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公開番号2025076229
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-15
出願番号2023218696
出願日2023-12-25
発明の名称キャリア付き極薄銅箔及びその製造方法
出願人南亞塑膠工業股分有限公司,NAN YA PLASTICS CORPORATION
代理人弁理士法人みなとみらい特許事務所
主分類C25D 7/06 20060101AFI20250508BHJP(電気分解または電気泳動方法;そのための装置)
要約【課題】本発明は、キャリア付き極薄銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
キャリア付き極薄銅箔は、キャリア銅箔と、離型層と、極薄銅層とを備える。離型層は、キャリア銅箔の一面に形成される。離型層は、銅含有有機化合物から構成され、銅含有有機化合物の化学構造は、銅-窒素結合(Cu-N bond)を少なくとも有する。極薄銅層は、離型層のキャリア銅箔から離れた面に形成される。キャリア銅箔は、離型層を介して極薄銅層から分離可能である。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
キャリア銅箔を提供することと、
銅含有有機化合物を含む離型層を前記キャリア銅箔の一面に形成することであって、前記銅含有有機化合物の化学構造は、銅－窒素結合（Ｃｕ－Ｎｂｏｎｄ）を少なくとも有することと、
前記離型層の前記キャリア銅箔から離れた面に極薄銅層（ｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎｃｏｐｐｅｒｆｏｉｌ）を形成することと、を含み、
前記キャリア銅箔は、前記離型層を介して前記極薄銅層から剥離可能であることを特徴とする、キャリア付き極薄銅箔の製造方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
フーリエ変換赤外分光法（ＦＴＩＲ）によれば、前記離型層は、１０２０ｃｍ
－１
～１０２５ｃｍ
－１
の位置と、１０９８ｃｍ
－１
～１１０３ｃｍ
－１
の位置のそれぞれに赤外特性吸収ピークを示す、請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項３】
前記離型層を形成するための前記銅含有有機化合物は、有機銅錯体（ｏｒｇａｎｉｃｃｏｐｐｅｒｃｏｍｐｌｅｘ）である、請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項４】
前記離型層は、電解めっき液により前記キャリア銅箔に電解めっき作業によって形成され、前記電解めっき液は、（１）含窒素複素環化合物と、（２）銅含有金属塩と、（３）バッファと、を含み、
前記電解めっき液において、前記含窒素複素環化合物の濃度は０．０５ｇ／Ｌ～４０ｇ／Ｌであり、前記銅含有金属塩の濃度は５ｇ／Ｌ～１００ｇ／Ｌであり、前記バッファの濃度は１０ｇ／Ｌ～６００ｇ／Ｌである、請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項５】
前記電解めっき液において、前記含窒素複素環化合物：前記銅含有金属塩：前記バッファ（質量比）は、１：５～４０：１００～６００である、請求項４に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項６】
前記含窒素複素環化合物は二環式含窒素複素環化合物であり、前記銅含有金属塩は、ピロリン酸銅、硫酸銅、炭酸銅、酢酸銅、硝酸銅、酸化銅、シアン化銅（Ｉ）、シアン化銅ナトリウム、及びシアン化銅カリウムからなる群から選択される少なくとも１つであり、前記バッファは、ピロリン酸カリウム、ホウ酸、硫酸、硫酸アンモニウム、クエン酸、クエン酸アンモニウム、クエン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、酒石酸カリウム、グルコン酸ナトリウムからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項４に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項７】
前記キャリア銅箔を前記電解めっき液に所定時間で電解めっきし、前記所定時間は、１秒～２０秒であり、電解めっき条件の電流密度は、０．１～５ＡＳＤであり、前記電解めっき液の温度は３０～６０℃である、請求項４に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項８】
前記銅含有有機化合物の化学構造は、炭素－水素結合（ＣＨ結合，Ｃ－Ｈｂｏｎｄ）、炭素－窒素結合（ＣＮ結合，Ｃ－Ｎｂｏｎｄ）、窒素－水素結合（ＮＨ結合，Ｎ－Ｈｂｏｎｄ）を更に含む、請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項９】
前記離型層のＸ線光電子分光装置（ＸＰＳ）で測定した窒素含有量は０．１～２５質量％である、請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
【請求項１０】
前記離型層の前記Ｘ線光電子分光装置で分析した元素比は、Ｎ１ｓピーク面積が１５～２５ａｔｏｍｉｃ％を占め、Ｏ１ｓピーク面積が２５～３５ａｔｏｍｉｃ％を占め、Ｃ１ｓピーク面積が３０～４０ａｔｏｍｉｃ％を占め、Ｃｕ２ｐピーク面積が５～１８ａｔｏｍｉｃ％を占め、前記Ｎ１ｓピーク面積に対する前記Ｃｕ２ｐピーク面積の比の値は、０．３～０．９である、請求項９に記載のキャリア付き極薄銅箔の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅箔に関し、特に、キャリア付き極薄銅箔及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来の技術において、プリント回路板（ＰＣＢ）でのファインピッチの製造は、極薄銅箔の製品によって行う。極薄銅箔の構造は、極薄銅層と、離型層と、キャリア銅箔との積層構造である。
【０００３】
従来の極薄銅箔の製品は、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ，半硬化ラミネートシート）とホットプレスを行った後に、極薄銅箔とキャリア銅箔間の剥離力の分布と大きさは、離型層の分布と含有量に関連する。
【０００４】
従来の極薄銅箔製品における離型層は、単一または複数の合金金属から形成される。金属成分は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、又はそれらの組み合わせを含む。しかし、電解めっきによってキャリア銅箔に沈積した離型層は、厚み及び含有量が均一でないことによって、剥離力を制御しにくいことがある。
【０００５】
そこで、本発明者は、上述した問題が改善可能であることに鑑みて、鋭意研究を行い学理を併せて運用した結果、設計が合理的で且つ前記問題を効果的に改善することができる方法として本発明に至った。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術の課題は、従来技術の不足に対し、キャリア付き極薄銅箔及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の技術的課題を解決するために、本発明が採用する一つの技術的手段は、キャリア付き極薄銅箔の製造方法を提供する。キャリア付き極薄銅箔の製造方法は、キャリア銅箔を提供することと、銅含有有機化合物を含む離型層を前記キャリア銅箔の一面に形成し、前記銅含有有機化合物の化学構造は、銅－窒素結合（Ｃｕ－Ｎｂｏｎｄ）を少なくとも有することと、前記離型層の前記キャリア銅箔から離れた面に極薄銅層（ｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎｃｏｐｐｅｒｆｏｉｌ）を形成することと、を含み、前記キャリア銅箔は、前記離型層を介して前記極薄銅層から剥離可能である。
【０００８】
好ましくは、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴＩＲ）によれば、前記離型層は、１０２０ｃｍ
－１
～１０２５ｃｍ
－１
と、１０９８ｃｍ
－１
～１１０３ｃｍ
－１
の位置のそれぞれに赤外特性吸収ピークを示す。
【０００９】
好ましくは、前記離型層を形成するための前記銅含有有機化合物は、有機銅錯体（ｏｒｇａｎｉｃｃｏｐｐｅｒｃｏｍｐｌｅｘ）である。
【００１０】
好ましくは、前記離型層は、電解めっき液により前記キャリア銅箔に電解めっき作業によって形成され、前記電解めっき液は、（１）含窒素複素環化合物と、（２）銅含有金属塩と、（３）バッファと、を含み、前記電解めっき液において、前記含窒素複素環化合物の濃度は０．０５ｇ／Ｌ～４０ｇ／Ｌであり、前記銅含有金属塩の濃度は５ｇ／Ｌ～１００ｇ／Ｌであり、前記バッファの濃度は１０ｇ／Ｌ～６００ｇ／Ｌである。
（【００１１】以降は省略されています）

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