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公開番号2025122445
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-21
出願番号2024017932
出願日2024-02-08
発明の名称気相成長装置
出願人大陽日酸株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 21/205 20060101AFI20250814BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板保持部による成膜の均一性への影響を抑制することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】原料ガスGを案内するガス通路12と、ガス通路12に対して基板13を支持するサセプタ14とを備える気相成長装置10であって、原料ガスGは、基板13の表面13aに沿った方向に案内され、サセプタ14は、ガス通路12に向けて、基板13の表面13a上に突出する基板保持部15を有し、基板保持部15は、基板13の表面13aに対して、非垂直面のみからなる形状である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
原料ガスを案内するガス通路と、前記ガス通路に対して基板を支持するサセプタとを備える気相成長装置であって、
前記原料ガスは、前記基板の表面に沿った方向に案内され、
前記サセプタは、前記ガス通路に向けて、前記基板の表面上に突出する基板保持部を有し、
前記基板保持部は、前記基板の表面に対して、非垂直面のみからなる形状である、気相成長装置。
続きを表示（約 260 文字）【請求項２】
前記サセプタは、前記基板の表面に垂直な回転中心軸の周りで回転することにより、前記基板を回転させることが可能である、請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記非垂直面は、前記基板の表面に平行な面または前記基板の表面に対して傾斜した面である、請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
前記基板保持部は角錐状である、請求項１または２に記載の気相成長装置。
【請求項５】
前記基板保持部は球面状である、請求項１または２に記載の気相成長装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
化合物半導体薄膜を形成する気相成長装置では、基板上で原料ガスを加熱・反応させることにより、窒化ガリウム等の化合物半導体薄膜が成膜される。薄膜が成膜される基板面は、当該基板面上で成長する薄膜の均一性、再現性を得るため、原料ガスが均一に流れるように配置される。気相成長によって得られる半導体は、電気特性や歩留まり抑制が求められる。
【０００３】
原料ガスの反応によって生成する反応生成物の付着や異物の混入は、薄膜の性能に影響を与えることから、反応生成物の異物の影響を極力受けない構造や手段が求められる。反応生成物や異物の影響を抑える手段としては、基板の表面を鉛直方向の下向きに配置するなど、様々な基板保持方法が用いられている（例えば、特許文献１～２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開昭６１－１５０３２２号公報
特開２００６－３４４７５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板を保持する基板保持部と基板が接触する領域またはその周辺は、基板保持部の影響を受けない領域に比べ、原料ガスの乱れが発生しやすい。このため、基板を保持する基板保持部には、成膜の均一性に影響を与える課題があった。
【０００６】
上記事情に鑑み、本発明は、基板保持部による成膜の均一性への影響を抑制することができる気相成長装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、原料ガスを案内するガス通路と、前記ガス通路に対して基板を支持するサセプタとを備える気相成長装置であって、前記原料ガスは、前記基板の表面に沿った方向に案内され、前記サセプタは、前記ガス通路に向けて、前記基板の表面上に突出する基板保持部を有し、前記基板保持部は、前記基板の表面に対して、非垂直面のみからなる形状である、気相成長装置である。
【０００８】
本発明の一態様は、前記サセプタは、前記基板の表面に垂直な回転中心軸の周りで回転することにより、前記基板を回転させることが可能である。
本発明の一態様は、前記非垂直面は、前記基板の表面に平行な面または前記基板の表面に対して傾斜した面である。
本発明の一態様は、前記基板保持部は角錐状である。
本発明の一態様は、前記基板保持部は球面状である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板保持部による成膜の均一性への影響を抑制することができる気相成長装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本実施形態の気相成長装置の一例を示す縦断面図である。
本実施形態の気相成長装置の一例を示す斜視図である。
（ａ）～（ｃ）は、基板面に垂直な面における解析結果を示す説明図である。
（ａ）～（ｃ）は、基板の中心と基板保持部の位置とを結ぶ方向がガスの流れ方向に沿っている場合において基板面に平行な面における解析結果を示す説明図である。
（ａ）～（ｃ）は、基板の中心と基板保持部の位置とを結ぶ方向がガスの流れ方向から傾斜している場合において基板面に平行な面における解析結果を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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