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公開番号2024043127
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-29
出願番号2022148132
出願日2022-09-16
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 23/48 20060101AFI20240322BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】使い勝手のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1において、半導体チップ11は、第1リードフレーム10と接し、第1ゲート電極111及び第1ソース電極112を有する。第1ソース端子17は、第1方向の側で第1リードフレーム10と並ぶ。第1ゲート端子15は、第1方向と交わる第2方向の側で第1ソース端子と並ぶ。コネクタ14は、第1ソース電極と導電体を介して接するとともに第1ソース端子17とを介して接する。第2リードフレーム20は、第1方向の側に位置する。半導体チップ21は、第2リードフレーム20と接し、第2ゲート電極211及び第2ソース電極212を有する。第2ゲート端子25は、第2方向の側で第1ゲート端子15と並ぶ。第2ソース端子27は、第2方向の側で第2ゲート端子25と並ぶ。コネクタ24は、第2ソース電極と導電体を介して接するとともに第2ソース端子27と導電体を介して接する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
第1リードフレームと、
前記第1リードフレームと接し、第1トランジスタを含み、前記第1リードフレームと反対側の面において第1ゲート電極及び第1ソース電極を有し、前記第1ゲート電極は前記第1トランジスタのゲートと接続されており、前記第1ソース電極は前記第1トランジスタのソースと接続されている第1半導体チップと、
第1方向の側で前記第1リードフレームと並ぶ第1ソース端子と、
前記第1方向と交わる第2方向の側で前記第1ソース端子と並び、前記第1ゲート電極と電気的に接続された第1ゲート端子と、
前記第1ソース電極と導電体を介して接するとともに前記第1ソース端子と導電体を介して接する第1導電体と、
前記第1方向の側に位置する第2リードフレームと、
前記第2リードフレームと接し、第2トランジスタを含み、前記第2リードフレームと反対側の面において第2ゲート電極及び第2ソース電極を有し、前記第2ゲート電極は前記第2トランジスタのゲートと接続されており、前記第2ソース電極は前記第2トランジスタのソースと接続されている第2半導体チップと、
前記第2方向の側で前記第1ゲート端子と並び、前記第2ゲート電極と電気的に接続された第2ゲート端子と、
前記第2方向の側で前記第2ゲート端子と並ぶ第2ソース端子と、
前記第2ソース電極と導電体を介して接するとともに前記第2ソース端子と導電体を介して接する第2導電体と、
を備える半導体装置。
続きを表示(約 1,600 文字)【請求項2】
前記第1ソース電極は、第1部分と、前記第1部分と接続されている第2部分と、を含み、
前記第1部分は、前記第1方向と反対の第3方向の側で前記第1ゲート電極と並び、
前記第2部分は、前記第2方向と反対の第4方向の側で前記第1ゲート電極と並び、
前記第2ソース電極は、第3部分と、前記第3部分と接続されている第4部分と、を含み、
前記第3部分は、前記第3方向の側で前記第2ゲート電極と並び、
前記第4部分は、前記第2方向の側で前記第2ゲート電極と並ぶ、
請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1半導体チップは、第1辺と、前記第1辺より前記第2方向の側に位置する第2辺と、前記第1ソース端子と面する第3辺とを有し、
前記第1ゲート電極は、前記第2辺及び前記第3辺と面し、
前記第2半導体チップは、第4辺と、前記第4辺より前記第2方向の側に位置する第5辺と、前記第2ソース端子と面する第6辺とを有し、
前記第2ゲート電極は、前記第4辺及び前記第6辺と面する、
請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1半導体チップは、前記第1トランジスタの前記ソースと接続された第1アノードと、前記第1トランジスタのドレインと接続された第1カソードと、を有する第1ダイオードをさらに含み、
前記第2半導体チップは、前記第2トランジスタの前記ソースと接続された第2アノードと、前記第2トランジスタのドレインと接続された第2カソードと、を有する第2ダイオードをさらに含む、
請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1リードフレームは、第5部分と、第6部分と、を含み、
前記第6部分は、前記第2方向の側で前記第5部分と接続されており、前記第2リードフレームと並び、前記第5部分より前記第1リードフレームから前記第1半導体チップに向かう第5方向の側に位置している、
請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1半導体チップの形状、前記第1ゲート電極の形状及び前記第1半導体チップにおける位置、並びに前記第1ソース電極の形状及び前記第1半導体チップにおける位置は、それぞれ、前記第2半導体チップの形状、前記第2ゲート電極の形状及び前記第2半導体チップにおける位置、並びに前記第2ソース電極の形状及び前記第2半導体チップにおける位置と同じである、
請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1リードフレームと、前記第1半導体チップと、前記第1ソース端子と、前記第1ゲート端子と、前記第1導電体と、前記第2リードフレームと、前記第2半導体チップと、前記第2ゲート端子と、前記第2ソース端子と、前記第2導電体と、の各々の全体又は一部を覆う樹脂をさらに備え、
前記第1リードフレーム及び前記第2リードフレームの各々は、前記樹脂から前記第3方向の側で部分的に露出しており、
前記第1ソース端子、前記第1ゲート端子、前記第2ゲート端子、及び前記第2ソース端子の各々は、前記樹脂から前記第1方向の側で部分的に露出している、
請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1ソース端子は、第7部分と、前記第7部分より前記第5方向の側に位置する第8部分と、を含み、
前記第1導電体は、第9部分と、第10部分と、前記第9部分及び前記第10部分より前記第5方向の側に位置する第11部分と、を含み、
前記第2ソース端子は、第12部分と、前記第12部分より前記第5方向の側に位置する第13部分と、を含み、
前記第2導電体は、第14部分と、第15部分と、前記第14部分及び前記第15部分より前記第5方向の側に位置する第16部分と、を含む、
請求項7に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 2,300 文字)【背景技術】
【0002】
半導体チップ、リードフレーム、並びに半導体チップ及びリードフレームを封止する樹脂を含んだ半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2010-258366号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
使い勝手のよい半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態による半導体装置は、第1リードフレームと、第1半導体チップと、第1ソース端子と、第1ゲート端子と、第1導電体と、第2リードフレームと、第2半導体と、第2ゲート端子と、第2ソース端子と、第2導電体と、を含む。
【0006】
上記第1半導体チップは、上記第1リードフレームと接し、第1トランジスタを含み、上記第1リードフレームと反対側の面において第1ゲート電極及び第1ソース電極を有し、上記第1ゲート電極は上記第1トランジスタのゲートと接続されており、上記第1ソース電極は上記第1トランジスタのソースと接続されている。上記第1ソース端子は、第1方向の側で上記第1リードフレームと並ぶ。上記第1ゲート端子は、上記第1方向と交わる第2方向の側で上記第1ソース端子と並び、上記第1ゲート電極と電気的に接続されている。上記第1導電体は、上記第1ソース電極と導電体を介して接するとともに上記第1ソース端子と導電体を介して接する。上記第2リードフレームは、上記第1方向の側に位置する。上記第2半導体チップは、上記第2リードフレームと接し、第2トランジスタを含み、上記第2リードフレームと反対側の面において第2ゲート電極及び第2ソース電極を有し、上記第2ゲート電極は上記第2トランジスタのゲートと接続されており、上記第2ソース電極は上記第2トランジスタのソースと接続されている。上記第2ゲート端子は、上記第2方向の側で上記第1ゲート端子と並び、上記第2ゲート電極と電気的に接続されている。上記第2ソース端子は、上記第2方向の側で上記第2ゲート端子と並ぶ。上記第2導電体は、上記第2ソース電極と導電体を介して接するとともに上記第2ソース端子と導電体を介して接する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
第1実施形態の半導体装置の構造をxy面に沿って示す図。
第1実施形態の半導体装置の構造をxy面に沿って示す図。
第1実施形態の半導体装置のリードフレームのxy面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置の一部のxz面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置の接続端子のxy面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置のコネクタのxy面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置の一部のxz面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置のコネクタのxy面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置の一部のxz面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の半導体装置により実現される回路を示す図。
第1実施形態の半導体装置の或る適用の例における回路を示す図。
第1実施形態の半導体装置が適用される装置の一部の構造をxy面に沿って示す。
正常状態での第1実施形態の半導体装置を流れる電流を示す図。
異常状態での第1実施形態の半導体装置を流れる電流を示す図。
第1実施形態の第1変形例の半導体装置の構造をxy面に沿って示す図。
第1実施形態の第1変形例の半導体装置のコネクタのxy面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の第1変形例の半導体装置の一部のxz面に沿った構造を示す図。
第1実施形態の第1変形例の半導体装置により実現される回路を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に実施形態が図面を参照して記述される。図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なり得る。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。
【0009】
以下、xyz直交座標系が用いられて、実施形態が記述される。図の縦軸のプラス方向は上側、マイナス方向は下側と称される場合があり、図の横軸のプラス方向は右側、マイナス方向は左側と称される場合がある。すなわち、xy面に沿った面を示す図において、上側は+y方向を指し、下側は-y方向を指し、右側は+x方向を指し、左側は-x方向を指す。xz面に沿った面を示す図において、上側は+z方向を指し、下側は-z方向を指し、右側は+x方向を指し、左側は-x方向を指す。
【0010】
1.第1実施形態
図1及び図2は、第1実施形態の半導体装置1の構造をxy面に沿って示す。図1及び図2は、半導体装置1が、上面視で、すなわち、+z方向側から観察された様子を示す。図1は、半導体装置1の外観を実によって示すとともに、半導体装置1の内部に位置している構成要素を破線によって示す。図2は、第1実施形態の半導体装置1の内部に位置している構成要素を実線で示すとともに、外観を一点鎖線によって示す。図2を含む断面図以外の図において、図の視認性の向上の目的で、構成要素にハッチングが付されている場合がある。ハッチングは、ハッチングを付されている構成要素の材料を特定しない。
(【0011】以降は省略されています)

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