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公開番号2024046599
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2023120085
出願日2023-07-24
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 23/48 20060101AFI20240327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】 チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップの第1面に配置されるドレイン電極と、前記チップの前記第1面の裏側にある第2面に配置され、装置底面に表面を有するソース電極と、前記装置底面に表面を有するゲート電極と、前記ゲート電極における第1領域と前記チップの前記第2面における第2領域とを接続するワイヤとを具備する。
【選択図】 図7
特許請求の範囲【請求項1】
チップと、
前記チップの第1面に配置されるドレイン電極と、
前記チップの前記第1面の裏側にある第2面に配置され、装置底面に表面を有するソース電極と、
前記装置底面に表面を有するゲート電極と、
前記ゲート電極における第1領域と前記チップの前記第2面における第2領域とを接続するワイヤと
を具備する、半導体装置。
続きを表示(約 800 文字)【請求項2】
前記ゲート電極と前記ドレイン電極とは、1つのフレームを切り離すことで形成されている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記ドレイン電極は、前記チップの前記第2面側に平板状部分を有し、
前記ゲート電極は、前記ドレイン電極の前記平板状部分と同じ高さの平板状部分を有する、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記ゲート電極は、当該ゲート電極の平板状部分に、前記ワイヤが接続される前記第1領域を備えている、
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、はんだで前記チップに接合されている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、加圧焼結材で前記チップに接合されている、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項7】
チップと、
前記チップの第1面に配置されるドレイン電極と、
前記チップの前記第1面の裏側にある第2面に配置され、前記第2面と接続する接続部と前記接続部とは反対面が露出する外部露出部とを有するソース電極と、
板状の金属部材を折り曲げた形状を有するゲート電極と、
前記ゲート電極における第1領域と前記チップの前記第2面における第2領域とを接続するワイヤと
を具備する、半導体装置。
【請求項8】
前記ソース電極の外部露出部は、前記チップの前記第2面に垂直な方向からみたときに、前記チップの前記第2面と重なる領域を有する、請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止される、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)【背景技術】
【0002】
半導体装置には、チップおよび各種の電極が搭載される。チップ上には、各種の電極が接続される領域が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2020-107637号公報
特許第5868043号公報
特許第6805768号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
チップ上のアクティブエリアを広くすることを可能にする半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、チップと、前記チップの第1面に配置されるドレイン電極と、前記チップの前記第1面の裏側にある第2面に配置され、装置底面に表面を有するソース電極と、前記装置底面に表面を有するゲート電極と、前記ゲート電極における第1領域と前記チップの前記第2面における第2領域とを接続するワイヤとを具備する。
【図面の簡単な説明】
【0006】
図1は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。
図2は、図1に示される半導体装置をZ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。
図3は、半導体装置の製造プロセスの概要を説明するための図である。
図4は、半導体装置の製造プロセス(前半)の具体例を説明するための図である。
図5は、半導体装置の製造プロセス(後半)の具体例を説明するための図である。
図6は、図4中の工程S4で図示されている矢視A-Aにおける部分の形状を示す図である。
図7は、図5中の工程S6で図示されている矢視B-Bにおける部分の形状を示す図である。
図8は、図1に示される半導体装置の変形例を示す斜視図である。
図9は、図8に示される半導体装置の変形例をZ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。
【0008】
(半導体装置の構成)
本実施形態に係る半導体装置の構成について、図1及び図2を用いて説明する。
【0009】
図1は、本実施形態に係る半導体装置の一部の構造の例を示す斜視図である。また、図2は、図1に示される半導体装置をZ方向に見たときの構造の例を示す平面図である。各図中のX,Y,Zは、当該半導体装置の三次元空間上の位置関係を示すものである。但し、図1及び図2に示される構造の例は一例であって、この例に限定されるものではない。各部の配置関係、形状・大きさ等は、適宜、変更してもよい。
【0010】
本実施形態で例示する半導体装置は、ソース電極が底面にあるソースダウン構造のパッケージに封止される半導体装置である。図1では、主要部を見やすくするため、ソース電極を上向きにした状態(すなわち、半導体装置を逆さにした状態)を示している。
(【0011】以降は省略されています)

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