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公開番号2025067025
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2023176660
出願日2023-10-12
発明の名称レーザアニール装置、レーザアニール方法、記憶媒体
出願人住友重機械工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/268 20060101AFI20250417BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】アニール処理における照射むらを低減できるレーザアニール装置等を提供する。
【解決手段】アニール処理のために半導体ウエハ3における照射領域IRにレーザパルスLPを照射するレーザアニール装置1は、レーザパルスLPを走査して、照射領域IRにおける異なる照射位置に順次照射するレーザ走査部6と、照射領域IRにおける異なる照射位置が、互いに交差する第1方向および第2方向に沿ってそれぞれ整列するように、レーザ走査部6による走査における照射位置を調整する照射位置整列部63と、を備える。レーザ走査部6は、レーザパルスLPを第1方向に沿って走査する第1走査と、レーザパルスLPを第2方向に沿って走査する第2走査と、を実行する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
アニール処理のために被処理物における照射領域にレーザを照射するレーザアニール装置であって、
前記レーザを走査して、前記照射領域における異なる照射位置に順次照射するレーザ走査部と、
前記照射領域における前記異なる照射位置が、互いに交差する第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、前記レーザ走査部による走査における前記照射位置を調整する照射位置整列部と、
を備えるレーザアニール装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記レーザ走査部は、前記レーザを前記第１方向に沿って走査する第１走査と、前記レーザを前記第２方向に沿って走査する第２走査と、を実行し、
前記照射位置整列部は、前記照射領域における前記異なる照射位置が、前記第１方向および前記第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、前記第１走査および前記第２走査の少なくともいずれかにおける前記照射位置を調整する、
請求項１に記載のレーザアニール装置。
【請求項３】
前記レーザ走査部は、前記レーザを前記第１方向に沿って前記照射領域の両端の間で直線状に走査する前記第１走査と、前記レーザを前記第２方向に沿って走査して後続の前記第１走査の位置をずらす前記第２走査と、を実行し、
前記照射位置整列部は、前記第２走査を挟んで連続する二回の前記第１走査のうち、後の第１走査における前記各照射位置を、先の第１走査における前記各照射位置と前記第２方向に沿って整列するように調整する、
請求項２に記載のレーザアニール装置。
【請求項４】
前記照射領域における最初の前記第１走査の開始位置として、前記照射領域の周縁に内接する前記照射位置を設定する開始位置設定部を備え、
前記照射位置整列部は、前記照射領域における二回目以降の前記第１走査の少なくともいずれかにおいて、前記開始位置側の端における前記照射位置を、前記照射領域の周縁に内接しないように設定する、
請求項３に記載のレーザアニール装置。
【請求項５】
アニール処理のために被処理物における照射領域にレーザを照射するレーザアニール方法であって、
前記レーザを走査して、前記照射領域における異なる照射位置に順次照射することと、
前記照射領域における前記異なる照射位置が、互いに交差する第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、前記走査における前記照射位置を調整することと、
を実行するレーザアニール方法。
【請求項６】
アニール処理のために被処理物における照射領域にレーザを照射するレーザアニールプログラムであって、
前記レーザを走査して、前記照射領域における異なる照射位置に順次照射することと、
前記照射領域における前記異なる照射位置が、互いに交差する第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、前記走査における前記照射位置を調整することと、
をコンピュータに実行させるレーザアニールプログラムを記憶している記憶媒体。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、レーザアニール装置等に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体ウエハ等の被処理物における照射領域に、レーザパルスを順次照射してアニール処理を施すレーザアニール装置が開示されている。レーザパルスは、適当なレーザ走査機構によって、照射領域の全体に亘って二次元走査される。
【０００３】
このようなレーザの二次元走査は、第１方向に沿った第１走査と、当該第１方向と直交する第２方向に沿った第２走査の組合せによって実現されることが一般的である。例えば、一回の第１走査では、照射領域の一端と他端の間でレーザが第１方向に沿って直線状に走査される。また、一回の第２走査では、レーザが第２方向に沿って走査されて、後続の第１走査の位置がずらされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－６７６４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
各回の第１走査では、照射領域の周縁（例えば、半導体ウエハ自体の周縁）に内接する開始位置から、第１方向に沿ってレーザが直線状に走査されることが一般的である。この場合、各回の第１走査によるレーザの照射位置は、第１方向に沿って整列する。しかし、異なる回の第１走査によるレーザの照射位置は、第２方向に沿って整列するとは限らない。このように、レーザの照射位置が第２方向に沿って整列しない場合、照射領域に亘るアニール処理の一様性または均一性が低い「照射むら」に繋がる恐れがある。
【０００６】
本開示はこうした状況に鑑みてなされたものであり、アニール処理における照射むらを低減できるレーザアニール装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本開示のある態様のレーザアニール装置は、アニール処理のために被処理物における照射領域にレーザを照射するレーザアニール装置であって、レーザを走査して、照射領域における異なる照射位置に順次照射するレーザ走査部と、照射領域における異なる照射位置が、互いに交差する第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、レーザ走査部による走査における照射位置を調整する照射位置整列部と、を備える。
【０００８】
本態様によれば、照射領域における異なる照射位置が第１方向および第２方向に沿って整列するため、アニール処理における照射むらを低減できる。
【０００９】
本開示の別の態様は、レーザアニール方法である。この方法は、アニール処理のために被処理物における照射領域にレーザを照射するレーザアニール方法であって、レーザを走査して、照射領域における異なる照射位置に順次照射することと、照射領域における異なる照射位置が、互いに交差する第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、走査における照射位置を調整することと、を実行する。
【００１０】
本開示の更に別の態様は、記憶媒体である。この記憶媒体は、アニール処理のために被処理物における照射領域にレーザを照射するレーザアニールプログラムであって、レーザを走査して、照射領域における異なる照射位置に順次照射することと、照射領域における異なる照射位置が、互いに交差する第１方向および第２方向に沿ってそれぞれ整列するように、走査における照射位置を調整することと、をコンピュータに実行させるレーザアニールプログラムを記憶している。
（【００１１】以降は省略されています）

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