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公開番号2025151749
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-09
出願番号2024053319
出願日2024-03-28
発明の名称セラミック部品
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人個人,個人
主分類C04B 35/56 20060101AFI20251002BHJP(セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物)
要約【課題】アルミナと炭化タングステンとを含有するセラミック部品の高環境下での特性をさらに向上させる。
【解決手段】セラミック部品は、アルミナ(Al₂O₃)と炭化タングステン(WC)とを含有する。このセラミック部品において、アルミナの結晶粒子と炭化タングステンの結晶粒子との結晶粒界に、ジルコニウム(Zr)によって形成された原子層が存在する。このセラミック部品の任意の一断面におけるポアの比率は、0.3%以下となっている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）と炭化タングステン（ＷＣ）とを含有するセラミック部品であって、
前記アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）の結晶粒子と、前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子との結晶粒界に、ジルコニウム（Ｚｒ）によって形成された原子層が存在し、
前記セラミック部品の任意の一断面におけるポアの比率が、０．３％以下となっている、
セラミック部品。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
前記原子層は、前記結晶粒界において、前記アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）の結晶粒子および前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子の少なくとも何れかの配列周期に沿って形成されている、
請求項１に記載のセラミック部品。
【請求項３】
前記原子層は、前記結晶粒界において、前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子の（１００）面の配列周期に沿って形成されている、
請求項２に記載のセラミック部品。
【請求項４】
前記原子層は、前記結晶粒界において、前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子の（１００）面の一配列分の厚みで形成されている、
請求項３に記載のセラミック部品。
【請求項５】
１４００℃以上の高温環境下で使用されるものである、
請求項１から４の何れか１項に記載のセラミック部品。
【請求項６】
ガスタービン用部材、人工衛星用噴射ノズル、レンズ用金型、航空機エンジン部材およびシール材のうちの何れかに使用される、
請求項１から４の何れか１項に記載のセラミック部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック部品に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）を主成分とするセラミック部品の特性の改善を目的として、アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）の他に炭化タングステン（ＷＣ）を含有させる技術が開示されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）と、炭化タングステン（ＷＣ）と、を含有するセラミック部品であって；周期表の４～６族に属する遷移金属、イットリウム（Ｙ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びランタノイドから選択される少なくとも１つの元素によって形成された原子層が、アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）結晶粒子と炭化タングステン（ＷＣ）結晶粒子との結晶粒界に存在することを特徴とするセラミック部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６４９１３６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）と炭化タングステン（ＷＣ）とを含有するセラミック部品の特性の改善のために、様々な手法が提案されている。
【０００６】
本発明の一局面では、アルミナと炭化タングステンとを含有するセラミック部品の高環境下での特性をさらに向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１]
本発明の一局面にかかるセラミック部品は、アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）と炭化タングステン（ＷＣ）とを含有するセラミック部品であって、前記アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）の結晶粒子と、前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子との結晶粒界に、ジルコニウム（Ｚｒ）によって形成された原子層が存在し、前記セラミック部品の任意の一断面におけるポアの比率が、０．３％以下となっている。
【０００８】
［２］
［１］に記載の本発明の一局面にかかるセラミック部品において、前記原子層は、前記結晶粒界において、前記アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
）の結晶粒子および前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子の少なくとも何れかの配列周期に沿って形成されていてもよい。
【０００９】
［３］
［２］に記載の本発明の一局面にかかるセラミック部品において、前記原子層は、前記結晶粒界において、前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子の（１００）面の配列周期に沿って形成されていてもよい。
【００１０】
［４］
［３］に記載の本発明の一局面にかかるセラミック部品において、前記原子層は、前記結晶粒界において、前記炭化タングステン（ＷＣ）の結晶粒子の（１００）面の一配列分の厚みで形成されていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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