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公開番号2024050153
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-10
出願番号2022156825
出願日2022-09-29
発明の名称ドハティ増幅回路
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H03F 1/02 20060101AFI20240403BHJP(基本電子回路)
要約【課題】特性の変化を抑制する。
【解決手段】ドハティ増幅回路は、1つ又は複数の増幅器を含むキャリアアンプと、1つ又は複数の増幅器を含むピークアンプと、を含む。少なくとも1つの増幅器は、高周波信号並びに変化するバイアス電圧又はバイアス電流がベース又はゲートに入力され、増幅後の高周波信号をコレクタ又はドレインから出力するトランジスタと、増幅後の高周波信号に基づく電圧又は電流をトランジスタのベース若しくはゲート又はエミッタ若しくはソースに与える帰還回路と、を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
１つ又は複数の増幅器を含むキャリアアンプと、
１つ又は複数の増幅器を含むピークアンプと、
を含み、
少なくとも１つの前記増幅器は、
高周波信号並びに変化するバイアス電圧又はバイアス電流がベース又はゲートに入力され、増幅後の高周波信号をコレクタ又はドレインから出力するトランジスタと、
前記増幅後の高周波信号に基づく電圧又は電流を前記トランジスタのベース若しくはゲート又はエミッタ若しくはソースに与える帰還回路と、
を含む、
ドハティ増幅回路。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
前記帰還回路は、
前記トランジスタのベース又はゲートとコレクタ又はドレインとの間に電気的に接続された抵抗を含む、
ドハティ増幅回路。
【請求項３】
請求項２に記載のドハティ増幅回路であって、
前記帰還回路は、
前記抵抗と直列接続されたコンデンサを更に含む、
ドハティ増幅回路。
【請求項４】
請求項３に記載のドハティ増幅回路であって、
少なくとも１つの前記増幅器は、
前記トランジスタを構成する複数の単位トランジスタ及び前記抵抗を構成する複数の単位抵抗を夫々含む、複数のセルを含み、
前記コンデンサは、
前記複数のセルに共通して設けられている、
ドハティ増幅回路。
【請求項５】
請求項４に記載のドハティ増幅回路であって、
少なくとも１つの前記増幅器は、
前記複数のセルは、
一方向に沿って配列され、
前記コンデンサは、
前記一方向に沿って延在し、前記複数の単位トランジスタのコレクタ又はドレインに電気的に接続された第１極板と、
前記一方向に沿って延在し、前記第１極板に対向する第２極板と、
を含み、
前記第２極板と前記複数の単位抵抗との間を電気的に接続する１つ又は２つの配線は、前記第２極板の一方又は両方の端部から前記複数のセルの一方又は両方の端部の外側を通過して設けられている、
ドハティ増幅回路。
【請求項６】
請求項１に記載のドハティ増幅回路であって、
前記帰還回路は、
前記トランジスタのエミッタ又はソースと基準電位との間に電気的に接続された抵抗を含む、
ドハティ増幅回路。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のドハティ増幅回路であって、
前記バイアス電圧又はバイアス電流は、高周波信号の包絡線、電源電圧、温度、前記キャリアアンプの飽和状態及び反射電力の内の少なくとも１つに基づいて変化する、
ドハティ増幅回路。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ドハティ増幅回路に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ピークアンプのバイアス点を変化させるドハティ増幅回路が記載されている。ピークアンプは、バイアス点を変化させると、利得を制御することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１９／０１４９０９９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
エミッタ接地増幅器は、バイアス点が変化すると、入力インピーダンスや通過位相特性が大きく変化することがある。このエミッタ接地増幅器の特性の変化は、ドハティ増幅回路のキャリアアンプ及びピークアンプの通過位相特性に影響を及ぼすことがある。ドハティ増幅回路は、キャリアアンプ及びピークアンプの通過位相特性の関係性が重要であり、キャリアアンプ及びピークアンプの通過位相特性が変化しないことが望ましい。従って、ドハティ増幅回路は、上記のエミッタ接地増幅器の特性の変化により、結果的に良好な特性を得られない（高周波出力信号が歪む）ことがあった。
【０００５】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、特性の変化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面のドハティ増幅回路は、１つ又は複数の増幅器を含むキャリアアンプと、１つ又は複数の増幅器を含むピークアンプと、を含む。少なくとも１つの増幅器は、高周波信号並びに変化するバイアス電圧又はバイアス電流がベース又はゲートに入力され、増幅後の高周波信号をコレクタ又はドレインから出力するトランジスタと、増幅後の高周波信号に基づく電圧又は電流をトランジスタのベース若しくはゲート又はエミッタ若しくはソースに与える帰還回路と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、特性の変化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、第１の実施の形態のドハティ増幅回路の構成を示す図である。
図２は、第１の実施の形態のドハティ増幅回路の利得可変の増幅器の構成を示す図である。
図３は、比較例の増幅器の回路シミュレーション結果を示す図である。
図４は、第１の実施の形態の利得可変の増幅器の回路シミュレーション結果を示す図である。
図５は、第２の実施の形態の利得可変の増幅器の構成を示す図である。
図６は、比較例の第１レイアウト例を示す図である。
図７は、比較例の第２レイアウト例を示す図である。
図８は、第２の実施の形態の利得可変の増幅器のレイアウト例を示す図である。
図９は、第３の実施の形態の増幅器の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。各実施の形態は例示であり、異なる実施の形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２の実施の形態以降では第１の実施の形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施の形態毎には逐次言及しない。
【００１０】
＜第１の実施の形態＞
（構成）
図１は、第１の実施の形態のドハティ増幅回路の構成を示す図である。ドハティ増幅回路１は、入力端子１ａに入力される高周波信号ＲＦｉｎを増幅して、高周波信号ＲＦｏｕｔを出力端子１ｂから出力する。
（【００１１】以降は省略されています）

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