特許ウォッチ

公開番号2025153793
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024056429
出願日2024-03-29
発明の名称積層セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人,個人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】内部電極層の連続率に優れた積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品100は、積層方向に積層された誘電体層11と、積層方向に沿って隣接する誘電体層の間に配置された内部電極(第1内部電極層12a及び第2内部電極12b)と、誘電体層と内部電極層との間に配置された中間領域40とを有し、誘電体層は、一般式ABO_3-α(0≦α≦1)で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物及びマンガンを含有し、内部電極層は、主成分としての卑金属元素及び銅を含有し、中間領域は、マンガン及び銅を含有し、中間領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値は、第2境界から2nm以上5nm以下離れた誘電体層の領域である第1基準領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値より大である。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
第１軸に沿って積層された複数の誘電体層と、
前記第１軸に沿って隣接する前記誘電体層の間にそれぞれ配置された複数の内部電極層と、
前記誘電体層と、前記内部電極層との間に配置された中間領域と、を有し、
前記誘電体層は、一般式ＡＢＯ
３－α
（０≦α≦１）で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物、およびマンガンを含有し、
前記内部電極層は、主成分としての卑金属元素および銅を含有し、
前記中間領域は、マンガンおよび銅を含有し、
３次元原子プローブ分析した場合に、前記内部電極層と前記中間領域との境界である第１境界を、酸素の含有量の原子数割合が５ａt％の位置とし、
前記誘電体層と前記中間領域との境界である第２境界を、酸素の含有量の原子数割合と前記主成分としての卑金属元素の含有量の原子数割合が等しい位置としたとき、
前記中間領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値は、前記第２境界から２ｎｍ以上５ｎｍ以下離れた前記誘電体層の領域である第１基準領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値より大である、積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
３次元原子プローブ分析した場合に、前記中間領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値は、前記第１基準領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値の１．５倍以上である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
３次元原子プローブ分析した場合に、前記中間領域における銅の含有量の原子数割合の平均値は、前記第１境界から２ｎｍ以上５ｎｍ以下離れた前記内部電極層の領域である第２基準領域における銅の含有量の原子数割合の平均値より大である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
３次元原子プローブ分析した場合に、前記中間領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値が０．１５ａｔ％以上０．４０ａｔ％以下、銅の含有量の原子数割合の平均値が０．３２ａｔ％以上３．１５ａｔ％以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記内部電極層の連続率が７５％以上である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記内部電極層は、ニッケルを含有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記誘電体層は、前記ペロブスカイト型構造を有する化合物としてチタン酸バリウムを含有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、積層セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品は、誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された構造を有している。積層セラミック電子部品としては、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｃｅｒａｍｉｃｃａｐａｃｉｔｏｒ）等が挙げられる。
【０００３】
積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品について、搭載する携帯電話等の電子機器の多機能化・高性能化等に伴い、小型化や、大容量化等が要求されている。係る要求に応えるため、積層セラミック電子部品は、誘電体層や、内部電極層について薄層化することや、積層数を増加することが求められている。このため、積層セラミック電子部品について、誘電体層や内部電極層を薄層化等した場合に所望の特性が得られるように従来から検討がなされている。
【０００４】
例えば特許文献１には、主成分がＢａＴｉＯ
３
系である誘電体セラミックであって、副成分としてＬｉを含む誘電体セラミックや、該誘電体セラミックからなる誘電体セラミック層を有する積層セラミックコンデンサが開示されている。
【０００５】
特許文献１に開示された誘電体セラミックによれば、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するために用いたとき、誘電体セラミック層の厚みが１μｍ未満という薄層化が進められても、良好な寿命特性を与えることができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１０－０５２９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、内部電極層の材料と、誘電体層の材料とで融点に差があり、通常、内部電極層の材料の方が早く緻密化する傾向がある。このため、誘電体層になる誘電体グリーンシートと、内部電極層になる金属ペーストとが所定の形状になるように、交互に配置された積層体を焼成した場合に、内部電極層の連続率が低下し、所望の設計要領が得られない恐れがあった。そして、内部電極層等を薄層化した場合に、上記傾向がより顕著になる恐れがあった。
【０００８】
本開示は、内部電極層の連続率に優れた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の積層セラミック電子部品は、
第１軸に沿って積層された複数の誘電体層と、
前記第１軸に沿って隣接する前記誘電体層の間にそれぞれ配置された複数の内部電極層と、
前記誘電体層と、前記内部電極層との間に配置された中間領域と、を有し、
前記誘電体層は、一般式ＡＢＯ
３－α
（０≦α≦１）で表され、ペロブスカイト型構造を有する化合物、およびマンガンを含有し、
前記内部電極層は、主成分としての卑金属元素および銅を含有し、
前記中間領域は、マンガンおよび銅を含有し、
３次元原子プローブ分析した場合に、
前記内部電極層と前記中間領域との境界である第１境界を、酸素の含有量の原子数割合が５ａt％の位置とし、
前記誘電体層と前記中間領域との境界である第２境界を、酸素の含有量の原子数割合と前記主成分としての卑金属元素の含有量の原子数割合が等しい位置としたとき、
前記中間領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値は、前記第２境界から２ｎｍ以上５ｎｍ以下離れた前記誘電体層の領域である第１基準領域におけるマンガンの含有量の原子数割合の平均値より大である、積層セラミック電子部品。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、内部電極層の連続率に優れた積層セラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許