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公開番号2024050042
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-10
出願番号2022156616
出願日2022-09-29
発明の名称電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20240403BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】抵抗値の温度依存性を改善した電子部品を提供すること。
【解決手段】
すくなくとも2つの内部電極層と、内部電極層の間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有する電子部品である。Ni酸化物粒子が、内部電極層と誘電体層との境界に存在する。誘電体層は、第1境界および第2境界で、隣接する内部電極層と接している。また、誘電体層は、第1境界に存在するNi酸化物粒子と接し、かつ、第2境界で内部電極層と接する第1誘電体大粒子と、第1境界で内部電極層と接し、かつ、第2境界に存在するNi酸化物粒子と接する第2誘電体大粒子と、を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
すくなくとも２つの内部電極層と、前記内部電極層の間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
Ｎｉ酸化物粒子が、前記内部電極層と前記誘電体層との境界に存在しており、
前記誘電体層は、
第１境界および第２境界で、隣接する前記内部電極層と接しており、
前記第１境界に存在する前記Ｎｉ酸化物粒子と接し、かつ、前記第２境界で前記内部電極層と接する第１誘電体大粒子と、前記第１境界で前記内部電極層と接し、かつ、前記第２境界に存在する前記Ｎｉ酸化物粒子と接する第２誘電体大粒子と、を含む電子部品。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記Ｎｉ酸化物粒子は、前記内部電極層を介して隣接する２つの前記誘電体層の両方と接する第１Ｎｉ酸化物粒子を含む請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記素体に含まれる前記内部電極層および前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
それぞれの前記内部電極層は、前記素体の一断面において、平均２個以上の前記Ｎｉ酸化物粒子と接している請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記素体に含まれる前記内部電極層および前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
単位長さあたりの前記内部電極層と接する前記Ｎｉ酸化物粒子の平均個数が、０．００２個／μｍ以上である請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記素体に含まれる前記内部電極層および前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
前記誘電体層は、前記第１境界の前記Ｎｉ酸化物粒子および前記第２境界の前記Ｎｉ酸化物粒子の両方と接する第３誘電体大粒子を含んでいてもよく、
単位長さあたりの前記誘電体層に含まれる前記第３誘電体大粒子の平均個数が、０以上、０．０００３個／μｍ以下である請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項６】
すくなくとも２つの内部電極層と、前記内部電極層の間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
ｐ型半導体粒子が、前記内部電極層と前記誘電体層との境界に存在しており、
前記誘電体層は、
第１境界および第２境界で、隣接する前記内部電極層と接しており、
前記第１境界に存在する前記ｐ型半導体粒子と接し、かつ、前記第２境界で前記内部電極層と接する第１誘電体大粒子と、前記第１境界で前記内部電極層と接し、かつ、前記第２境界に存在する前記ｐ型半導体粒子と接する第２誘電体大粒子と、を含む電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、誘電体層および内部電極層を有する電子部品に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
誘電体層および内部電極層を有するセラミックコンデンサは、様々な電子回路や電源回路などで広く利用されている。このセラミックコンデンサでは、温度変化によって静電容量などの特性が変動せずに、安定していることが求められている。たとえば、特許文献１では、コアシェル構造の誘電体粒子を含む誘電体層を積層した積層セラミックコンデンサを開示しており、当該積層セラミックコンデンサでは、温度による静電容量の変動を抑制できる旨が開示されている。
【０００３】
温度によって変動する特性は、静電容量だけでなく、温度が高くなると抵抗値も低下する傾向となる。そのため、温度による抵抗値の変動を抑制することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－３０５８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示における例示的な実施形態の目的は、抵抗値の温度依存性を改善した電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本開示の第１の観点に係る電子部品は、
すくなくとも２つの内部電極層と、前記内部電極層の間に積層してある誘電体層と、を含む素体を有し、
Ｎｉ酸化物粒子が、前記内部電極層と前記誘電体層との境界に存在しており、
前記誘電体層は、
第１境界および第２境界で、隣接する前記内部電極層と接しており、
前記第１境界に存在する前記Ｎｉ酸化物粒子と接し、かつ、前記第２境界で前記内部電極層と接する第１誘電体大粒子と、前記第１境界で前記内部電極層と接し、かつ、前記第２境界に存在する前記Ｎｉ酸化物粒子と接する第２誘電体大粒子と、を含む。
【０００７】
第１の観点に係る電子部品が上記の特徴を有することで、温度による抵抗値の変動を抑制することができる。たとえば、２０℃における電子部品の抵抗値をＲ
20
とし、８５℃における電子部品の抵抗値をＲ
85
として、Ｒ
20
／Ｒ
85
を２．０以下に抑制することができる。
【０００８】
好ましくは、前記Ｎｉ酸化物粒子は、前記内部電極層を介して隣接する２つの前記誘電体層の両方と接する第１Ｎｉ酸化物粒子を含む。
【０００９】
前記素体に含まれる前記内部電極層および前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
好ましくは、それぞれの前記内部電極層は、前記素体の一断面において、平均２個以上の前記Ｎｉ酸化物粒子と接している。
【００１０】
前記素体に含まれる前記内部電極層および前記誘電体層が、それぞれ複数であり、
好ましくは、単位長さあたりの前記内部電極層と接する前記Ｎｉ酸化物粒子の平均個数が、０．００２個／μｍ以上である。
（【００１１】以降は省略されています）

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