれるパーティクルをパーティクル検査装置で数値化する方法である。この方法は、簡便にリアルタイムでパーティクルの発生状況を計測できる。しかし装置内の決められた場所のエアを吸引することになるため、吸気箇所付近で発生するパーティクルは計測できるが、吸気箇所から離れた位置で発生するパーティクルは計測することができない。すなわちパーティクル発生源があらかじめ予測できる箇所の測定では有効に機能するが、予測できない場合は有効ではないといえる。
【０００７】
二つ目は、加工前のウエハであるベアウエハ（ＢａｒｅＷａｆｅｒ）を装置内で搬送し、搬送動作によりベアウエハへ付着したパーティクル数を計測することで装置内のパーティクルを数値化する方法である。この方法は、装置内でベアウエハを搬送するので、実際の装置稼働動作に近い状態をモニタすることができるため、実施のインプリント処理におけるパーティクルの状態を評価することができる。
【０００８】
しかしながら、インプリント装置は半導体露光装置に比べさらに高い清浄度が求められている。そのため、評価の段階ですでに一定レベルの清浄度を保っている場合もあり、このような装置の場合には、そもそも装置内に存在するパーティクル個数は極僅かであり短時間のベアウエハの装置内搬送では評価できない可能性がある。正確に評価するために長時間のベアウエハ搬送を行うこともできるが、処理装置の評価時間に膨大な時間がかかることになるため、現実的ではない。
【０００９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、装置内の清浄度を適切に評価することができる評価方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を鑑み、本願発明は、基板を処理する処理部を有する基板処理装置の評価方法は、前記基板処理装置に評価基板に搬入する工程と、前記評価基板と当該評価基板に対向する部材との間の空間に、前記評価基板の表面温度が前記対向する部材の表面温度よりも相対的に低くなるような温度勾配を発生させる工程と、前記温度勾配が発生している状態で、前記評価基板を前記基板処理装置内で移動させる工程と、前記移動させる工程により前記評価基板に付着したパーティクルの数に基づいて、前記基板処理装置の状態を評価する評価工程と、
を有することを特徴とする。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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