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公開番号2024046326
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2022151644
出願日2022-09-22
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 23/48 20060101AFI20240327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極とを具備し、前記ゲート電極は、封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部とを含む。前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂の一部との間に挟まれる部分を有する。
【選択図】 図7
特許請求の範囲【請求項1】
チップと、
前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極と
を具備し、
前記ゲート電極は、
封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、
前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部と
を含み、
前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂の一部との間に挟まれる部分を有する、
半導体装置。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部から、当該外部露出部の外部露出面に平行な一方向へ突出した構造を有する、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記封止樹脂の一部と接する面の高さが、前記外部露出部の外部露出面の高さから、一定以上離れている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部と同一部材で一体として形成されている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記チップ上に設けられる第1電極パッドに接続される第1電極をさらに具備し、
前記第1電極は、
前記封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部を含む、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記チップは、第1面に、前記第1電極を接続する領域および前記ゲート電極を接続する領域を有するとともに、前記第1面の裏側にある第2面に、第2電極を接続する領域を有する、
請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
ソース電極パッドを有するチップと、
前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極と、
前記ソース電極パッドと接続する第1面と、前記第1面の反対側の面が露出する第2面とを有するソース電極と、
前記チップの第2面上に設けられ、前記チップの前記第1面側にドレイン電極端子を有する導電部材と、
を具備し、
前記ゲート電極は、
封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、
前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部と
を含み、
前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂との間に位置する、
半導体装置。
【請求項8】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部から、当該外部露出部の外部露出面に平行な一方向へ突出した構造を有する、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記ゲート電極パッド接続部は、
前記外部露出部と同一部材で一体として形成されている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項10】
当該半導体装置は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止された半導体装置である、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)【背景技術】
【0002】
半導体装置には、チップおよび各種の電極が搭載される。チップ上には、各種の電極が接続される領域が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特許第6967627号公報
特許第5637156号公報
特許第5892250号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップ上に設けられるゲート電極パッドに接続されるゲート電極とを具備し、前記ゲート電極は、封止樹脂の外部露出面と面一になる外部露出面を有する外部露出部と、前記外部露出部と繋がっており前記ゲート電極パッドと接続するゲート電極パッド接続部とを含む。前記ゲート電極パッド接続部は、前記ゲート電極パッドと前記封止樹脂の一部との間に挟まれる部分を有する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。
図1に示される半導体装置をZ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。
図3は、図2中に示されるA-A断面部における断面形状を示す断面図である。
図4は、図2中に示されるB-B断面部における断面形状を示す断面図である。
図5は、図2中に示されるC-C断面部における断面形状を示す断面図である。
図6は、図1に示されるゲート電極3の周辺を拡大して示す拡大図である。
図7は、ゲート電極3のゲート電極パッド接続部3Bに封止樹脂Rからの力Fが加わる様子を示す概念図である。
図8Aは、ゲート電極3の第1の配置例を示す概念図である。
図8Bは、ゲート電極3の第2の配置例を示す概念図である。
図8Cは、ゲート電極3の第3の配置例を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。
【0008】
(半導体装置の構成)
本実施形態に係る半導体装置の構成について、図1乃至図5を用いて説明する。
【0009】
図1は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。図1中のX,Y,Yは、当該半導体装置の三次元空間上の位置関係を示すものであり、後述する各図においても使用する。但し、図1に示される構造の例は一例であって、この例に限定されるものではない。各部の配置関係、形状・大きさ等は、適宜、変更してもよい。
【0010】
本実施形態で例示する半導体装置は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止される半導体装置である。図1では、主要部を見やすくするため、ソース電極を上向きにした状態(すなわち、半導体装置を逆さにした状態)を示している。
(【0011】以降は省略されています)

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