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公開番号
2025123626
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-25
出願番号
2024019172
出願日
2024-02-13
発明の名称
光半導体素子、および光半導体素子の製造方法
出願人
古河電気工業株式会社
代理人
弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類
H01S
5/028 20060101AFI20250818BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】例えば、被覆膜がより剥がれにくくなるような、新規な改善された光半導体素子、および当該光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体素子は、例えば、第二方向および当該第二方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する端面と、第一方向および当該第一方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する外側面と、を有した積層体と、端面の一つである第一端面を覆う被覆膜と、外側面の一つである第一外側面を覆う金属層と、を備え、積層体には、第一端面と第一外側面との間の境界で当該第一端面および当該第一外側面に対して凹み第二方向および第一方向と交差した第三方向に延びた第一凹部が設けられ、被覆膜は、第一端面から基板または複数の半導体層の一部によって形成された第一凹部の内側面まで延びるとともに、当該第一端面と第一凹部の内側面とに接する。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
基板と当該基板上に第一方向に積層された複数の半導体層とを有し、内部に前記第一方向と交差した第二方向に延びたコアと当該コアに対して少なくとも前記第一方向および当該第一方向の反対方向に隣接したクラッドとが設けられ、前記第二方向および当該第二方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する端面と、前記第一方向および当該第一方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する外側面と、を有した積層体と、
前記端面の一つである第一端面を覆う被覆膜と、
前記外側面の一つである第一外側面を覆う金属層と、
を備え、
前記積層体には、前記第一端面と前記第一外側面との間の境界で当該第一端面および当該第一外側面に対して凹み前記第二方向および前記第一方向と交差した第三方向に延びた第一凹部が設けられ、
前記被覆膜は、前記第一端面から前記基板または前記複数の半導体層の一部によって形成された前記第一凹部の内側面まで延びるとともに、当該第一端面と前記第一凹部の内側面とに接した、光半導体素子。
続きを表示(約 1,600 文字)
【請求項2】
前記第一凹部には、前記第三方向に延びた谷部が形成され、
前記第一凹部の内側面は、前記第一端面と前記谷部との間の第一内側面と、前記第一外側面と前記谷部との間の第二内側面と、を有し、
前記被覆膜は、前記第一端面から前記内側面に沿って略前記谷部まで延びた、請求項1に記載の光半導体素子。
【請求項3】
前記金属層が、前記第一凹部の前記第一外側面との間の縁から当該第一凹部を部分的に覆うように前記第二方向または前記第二方向の反対方向に張り出した、請求項1または2に記載の光半導体素子。
【請求項4】
前記谷部における前記第一内側面と前記第二内側面との間の角度が略直角である、請求項2に記載の光半導体素子。
【請求項5】
前記谷部における前記第一内側面と前記第二内側面との間の角度が鋭角である、請求項2に記載の光半導体素子。
【請求項6】
前記第二内側面が、前記第一外側面から前記第一内側面に近付くにつれて、当該第一端面から遠ざかるように延びた、請求項2に記載の光半導体素子。
【請求項7】
前記被覆膜は、前記端面から前記第一内側面に沿って前記谷部を越え前記第二内側面に沿って延びるとともに、当該端面と当該第一内側面と当該第二内側面とに接した、請求項2に記載の光半導体素子。
【請求項8】
前記積層体には、前記第一端面と前記第一外側面とは反対側の前記側面である第二外側面との間の境界で当該第一端面および当該第二外側面に対して凹み前記第三方向に延びた第二凹部が設けられ、
前記被覆膜は、前記第一端面から前記基板または前記複数の半導体層の一部によって形成された前記第二凹部の内側面まで延びるとともに、当該第一端面と前記第二凹部の内側面とに接した、請求項1に記載の光半導体素子。
【請求項9】
基板と当該基板上に第一方向に積層された複数の半導体層とを有し、内部に前記第一方向と交差した第二方向に延びたコアと当該コアに対して少なくとも前記第一方向および当該第一方向の反対方向に隣接したクラッドとが設けられ、前記第二方向および当該第二方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する端面と、前記第一方向および当該第一方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する外側面と、を有した積層体と、
前記端面の一つである第一端面を覆う被覆膜と、
前記外側面の一つである第一外側面を覆う金属層と、
を備え、
前記積層体には、前記第一端面と前記第一外側面との間の境界で当該第一端面および当該第一外側面に対して凹み前記第二方向および前記第一方向と交差した第三方向に延びた第一凹部が設けられ、
前記被覆膜は、前記第一端面から前記基板または前記複数の半導体層の一部によって形成された前記第一凹部の内側面まで延びるとともに、当該第一端面と前記第一凹部の内側面とに接した、光半導体素子の、製造方法であって、
前記積層体を形成する工程と、
前記積層体に前記第一凹部を形成する工程と、
前記金属層を形成する工程と、
前記被覆膜を形成する工程と、
を有した、光半導体素子の製造方法。
【請求項10】
前記積層体に前記第一凹部を形成する工程を、前記金属層を形成する工程の後に行い、
前記金属層を形成する工程において、前記第一外側面のうち前記第一凹部を形成する領域が露出するように当該金属層を形成し、
前記積層体に前記第一凹部を形成する工程において、前記金属層をエッチングマスクとして前記積層体をエッチングすることにより、前記第一凹部を形成する、請求項9に記載の光半導体素子の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、光半導体素子、および光半導体素子の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、発光側およびその反対側の端面を被覆膜としての反射性保護膜で覆った光半導体素子が知られている(例えば、特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開平10-125994号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1の光半導体素子では、被覆膜の端部が金属で作られた電極と接している。誘電体膜のような被覆膜は金属に対する付着力が比較的弱い場合がある。この場合に、製造時や検査時等において、当該被覆膜の端部近傍に外力が作用すると、当該端部から被覆膜が剥がれる虞があった。
【0005】
そこで、本発明の課題の一つは、例えば、被覆膜がより剥がれにくくなるような、新規な改善された光半導体素子、および当該光半導体素子の製造方法を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の光半導体素子は、例えば、基板と当該基板上に第一方向に積層された複数の半導体層とを有し、内部に前記第一方向と交差した第二方向に延びたコアと当該コアに対して少なくとも前記第一方向および当該第一方向の反対方向に隣接したクラッドとが設けられ、前記第二方向および当該第二方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する端面と、前記第一方向および当該第一方向の反対方向の端部のそれぞれに位置する外側面と、を有した積層体と、前記端面の一つである第一端面を覆う被覆膜と、前記外側面の一つである第一外側面を覆う金属層と、を備え、前記積層体には、前記第一端面と前記第一外側面との間の境界で当該第一端面および当該第一外側面に対して凹み前記第二方向および前記第一方向と交差した第三方向に延びた第一凹部が設けられ、前記被覆膜は、前記第一端面から前記基板または前記複数の半導体層の一部によって形成された前記第一凹部の内側面まで延びるとともに、当該第一端面と前記第一凹部の内側面とに接する。
【0007】
前記光半導体素子において、前記第一凹部には、前記第三方向に延びた谷部が形成され、前記第一凹部の内側面は、前記第一端面と前記谷部との間の第一内側面と、前記第一外側面と前記谷部との間の第二内側面と、を有し、前記被覆膜は、前記第一端面から前記内側面に沿って略前記谷部まで延びてもよい。
【0008】
前記光半導体素子では、前記金属層が、前記第一凹部の前記第一外側面との間の縁から当該第一凹部を部分的に覆うように前記第二方向または前記第二方向の反対方向に張り出してもよい。
【0009】
前記光半導体素子では、前記谷部における前記第一内側面と前記第二内側面との間の角度が略直角であってもよい。
【0010】
前記光半導体素子では、前記谷部における前記第一内側面と前記第二内側面との間の角度が鋭角であってもよい。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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