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公開番号2024002153
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-01-11
出願番号2022101183
出願日2022-06-23
発明の名称配線回路基板
出願人日東電工株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 1/05 20060101AFI20231228BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】第1金属薄膜を簡便に形成でき、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる配線回路基板を提供する。
【解決手段】配線回路基板1は、金属支持基板2、第1金属薄膜3、絶縁層4、第2金属薄膜5及び導体層6と、を備える。第1金属薄膜3は、厚み方向金属支持基板2の一方面に配置される。絶縁層4は、厚み方向第1金属薄膜3の一方面に配置され、厚み方向に貫通する貫通孔41を有する。第2金属薄膜6は、厚み方向絶縁層4の一方面に配置される。導体層5は、第2金属薄膜5の一方面に配置される。貫通孔41内において、第1金属薄膜3及び第2金属薄膜5は、金属支持基板2と導体層6との間に配置され、金属支持基板2の一方面に第1金属薄膜3の他方面が接触し、第1金属薄膜3の一方面に第2金属薄膜5の他方面が接触する。第2金属薄膜5の一方面に導体層6の他方面が接触する。少なくとも第1金属薄膜3は、クロムを含む合金である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
金属支持基板と、
厚み方向における前記金属支持基板の一方面に配置される第１金属薄膜と、
厚み方向における前記第１金属薄膜の一方面に配置される絶縁層であって、厚み方向を貫通する貫通孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層の一方面に配置される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜の一方面に配置される導体層とを備え、
前記貫通孔内において、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜は、前記金属支持基板と前記導体層との間に配置され、前記金属支持基板の一方面に前記第１金属薄膜の他方面が接触し、前記第１金属薄膜の一方面に前記第２金属薄膜の他方面が接触し、前記第２金属薄膜の一方面に前記導体層の他方面が接触し、
少なくとも前記第１金属薄膜の材料は、クロムを含む合金である、配線回路基板。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記合金における前記クロムの含有割合は、５０質量％以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記合金は、さらに、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含有する、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第２金属薄膜の材料は、クロムを含む第２合金である、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第２合金における前記クロムの含有割合は、５０質量％以下である、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記合金は、さらに、ニッケル、チタン、タングステンおよびモリブデンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含有する、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記合金と、前記第２合金とは、同一組成である、請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記第１金属薄膜は、
第１金属層と、
厚み方向における前記第１金属層の一方面に配置される第１酸化層と
を備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項９】
前記金属支持基板は、
金属支持層と、
厚み方向における前記金属支持層の一方面に配置される表面金属層であって、前記金属支持層より導電率が高い表面金属層と
を備える、請求項１または請求項２に記載の配線回路基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
金属支持基板と、第１金属薄膜と、絶縁層と、第２金属薄膜と、グランド層とを備える配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の配線回路基板では、第１金属薄膜は、金属支持基板の上面に配置されている。絶縁層は、第１金属薄膜の上面に配置されている。第１金属薄膜および絶縁層は、それらを厚み方向に貫通する開口部を共通して有する。なお、第１金属薄膜の開口部は、絶縁層の開口部から露出する第１金属薄膜の除去により形成される。
【０００４】
第２金属薄膜およびグランド層は、上記した開口部内に配置されており、開口部内では、第２金属薄膜を介して金属支持基板と電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０２２－３０６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の配線回路基板の第１金属薄膜の形成において、絶縁層の開口部から露出する部分の除去が必要となる。そのため、第１金属薄膜の形成は、手間がかかる。
【０００７】
そこで、第１金属薄膜を簡便に形成するために、上記した部分を除去せずに、開口部内に残すことが試みられる。
【０００８】
上記の試みでは、第１金属薄膜を形成した後に、絶縁層をフォトリソグラフィーで形成する際に、第１金属薄膜は、露光後の絶縁層とともに加熱される。すると、絶縁層の開口部から露出する第１金属薄膜は、大気に暴露されて、酸化される。第１金属薄膜が、クロム単体であれば、上記した酸化によって、第１金属薄膜の抵抗が顕著に増大する。すると、グランド層と金属支持基板との間の抵抗を低くできないという不具合がある。
【０００９】
本発明は、第１金属薄膜を簡便に形成できながら、導体層と金属支持基板との間に第１金属薄膜および第２金属薄膜が介在しても、導体層と金属支持基板との間の抵抗を低くできる配線回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明［１］は、金属支持基板と、厚み方向における前記金属支持基板の一方面に配置される第１金属薄膜と、厚み方向における前記第１金属薄膜の一方面に配置される絶縁層であって、厚み方向を貫通する貫通孔を有する絶縁層と、前記絶縁層の一方面に配置される第２金属薄膜と、前記第２金属薄膜の一方面に配置される導体層とを備え、前記貫通孔内において、前記第１金属薄膜および前記第２金属薄膜は、前記金属支持基板と前記導体層との間に配置され、前記金属支持基板の一方面に前記第１金属薄膜の他方面が接触し、前記第１金属薄膜の一方面に前記第２金属薄膜の他方面が接触し、前記第２金属薄膜の一方面に前記導体層の他方面が接触し、少なくとも前記第１金属薄膜の材料は、クロムを含む合金である、配線回路基板を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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