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公開番号2025100645
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2025063864,2024019258
出願日2025-04-08,2012-05-10
発明の名称発光装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250626BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】しきい値補正ができ、回路構成の簡単なアクティブマトリクス型表示装置を提供
する。
【解決手段】図1に示す回路において、図3に示すタイミングチャートにしたがって第1
ゲート信号線101と第2ゲート信号線102にパルスを入力し、回路のトランジスタの
オンオフをおこなう。その結果、第3のノードN3と第2のノードN2の電位差が第4ト
ランジスタ112のしきい値によらず、データ線103の電位V_Dataと第2配線10
5の電位V₂によってのみ決定されるため、表示素子107に目的とする電流を流すこと
ができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
映像データが供給される第１の配線と、
前記第１の配線と交差する第１のゲート信号線と、
前記第１の配線と交差する第２のゲート信号線と、
前記第１の配線と交差する第２の配線と、
発光素子と、
前記映像データに応じて、前記第２の配線から前記発光素子に流れる電流を制御する機能を有する第１のトランジスタと、を画素に有し、
前記第２の配線としての機能を有する第１の導電膜と、前記第１のゲート信号線としての機能を有する第２の導電膜と、前記第２のゲート信号線としての機能を有する第３の導電膜とは、それぞれ第１の絶縁膜の上面に接する領域を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜とは異なる第２の絶縁膜の上面に接する領域を有し、かつ、平面視において前記第２の導電膜及び前記第３の導電膜との重なりを有さず、
前記第１の配線としての機能を有する第５の導電膜は、前記第１の絶縁膜とは異なる第３の絶縁膜の上面に接する領域を有し、
発光装置。
続きを表示（約 440 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記第２の配線、前記第１のゲート信号線及び前記第２のゲート信号線は、同じ方向に沿って延伸した領域を有する、
発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
第２のトランジスタを前記画素に有し、
前記第１のゲート信号線は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第６の導電膜は、前記第２の絶縁膜の上面に接する領域を有する、
発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
第３のトランジスタを前記画素に有し、
前記第２のゲート信号線は、前記第３のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲート電極としての機能を有する第７の導電膜は、前記第２の絶縁膜の上面に接する領域を有する、
発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関する。特に、ダイオード特性を有する表
示素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置に関する。ダイオード特性を有する表示
素子とは、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ダイオードや発光ダイオード
等が含まれるが、これらに限られず、電圧―電流特性において、ダイオード特性あるいは
ダイオード特性に近い特性を示し、それに伴って、発光量、透過率、反射率、色調、彩度
等の変化が生じ、光学特性が変化するものをいう。以下では、単に表示素子ともいう。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
ダイオード特性を有する電気光学素子の代表例として、有機ＥＬ素子がある。そして、有
機ＥＬ素子を基板上にマトリクス状に形成し、それぞれをトランジスタで制御して、映像
を表示するアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置が知られている。
【０００３】
アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置に用いられるトランジスタには、限られた温度
範囲で大面積に形成する必要から、半導体層にアモルファスシリコンやポリシリコン、酸
化物半導体等が用いられる（例えば、特許文献１乃至特許文献３参照）。
【０００４】
このような半導体材料を用いたトランジスタは一般にしきい値のばらつきが大きい。有機
ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子に流れる電流値により発光の程度を制御し、階調を得て
いる。アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子に流れる電流値をト
ランジスタで制御するが、電流値はトランジスタのしきい値にも依存するため、トランジ
スタのしきい値がばらつくと、有機ＥＬ素子に流れる電流値もばらつき、表示も不均一と
なる。
【０００５】
そのようなしきい値のばらつきによる表示不良を抑制するために、複数のトランジスタを
用いて、しきい値補正する技術が知られている（特許文献２および特許文献３参照）。特
許文献２および特許文献３には、Ｎチャネル型トランジスタのみ、Ｐチャネル型トランジ
スタのみ、あるいはＮチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタの組み合わせ
で、しきい値補正回路を構成する例が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
米国特許第７６７４６５０号明細書
米国特許第６２２９５０６号明細書
米国特許第７４２９９８５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、利用できる半導体材料によっては、実用的なＰチャネル型トランジスタが得ら
れないものがある。逆に、Ｎチャネル型トランジスタが得られないものもある。また、表
示素子の作製方法や構造上の問題から、トランジスタが表示素子の正極に接続することが
求められることがある。逆にトランジスタが表示素子の負極に接続することが求められる
ことがある。
【０００８】
例えば、Ｎチャネル型のトランジスタしか利用できず、かつ、トランジスタは表示素子の
正極に接続することが求められる場合には、特許文献２に記載されている方法は採用でき
ない。このような場合には、例えば、特許文献３の図３９に記載されているような回路を
用いることが必要であった。
【０００９】
特許文献３に開示されている回路を図２に示す。図２は１つのドット（表示装置を構成す
る最小単位で、通常は複数種の原色のドットから１つの画素が構成される）に必要な回路
である。第１ゲート信号線２０１、第２ゲート信号線２０２、第３ゲート信号線２０３、
第４ゲート信号線２０４、第５ゲート信号線２０５、データ線２０６、第１配線２０７、
第２配線２０８、第３配線２０９（これは素子上に形成される）という９つの配線に加え
て、発光素子２１０、キャパシタ２１１、第１トランジスタ２１２、第２トランジスタ２
１３、第３トランジスタ２１４、第４トランジスタ２１５、第５トランジスタ２１６、第
６トランジスタ２１７、第７トランジスタ２１８という７つのトランジスタを用いるドッ
トである。
【００１０】
いうまでもなく、配線数や素子数の増加は製造歩留まりを低下させるため好ましくない。
本発明の一態様は、より簡略化した回路構成を提案することを課題の一とする。また、本
発明の一態様は、上記の回路の駆動方法を提案することを課題の一とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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