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公開番号2025084996
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2025035136,2021571002
出願日2025-03-06,2020-04-30
発明の名称表示基板及びその製造方法、表示装置
出願人京東方科技集團股ふん有限公司,BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD.,成都京東方光電科技有限公司,CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD.
代理人個人,個人
主分類G09G 3/20 20060101AFI20250527BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】本開示は表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
【解決手段】該表示基板は、ベース基板と、シフトレジスタユニット、第1のクロック信号線及び第2のクロック信号線、を備える。シフトレジスタユニットは入力回路、出力回路、第1の制御回路、第2の制御回路及び電圧レギュレータ回路を備える。シフトレジスタユニットの電圧レギュレータ回路の電圧レギュレータトランジスタの第1極は、第1のソースドレイン電極層は第1の転送電極を備え、第1の転送電極は第1の部分及び第2の部分を備え、第1の部分は第1のノイズ低減トランジスタの第1極及び電圧レギュレータトランジスタの第1極に接続され、第2の部分は第1の制御回路の第1の制御トランジスタのゲートに接続されている。シフトレジスタユニットの配線はより簡潔であり、表示基板の空間利用率の向上に有利であり、それにより、表示基板の狭額縁の実現をより容易になる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
表示基板であって、
表示領域と、前記表示領域の少なくとも一側に位置する周辺領域とを有するベース基板と、
前記ベース基板の周辺領域に設置されたシフトレジスタユニット、第１のクロック信号線及び第２のクロック信号線と、を備え、
前記第１のクロック信号線及び前記第２のクロック信号線は、前記ベース基板において第１の方向に沿って延伸し、それぞれ前記シフトレジスタユニットに第１のクロック信号及び第２のクロック信号を提供するように構成され、
前記シフトレジスタユニットは、入力回路、出力回路、第１の制御回路、第２の制御回路及び電圧レギュレータ回路を備え、
前記入力回路は、前記第１のクロック信号に応答して入力信号を第１のノードに入力するように構成され、
前記第１の制御回路は、前記第１のノード及び第２のノードに接続されており、前記第１のノードのレベル及び前記第１のクロック信号に応答して前記第２のノードのレベルを制御するように構成され、
前記第２の制御回路は、前記第１のノード及び前記第２のノードに接続されており、前記第２のノードのレベル及び前記第２のクロック信号による制御で前記第１のノードのレベルを制御するように構成され、
前記電圧レギュレータ回路は、前記第１のノード及び第３のノードに接続されており、前記第３のノードのレベルを安定化するように構成され、
前記出力回路は、前記第３のノードに接続されており、前記第３のノードのレベルによる制御で出力信号を出力端に出力するように構成され、
前記第１の制御回路は第１の制御トランジスタを備え、前記第２の制御回路は第１のノイズ低減トランジスタを備え、前記電圧レギュレータ回路は電圧レギュレータトランジスタを備え、前記第１の制御トランジスタのゲート、前記第１のノイズ低減トランジスタの第１極及び前記電圧レギュレータトランジスタの第１極はいずれも前記第１のノードに接続されており、
前記第１のノイズ低減トランジスタの第１極及び前記電圧レギュレータトランジスタの第１極は、第１の転送電極を備える第１のソースドレイン電極層に位置し、
前記第１の転送電極は、前記第１の方向とは異なる第２の方向に平行に延伸する第１の部分と、前記第１の部分と一体形成されて前記第１の方向に延伸する第２の部分と、を備え、前記第１の部分の第１端は前記第１のノイズ低減トランジスタの第１極に接続されており、前記第１の部分の第２端は前記電圧レギュレータトランジスタの第１極に接続されており、前記第２の部分は同じ層にない前記第１の制御トランジスタのゲートに接続されている、表示基板。
続きを表示（約 1,900 文字）【請求項２】
前記第１の転送電極は前記第２の方向に平行に延伸する第３の部分をさらに備え、前記第３の部分は前記第２の部分に接続されており、前記第３の部分は前記第１の部分と前記第１の方向に並んで配置されており、
前記入力回路は入力トランジスタを備え、前記入力トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影と、前記第１のノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影との間に位置し、
前記入力トランジスタの第１極は前記第３の部分の端部に接続されている、請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記第１の転送電極は前記第１のノードを備える、請求項１又は２に記載の表示基板。
【請求項４】
第２の転送電極をさらに備え、前記第１の制御回路は第２の制御トランジスタをさらに備え、
前記第２の転送電極は第１の部分と、前記第２の方向に平行な第２の部分と、を備え、前記第２の転送電極の第１の部分の端部は前記第２の制御トランジスタの第１極に接続されており、前記第２の転送電極の第２の部分は前記第１の制御トランジスタの第１極に接続されており、
前記第２の転送電極は前記第２のノードを備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項５】
前記第２の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影の前記表示領域から離れる側に位置する、請求項４に記載の表示基板。
【請求項６】
前記第２の制御回路は第２のノイズ低減トランジスタをさらに備え、
前記第２のノイズ低減トランジスタの活性層及び前記第１のノイズ低減トランジスタの活性層は連続する第１の半導体層に位置し、且つ前記第１の半導体層は第１の方向に延伸し、前記第２のノイズ低減トランジスタのゲート及び前記第１のノイズ低減トランジスタのゲートは第２の方向に延伸して第１の方向に並んで配置されており、
前記表示基板は、前記第２の方向に延伸する第１の接続配線及び第２の接続配線をさらに備え、前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線は平行に配置されており、前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線はそれぞれ前記第１の転送電極と重なっており、
前記第１の接続配線の第１端は前記第２のノイズ低減トランジスタのゲートに接続されており、前記第１の接続配線の第２端は同じ層にない前記第２の転送電極の第２の部分の端部に接続されており、
前記第２の接続配線の第１端は前記第１のノイズ低減トランジスタのゲートに接続されており、前記第２の接続配線の第２端は前記第２のクロック信号線に接続されて前記第２のクロック信号を受信する、請求項４又は５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記第２のノイズ低減トランジスタの活性層及び前記第１のノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影の前記表示領域に近い側に位置する、請求項６に記載の表示基板。
【請求項８】
前記シフトレジスタユニットは、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記第１の制御トランジスタの活性層と前記第１の制御トランジスタのゲートとの間に位置し、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、前記第１の転送電極と前記第１の制御トランジスタのゲートとの間に位置し、
前記第１の制御トランジスタのゲートは前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１の転送電極の第２の部分に接続されており、及び、
前記第１の接続配線の第２端は前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第２の転送電極の第２の部分の端部に接続されている、請求項６又は７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記電圧レギュレータトランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影の前記表示領域から離れる側に位置する請求項１から８のいずれか一項に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記第１の方向と前記第２の方向との間の夾角は７０°～９０°の間にある、請求項１から９のいずれか一項に記載の表示基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の実施例は表示基板及びその製造方法、表示装置に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、表示ディバイスは急速に発展しており、特にＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ‐ｍａｔｒｉｘｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ‐ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、アクティブマトリックス有機発光ダイオード）表示ディバイスは、その明るい色、良好な視野角、高コントラスト、高速応答速度、及び低消費電力等の利点のため注目を集めている。ＡＭＯＬＥＤ表示ディバイスは移動表示、車載表示、医療表示等の複数の表示分野において広い応用空間があり、フレキシブルＡＭＯＬＥＤ表示ディバイスは、主に変形可能な画面表示分野に適用される。技術の漸進的な発展及び表示ディバイスに対する人々のニーズの更新に伴って、画面の形状設計においてはより多くの新しい課題に直面する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本開示の少なくとも１つの実施例は表示基板を提供し、表示基板は、表示領域及び前記表示領域の少なくとも一側に位置する周辺領域を有するベース基板と、前記ベース基板の周辺領域に設置されたシフトレジスタユニット、第１のクロック信号線及び第２のクロック信号線と、を備え、前記第１のクロック信号線及び前記第２のクロック信号線は、前記ベース基板において第１の方向に沿って延伸し、それぞれ前記シフトレジスタユニットに第１のクロック信号及び第２のクロック信号を提供するように構成され、前記シフトレジスタユニットは、入力回路、出力回路、第１の制御回路、第２の制御回路及び電圧レギュレータ回路を備え、前記入力回路は、前記第１のクロック信号に応答して入力信号を第１のノードに入力するように構成され、前記第１の制御回路は、前記第１のノード及び第２のノードに接続されており、前記第１のノードのレベル及び前記第１のクロック信号に応答して前記第２のノードのレベルを制御するように構成され、前記第２の制御回路は、前記第１のノード及び前記第２のノードに接続されており、前記第２のノードのレベル及び前記第２のクロック信号による制御で、前記第１のノードのレベルを制御するように構成され、前記電圧レギュレータ回路は、前記第１のノード及び第３のノードに接続されており、前記第３のノードのレベルを安定化するように構成され、前記出力回路は、前記第３のノードに接続されており、前記第３のノードのレベルによる制御で、出力信号を出力端に出力するように構成され、前記第１の制御回路は第１の制御トランジスタを備え、前記第２の制御回路は第１のノイズ低減トランジスタを備え、前記電圧レギュレータ回路は電圧レギュレータトランジスタを備え、前記第１の制御トランジスタのゲート、前記第１のノイズ低減トランジスタの第１極及び前記電圧レギュレータトランジスタの第１極はいずれも前記第１のノードに接続されており、前記第１のノイズ低減トランジスタの第１極及び前記電圧レギュレータトランジスタの第１極は、第１の転送電極を備える第１のソースドレイン電極層に位置し、前記第１の転送電極は、前記第１の方向とは異なる第２の方向に平行に延伸する第１の部分と、前記第１の部分と一体形成されて前記第１の方向に延伸する第２の部分と、を備え、前記第１の部分の第１端は前記第１のノイズ低減トランジスタの第１極に接続されており、前記第１の部分の第２端は前記電圧レギュレータトランジスタの第１極に接続されており、前記第２の部分は同じ層にない前記第１の制御トランジスタのゲートに接続されている。
【０００４】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記第１の転送電極は前記第２の方向に平行に延伸する第３の部分をさらに備え、前記第３の部分は前記第２の部分に接続されており、前記第３の部分は前記第１の部分と前記第１の方向に並んで配置されており、前記入力回路は入力トランジスタを備え、前記入力トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影と、前記第１のノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影との間に位置し、前記入力トランジスタの第１極は前記第３の部分の端部に接続されている。
【０００５】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記第１の転送電極は前記第１のノードを備える。
【０００６】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板は、第２の転送電極をさらに備え、前記第１の制御回路は第２の制御トランジスタをさらに備え、前記第２の転送電極は第１の部分と、前記第２の方向に平行な第２の部分と、を備え、前記第２の転送電極の第１の部分の端部は前記第２の制御トランジスタの第１極に接続されており、前記第２の転送電極の第２の部分は前記第１の制御トランジスタの第１極に接続されており、前記第２の転送電極は前記第２のノードを備える。
【０００７】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記第２の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影の前記表示領域から離れる側に位置する。
【０００８】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記第２の制御回路は第２のノイズ低減トランジスタをさらに備え、前記第２のノイズ低減トランジスタの活性層及び前記第１のノイズ低減トランジスタの活性層は一つの連続する第１の半導体層に位置し、且つ前記第１の半導体層は第１の方向に沿って延伸し、前記第２のノイズ低減トランジスタのゲート及び前記第１のノイズ低減トランジスタのゲートは第２の方向に延伸して第１の方向に並んで配置されており、前記表示基板は、前記第２の方向に沿って延伸する前記第１の接続配線及び第２の接続配線をさらに備え、前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線は平行に配置されており、前記第１の接続配線及び前記第２の接続配線はそれぞれ前記第１の転送電極と重なっており、前記第１の接続配線の第１端は前記第２のノイズ低減トランジスタのゲートに接続されており、前記第１の接続配線の第２端は同じ層にない前記第２の転送電極の第２の部分の端部に接続されており、前記第２の接続配線の第１端は前記第１のノイズ低減トランジスタのゲートに接続されており、前記第２の接続配線の第２端は前記第２のクロック信号線に接続されて前記第２のクロック信号を受信する。
【０００９】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記第２のノイズ低減トランジスタの活性層及び前記第１のノイズ低減トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影は、前記第１の制御トランジスタの活性層の前記ベース基板での正投影の前記表示領域に近い側に位置する。
【００１０】
たとえば、本開示の少なくとも１つの実施例に係る表示基板では、前記シフトレジスタユニットは、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第３の絶縁層と、をさらに備え、前記第１の絶縁層は、前記第１の制御トランジスタの活性層と前記第１の制御トランジスタのゲートとの間に位置し、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層は、前記第１の転送電極と前記第１の制御トランジスタのゲートとの間に位置し、前記第１の制御トランジスタのゲートは前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１の転送電極の第２の部分に接続されており、前記第１の接続配線の第２端は前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第２の転送電極の第２の部分の端部に接続されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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