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公開番号2023078910
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-06-07
出願番号2021192238
出願日2021-11-26
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20230531BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ウエーハにクラックを発生させずに、面取り部を除去すると共にウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げることができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハ2に対して吸収性を有する波長のレーザー光線LBをデバイス領域8と外周余剰領域10との境界からウエーハ2の外周に至る領域にウエーハ2の表面2a側から照射してウエーハ2の仕上がり厚さに対応する深さまで外周余剰領域10を除去する除去工程と、ウエーハ2の表面2aに保護部材を配設する保護部材配設工程と、保護部材側をチャックテーブルに保持し仕上がり厚さに至るまでウエーハ2の裏面2bを研削する裏面研削工程とを含む。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をデバイス領域と外周余剰領域との境界からウエーハの外周に至る領域にウエーハの表面側から照射してウエーハの仕上がり厚さに対応する深さまで外周余剰領域を除去する除去工程と、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持し仕上がり厚さに至るまでウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、
を含むウエーハの加工方法。
続きを表示（約 170 文字）【請求項２】
該除去工程において、該境界からウエーハの外周に至る領域にレーザー光線を照射する際、レーザー光線の集光点に円運動を与える請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
ウエーハは、シリコン基板の上面に窒化ガリウム層または炭化ケイ素層が積層された２層構造である請求項１記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて仕上がり厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
ウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの外周余剰領域に形成された面取り部にナイフエッジが形成され、そのナイフエッジからデバイス領域に亀裂が入り、ウエーハが損傷するおそれがある。そこで、ウエーハの裏面を研削する前に、面取り部を切削ブレードで除去する技術が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０００－１７３９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウエーハを構成する半導体基板と、その基板とは異なる素材の半導体層が半導体基板の表面に積層された構造のウエーハにおいては、切削ブレードでウエーハの面取り部を除去すると、クラックが発生しデバイス領域が損傷するという問題がある。
【０００６】
また、ウエーハの表面にパシベーション膜、Low-k膜等が積層された一般的なウエーハにおいても前記した問題が起こり得る。
【０００７】
本発明の課題は、ウエーハにクラックを発生させずに、面取り部を除去すると共にウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げることができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、上記課題を解決する以下のウエーハの加工方法が提供される。すなわち、
「複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウエーハの裏面を研削するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をデバイス領域と外周余剰領域との境界からウエーハの外周に至る領域にウエーハの表面側から照射してウエーハの仕上がり厚さに対応する深さまで外周余剰領域を除去する除去工程と、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持し仕上がり厚さに至るまでウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、
を含むウエーハの加工方法」が提供される。
【０００９】
好ましくは、該除去工程において、該境界からウエーハの外周に至る領域にレーザー光線を照射する際、レーザー光線の集光点に円運動を与える。ウエーハは、シリコン基板の上面に窒化ガリウム層または炭化ケイ素層が積層された２層構造であるのが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウエーハの加工方法においては、
ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をデバイス領域と外周余剰領域との境界からウエーハの外周に至る領域にウエーハの表面側から照射してウエーハの仕上がり厚さに対応する深さまで外周余剰領域を除去する除去工程と、
ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
保護部材側をチャックテーブルに保持し仕上がり厚さに至るまでウエーハの裏面を研削する裏面研削工程と、
を含むので、ウエーハにクラックを発生させずに、面取り部を除去すると共にウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げることができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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