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公開番号2025087072
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023201454
出願日2023-11-29
発明の名称発光装置、電子機器、および発光装置の製造方法
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H10H 20/813 20250101AFI20250603BHJP()
要約【課題】第1画素電極と第2画素電極との間の距離を小さくすることができる発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、複数の柱状部と、前記複数の柱状部と重なるように設けられた第1導電型の第1半導体層と、前記複数の柱状部のうちの複数の第1柱状部と、前記基板と、の間に設けられた第1画素電極と、前記複数の柱状部のうちの複数の第2柱状部と、前記基板と、の間に設けられ、前記第1画素電極と離隔された第2画素電極と、前記第1半導体層の前記基板とは反対側に設けられた共通電極と、を含み、前記複数の柱状部の各々は、前記第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた前記第1導電型の第3半導体層と、前記第2半導体層と前記第3半導体層との間に設けられた量子井戸層と、を有する、発光装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
複数の柱状部と、
前記複数の柱状部と重なるように設けられた第１導電型の第１半導体層と、
前記複数の柱状部のうちの複数の第１柱状部と、前記基板と、の間に設けられた第１画素電極と、
前記複数の柱状部のうちの複数の第２柱状部と、前記基板と、の間に設けられ、前記第１画素電極と離隔された第２画素電極と、
前記第１半導体層の前記基板とは反対側に設けられた共通電極と、
を含み、
前記複数の柱状部の各々は、
前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた前記第１導電型の第３半導体層と、
前記第２半導体層と前記第３半導体層との間に設けられた量子井戸層と、
を有する、発光装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記共通電極は、平面視において、前記第１画素電極および前記第２画素電極と重ならない、発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記共通電極は、平面視において、
前記第１画素電極および前記第２画素電極を囲む枠部と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられた延在部と、
を有する、発光装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１半導体層の前記基板とは反対側に設けられ、平面視において、前記第１画素電極と重なる第１光学素子と、
前記第１半導体層の前記基板とは反対側に設けられ、平面視において、前記第２画素電極と重なる第２光学素子と、
を含む、発光装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記第１画素電極および前記第２画素電極の材質は、金属である、発光装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記複数の柱状部のうちの第３柱状部は、平面視において、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に設けられている、発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載された発光装置を含む、電子機器。
【請求項８】
第１基板に第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、
前記第１半導体層に複数の柱状部を形成する工程と、
前記複数の柱状部のうちの複数の第１柱状部にわたって第１画素電極を形成し、前記複数の柱状部のうちの複数の第２柱状部にわたって第２画素電極を形成する工程と、
前記第１基板、前記第１半導体層、前記複数の柱状部、前記第１画素電極、および前記第２画素電極を有する構造体を、前記第１画素電極および前記第２画素電極側を第２基板
に向けて、前記第２基板に接合する工程と、
前記第１基板を除去して前記第１半導体層を露出させる工程と、
前記第１半導体層に共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記複数の柱状部を形成する工程では、
前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１導電型の第３半導体層と、前記第２半導体層と前記第３半導体層との間に設けられた量子井戸層と、を有する前記複数の柱状部を形成する、発光装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、電子機器、および発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子は、表示装置などの光源に適用される。
【０００３】
例えば、特許文献１には、マイクロ発光素子をアレイ状に配置した画像表示素子において、マイクロ発光素子は、励起光を発生する励起光発光素子と、励起光発光素子を取り巻く反射壁と、反射壁の内側に配置された波長変換材と、からなることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２１－８２６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような画像表示装置において、解像度を高めるためには、励起光発光素子を高密度に集積する必要がある。特許文献１に記載された画像表示装置では、隣り合う励起光発光素子の間に反射壁が設けられているため、隣り合う励起光発光素子の間の距離を小さくすることが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る発光装置の一態様は、
基板と、
複数の柱状部と、
前記複数の柱状部と重なるように設けられた第１導電型の第１半導体層と、
前記複数の柱状部のうちの複数の第１柱状部と、前記基板と、の間に設けられた第１画素電極と、
前記複数の柱状部のうちの複数の第２柱状部と、前記基板と、の間に設けられ、前記第１画素電極と離隔された第２画素電極と、
前記第１半導体層の前記基板とは反対側に設けられた共通電極と、
を含み、
前記複数の柱状部の各々は、
前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた前記第１導電型の第３半導体層と、
前記第２半導体層と前記第３半導体層との間に設けられた量子井戸層と、
を有する。
【０００７】
本発明に係る電子機器の一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
【０００８】
本発明に係る発光装置の製造方法の一態様は、
第１基板に第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、
前記第１半導体層に複数の柱状部を形成する工程と、
前記複数の柱状部のうちの複数の第１柱状部にわたって第１画素電極を形成し、前記複
数の柱状部のうちの複数の第２柱状部にわたって第２画素電極を形成する工程と、
前記第１基板、前記第１半導体層、前記複数の柱状部、前記第１画素電極、および前記第２画素電極を有する構造体を、前記第１画素電極および前記第２画素電極側を第２基板に向けて、前記第２基板に接合する工程と、
前記第１基板を除去して前記第１半導体層を露出させる工程と、
前記第１半導体層に共通電極を形成する工程と、
を含み、
前記複数の柱状部を形成する工程では、
前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１導電型の第３半導体層と、前記第２半導体層と前記第３半導体層との間に設けられた量子井戸層と、を有する前記複数の柱状部を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。
本実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するためのフローチャート。
本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
本実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。
本実施形態の第１変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す断面図。
本実施形態の第２変形例に係る発光装置を模式的に示す平面図。
本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
本実施形態に係るディスプレイを模式的に示す平面図。
本実施形態に係るディスプレイを模式的に示す断面図。
本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイを模式的に示す斜視図。
本実施形態に係るヘッドマウントディスプレイの像形成装置および導光装置を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
（【００１１】以降は省略されています）

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