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公開番号2024046599
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2023120085
出願日2023-07-24
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 23/48 20060101AFI20240327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップの第1面に配置されるドレイン電極と、前記チップの前記第1面の裏側にある第2面に配置され、装置底面に表面を有するソース電極と、前記装置底面に表面を有するゲート電極と、前記ゲート電極における第1領域と前記チップの前記第2面における第2領域とを接続するワイヤとを具備する。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
チップと、
前記チップの第１面に配置されるドレイン電極と、
前記チップの前記第１面の裏側にある第２面に配置され、装置底面に表面を有するソース電極と、
前記装置底面に表面を有するゲート電極と、
前記ゲート電極における第１領域と前記チップの前記第２面における第２領域とを接続するワイヤと
を具備する、半導体装置。
続きを表示（約 800 文字）【請求項２】
前記ゲート電極と前記ドレイン電極とは、１つのフレームを切り離すことで形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ドレイン電極は、前記チップの前記第２面側に平板状部分を有し、
前記ゲート電極は、前記ドレイン電極の前記平板状部分と同じ高さの平板状部分を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極は、当該ゲート電極の平板状部分に、前記ワイヤが接続される前記第１領域を備えている、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、はんだで前記チップに接合されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、加圧焼結材で前記チップに接合されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
チップと、
前記チップの第１面に配置されるドレイン電極と、
前記チップの前記第１面の裏側にある第２面に配置され、前記第２面と接続する接続部と前記接続部とは反対面が露出する外部露出部とを有するソース電極と、
板状の金属部材を折り曲げた形状を有するゲート電極と、
前記ゲート電極における第１領域と前記チップの前記第２面における第２領域とを接続するワイヤと
を具備する、半導体装置。
【請求項８】
前記ソース電極の外部露出部は、前記チップの前記第２面に垂直な方向からみたときに、前記チップの前記第２面と重なる領域を有する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止される、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、チップおよび各種の電極が搭載される。チップ上には、各種の電極が接続される領域が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１０７６３７号公報
特許第５８６８０４３号公報
特許第６８０５７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップの第１面に配置されるドレイン電極と、前記チップの前記第１面の裏側にある第２面に配置され、装置底面に表面を有するソース電極と、前記装置底面に表面を有するゲート電極と、前記ゲート電極における第１領域と前記チップの前記第２面における第２領域とを接続するワイヤとを具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。
図２は、図１に示される半導体装置をＺ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。
図３は、半導体装置の製造プロセスの概要を説明するための図である。
図４は、半導体装置の製造プロセス（前半）の具体例を説明するための図である。
図５は、半導体装置の製造プロセス（後半）の具体例を説明するための図である。
図６は、図４中の工程Ｓ４で図示されている矢視Ａ－Ａにおける部分の形状を示す図である。
図７は、図５中の工程Ｓ６で図示されている矢視Ｂ－Ｂにおける部分の形状を示す図である。
図８は、図１に示される半導体装置の変形例を示す斜視図である。
図９は、図８に示される半導体装置の変形例をＺ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。
【０００８】
（半導体装置の構成）
本実施形態に係る半導体装置の構成について、図１及び図２を用いて説明する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。また、図２は、図１に示される半導体装置をＺ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。各図中のＸ，Ｙ，Ｚは、当該半導体装置の三次元空間上の位置関係を示すものである。但し、図１及び図２に示される構造の例は一例であって、この例に限定されるものではない。各部の配置関係、形状・大きさ等は、適宜、変更してもよい。
【００１０】
本実施形態で例示する半導体装置は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止される半導体装置である。図１では、主要部を見やすくするため、ソース電極を上向きにした状態（すなわち、半導体装置を逆さにした状態）を示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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