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公開番号2025153824
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024056478
出願日2024-03-29
発明の名称積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人,個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高い寿命特性を備えつつ、十分なバイアス特性を備えた積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ100は、第1軸に沿って積層された複数の誘電体層11と、第1軸に沿って隣接する誘電体層の間にそれぞれ配置された複数の内部電極12a、12b層と、誘電体層と、内部電極層との間に配置された中間領域40と、を有する素体10を備える。誘電体層は、一般式ABO_3-α(0≦α≦1)で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物および添加元素を含有し、内部電極層は、主成分としての卑金属元素および銅を含有し、中間領域は、前記添加元素および銅を含有しいいる。前記添加元素は、ホルミウム、イットリウム、サマリウム、ジスプロシウム、ユーロピウム、ガドリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウムおよびイッテルビウムから選択された1種類以上を含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
第１軸に沿って積層された複数の誘電体層と、
前記第１軸に沿って隣接する前記誘電体層の間にそれぞれ配置された複数の内部電極層と、
前記誘電体層と、前記内部電極層との間に配置された中間領域と、を有し、
前記誘電体層は、一般式ＡＢＯ
３－α
（０≦α≦１）で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物、および添加元素を含有し、
前記内部電極層は、主成分としての卑金属元素および銅を含有し、
前記中間領域は、前記添加元素および銅を含有しており、
前記添加元素は、ホルミウム、イットリウム、サマリウム、ジスプロシウム、ユーロピウム、ガドリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムから選択された１種類以上を含む、積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
３次元原子プローブ分析した場合に、前記中間領域における前記添加元素の含有量の原子数割合の平均値が０．１３ａｔ％以上０．６７ａｔ％以下、銅の含有量の原子数割合の平均値が０．３２ａｔ％以上３．１５ａｔ％以下である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記内部電極層は、ニッケルを含有する、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記誘電体層は、前記ペロブスカイト型構造を有する化合物としてチタン酸バリウムを含有する、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
一般式ＡＢＯ
３－α
（０≦α≦１）で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物、および添加元素を含有する誘電体グリーンシートを形成する誘電体グリーンシート形成工程と、
前記誘電体グリーンシート表面に、主成分としての卑金属元素および銅を含有する内部電極層パターンを形成し、セラミックグリーンシートを作製する、内部電極層形成工程と、
前記セラミックグリーンシートを積層した積層体を焼成する焼成工程と、を有し、
前記添加元素は、ホルミウム、イットリウム、サマリウム、ジスプロシウム、ユーロピウム、ガドリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムから選択された１種類以上を含み、
前記焼成工程において、６００℃から焼成温度までの間、３００００℃／ｈ以上の昇温速度で昇温し、前記焼成温度での保持時間を１０秒以下とする、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記焼成温度が、１０００℃以上１４００℃以下である、請求項５に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品は、誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された構造を有している。積層セラミック電子部品としては、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｃｅｒａｍｉｃｃａｐａｃｉｔｏｒ）等が挙げられる。
【０００３】
積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品について、搭載する携帯電話等の電子機器の多機能化・高性能化等に伴い、小型化や、大容量化等のさらなる性能向上や、信頼性の向上が要求されている。係る要求に応えるため、例えば誘電体層等に各種元素や、化合物を添加することが試みられている。
【０００４】
例えば特許文献１には、主成分として組成式Ｂａ
（１－ｘ）
Ｃａ
ｘ
ＴｉＯ
３
（ｘは０．０５以上０．１以下である）で表されるチタン酸バリウムカルシウムを含み、副成分としてＹの酸化物、およびＹｂの酸化物を含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００５】
特許文献１に開示された誘電体磁器組成物によれば、絶縁抵抗が高く、静電容量の温度特性（容量温度特性）について、ＥＩＡ規格のＸ９Ｒ特性、すなわち－５５℃から１７５℃までの容量変化率が±１５％以内との特性を満足することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１７－１１４７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、積層セラミック電子部品において小型化や大容量化等のために誘電体層の薄層化が求められているが、誘電体層の薄層化は誘電体層に印加される電界強度の増加を伴う。このため、誘電体層を薄層化すると、誘電体層に電圧を印加した場合に誘電体層が破損し易くなり、積層セラミック電子部品の寿命が短くなる傾向がある。
【０００８】
積層セラミック電子部品の寿命を確保するため、誘電体層の材料に添加元素等を添加することが検討されてきた。しかしながら、誘電体層の材料に添加元素を添加し、かつその添加量を多くすると、バイアス特性が低下するという問題があった。
【０００９】
本開示は、高い寿命特性を備えつつ、十分なバイアス特性を備えた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の積層セラミック電子部品は、第１軸に沿って積層された複数の誘電体層と、
前記第１軸に沿って隣接する前記誘電体層の間にそれぞれ配置された複数の内部電極層と、
前記誘電体層と、前記内部電極層との間に配置された中間領域と、を有し、
前記誘電体層は、一般式ＡＢＯ
３－α
（０≦α≦１）で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物、および添加元素を含有し、
前記内部電極層は、主成分としての卑金属元素および銅を含有し、
前記中間領域は、前記添加元素および銅を含有しており、
前記添加元素は、ホルミウム、イットリウム、サマリウム、ジスプロシウム、ユーロピウム、ガドリウム、テルビウム、エルビウム、ツリウム、およびイッテルビウムから選択された１種類以上を含む。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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