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公開番号2024046332
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2022151651
出願日2022-09-22
発明の名称保護回路及び半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 21/822 20060101AFI20240327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】動作信頼性を向上させる。
【解決手段】実施形態に係る保護回路は、第1乃至第3電源線と、第1抵抗と、第1キャパシタと、第1トランジスタと、第1乃至第3インバータとを含む。第1抵抗は、第1電源線と第1ノードとの間に接続される。第1キャパシタは、第1ノードと第3電源線との間に接続される。第1トランジスタは、第2電源線と第3電源線との間に接続される。第1インバータは、第2電源線に接続された第1電源端と、第3電源線に接続された第2電源端と、第1ノードに接続された入力端と、を有する。第2インバータは、第2電源線に接続された第1電源端と、第3電源線に接続された第2電源端と、第1インバータの出力端に接続された入力端と、を有する。第3インバータは、第2電源線に接続された第1電源端と、第3電源線に接続された第2電源端と、第2インバータの出力端に接続された入力端と、第1トランジスタのゲートに接続された出力端と、を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１電源線と、
第２電源線と、
第３電源線と、
前記第１電源線と第１ノードとの間に接続された第１抵抗と、
前記第１ノードと前記第３電源線との間に接続された第１キャパシタと、
前記第２電源線と前記第３電源線との間に接続された第１トランジスタと、
前記第２電源線に接続された第１電源端と、前記第３電源線に接続された第２電源端と、前記第１ノードに接続された入力端と、を有する第１インバータと、
前記第２電源線に接続された第１電源端と、前記第３電源線に接続された第２電源端と、前記第１インバータの出力端に接続された入力端と、を有する第２インバータと、
前記第２電源線に接続された第１電源端と、前記第３電源線に接続された第２電源端と、前記第２インバータの出力端に接続された入力端と、前記第１トランジスタのゲートに接続された出力端と、を有する第３インバータと
を備える、保護回路。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記第１電源線には、第１電圧が印加され、
前記第２電源線には、前記第１電圧よりも低い第２電圧が印加され、
前記第３電源線には、前記第１電圧及び前記第２電圧のいずれよりも低い第３電圧が印加される、
請求項１に記載の保護回路。
【請求項３】
前記第１電源線と前記第３電源線との間に接続された第２トランジスタと、
前記第１電源線に接続された第１電源端と、前記第３電源線に接続された第２電源端と、前記第１ノードに接続された入力端と、を有する第４インバータと、
前記第１電源線に接続された第１電源端と、前記第３電源線に接続された第２電源端と、前記第４インバータの出力端に接続された入力端と、を有する第５インバータと、
前記第１電源線に接続された第１電源端と、前記第３電源線に接続された第２電源端と、前記第５インバータの出力端に接続された入力端と、前記第２トランジスタのゲートに接続された出力端と、を有する第６インバータと
をさらに備える、請求項１に記載の保護回路。
【請求項４】
前記第１インバータに含まれるトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、前記第２インバータに含まれるトランジスタのゲート酸化膜の厚さよりも厚い、請求項１に記載の保護回路。
【請求項５】
前記第１インバータに含まれるトランジスタのゲート長は、前記第２インバータに含まれるトランジスタのゲート長よりも長い、請求項１に記載の保護回路。
【請求項６】
アノードが前記第２電源線に接続され、カソードが前記第１電源線に接続されたダイオードをさらに備える、請求項１に記載の保護回路。
【請求項７】
請求項２に記載の保護回路と、
前記第１電源線と前記第２電源線とに接続され、前記第２電源線に前記第２電圧を出力するレギュレータ回路と
を備える、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、保護回路及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ＥＳＤ（Electro Static Discharge）に対する保護回路が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－２０７４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
動作信頼性を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る保護回路は、第１電源線と、第２電源線と、第３電源線と、第１抵抗と、第１キャパシタと、第１トランジスタと、第１インバータと、第２インバータと、第３インバータとを含む。第１抵抗は、第１電源線と第１ノードとの間に接続される。第１キャパシタは、第１ノードと第３電源線との間に接続される。第１トランジスタは、第２電源線と第３電源線との間に接続される。第１インバータは、第２電源線に接続された第１電源端と、第３電源線に接続された第２電源端と、第１ノードに接続された入力端と、を有する。第２インバータは、第２電源線に接続された第１電源端と、第３電源線に接続された第２電源端と、第１インバータの出力端に接続された入力端と、を有する。第３インバータは、第２電源線に接続された第１電源端と、第３電源線に接続された第２電源端と、第２インバータの出力端に接続された入力端と、第１トランジスタのゲートに接続された出力端と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る保護回路を含む半導体装置の構成例を説明するための回路図。
実施形態に係る保護回路を含む半導体装置のデバイス試験における動作を説明するための回路図。
実施形態に係る保護回路のデバイス試験における動作を説明するためのテーブル。
実施形態に係る保護回路を含む半導体装置のシステム試験における動作を説明するための回路図。
実施形態に係る保護回路のシステム試験における動作を説明するためのテーブル。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態につき図面を参照して説明する。説明に際し、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。また、以下に示す実施形態は、技術的思想を例示するものである。実施形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。実施形態は、種々の変更を加えることができる。
【０００８】
［実施形態］
実施形態に係る保護回路について説明する。
【０００９】
［１］構成
［１－１］半導体装置１の全体構成
図１は、実施形態に係る保護回路１０を含む半導体装置１の構成例を説明するための回路図である。半導体装置１は、外部から供給された電力を用いて、種々の動作を行う装置である。半導体装置１は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）チップである。
【００１０】
半導体装置１は、電源線ＰＬ１、ＰＬ２、及びＰＬ３と、端子Ｔ１、Ｔ２、及びＴ３と、保護回路１０と、レギュレータ回路１１と、機能回路１２とを含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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