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公開番号2025059973
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-10
出願番号2023170415
出願日2023-09-29
発明の名称液処理装置及び監視方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人弥生特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250403BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】複数のノズルの状態を、状況に適するように監視すること。
【解決手段】液処理装置は、基板が各々載置される複数のステージと、当該複数のステージに共用され、前記基板に処理液を供給するための複数のノズルと、当該複数のノズルに共用され、当該複数のノズルの状態を監視するためのカメラと、監視条件に応じて前記カメラの撮像条件を変更する撮像条件変更部と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板が各々載置される複数のステージと、
当該複数のステージに共用され、前記基板に処理液を供給するための複数のノズルと、
当該複数のノズルに共用され、当該複数のノズルの状態を監視するためのカメラと、
監視条件に応じて前記カメラの撮像条件を変更する撮像条件変更部と、
を備える液処理装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記複数のノズルが設けられ、前記各ステージ上の基板に前記処理液を供給するために当該各ステージに対して移動する移動体と、
前記移動体に設けられ、前記各ノズルに向う方向とは異なる方向に光を照射する照明と、
前記ステージに対して相対位置が固定され、前記照明からの照射光を反射して前記各ノズルに照射する反射部材と、
を備える、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記反射部材は、前記照明からの照射光を前記ステージ上の前記基板に向かうように反射し、当該基板で反射した光が前記各ノズルに照射される、請求項２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記反射部材は前記ステージ毎に設けられる、請求項２または３に記載の液処理装置。
【請求項５】
前記カメラは、液体レンズを有し、当該カメラの撮像範囲に前記複数のノズルが収まるように配置され、
前記撮像条件変更部は、監視対象のノズルに応じてフォーカスを変更することで前記複数のノズルの状態を監視する、請求項１に記載の液処理装置。
【請求項６】
前記フォーカスの変更により
一の前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の監視と、
他の前記ノズルについての前記吐出状態とは別の状態の監視と、が交互に行われる、請求項５に記載の液処理装置。
【請求項７】
前記複数のノズルが設けられ、前記各ステージ上の基板に前記処理液を供給するために当該各ステージに対して移動するアームが設けられ、
前記カメラは前記アームに平面視で、前記アームの伸長方向とは光軸が異なる向きとなるように設けられる、請求項１記載の液処理装置。
【請求項８】
複数のステージに基板を各々載置する工程と、
当該複数のステージに共用される複数のノズルにより、前記基板に処理液を供給する工程と、
前記複数のノズルに共用されるカメラにより前記各ノズルを撮像し、当該複数のノズルの状態を監視する監視工程と、
監視条件に応じて前記カメラの撮像条件を変更する工程と、
を含む監視方法。
【請求項９】
前記カメラは液体レンズを有し、
前記カメラの撮像範囲に前記複数のノズルが収まるように撮像を行う工程を含み、
前記監視工程は、監視対象のノズルに応じてフォーカスを変更することで前記複数のノズルの状態を監視する工程を含む、請求項８に記載の監視方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、液処理装置及び監視方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造するにあたって液処理装置は、ノズルから半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）にレジスト等の処理液を吐出するノズルを備え、当該基板にレジスト膜を形成する。例えば特許文献１には、ＣＣＤカメラにより、処理液供給ノズルから基板へのフォトレジスト液の吐出状態を監視し、吐出状態の異常を検出することを示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３－３１８０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、複数のノズルの状態を、状況に適するように監視できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の液処理装置は、基板が各々載置される複数のステージと、
当該複数のステージに共用され、前記基板に処理液を供給するための複数のノズルと、
当該複数のノズルに共用され、当該複数のノズルの状態を監視するためのカメラと、
監視条件に応じて前記カメラの撮像条件を変更する撮像条件変更部と、
を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、複数のノズルの状態を、状況に適するように監視できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の液処理装置を示す平面図である。
前記液処理装置を示す縦断側面図である。
前記液処理装置を示す縦断側面図である。
シンナーノズルが吐出位置に移動した状態を示す平面図である。
レジストノズルが吐出位置に移動した状態を示す平面図である。
フォーカス合わせの様子を模式的に示す説明図である。
フォーカス合わせの様子を模式的に示す説明図である。
シンナーノズルにフォーカスを合わせた画像である。
レジストノズルにフォーカスを合わせた画像である。
前記液処理装置の動作を示すフローチャートである。
処理液を吐出しないノズルのフォーカス時間割合を示すグラフである。
第１変形例の液処理装置を示す平面図である。
第２変形例の液処理装置を示す平面図である。
第３変形例の液処理装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本開示の液処理装置の一実施形態であるレジスト塗布装置を示す平面図であり、後述のノズル１１、具体的にはレジストノズル１１ｒが後述の吐出位置に配置された状態を示している。本実施形態においては、ＸＹＺ直交座標系を用いて説明する。レジスト塗布装置にはウエハＷに各々処理を行う場所として、処理部２１Ａ、２１Ｂが形成されている。図２は、処理部２１ＡにおけるＹ方向に沿った縦断側面図であり、図３は、処理部２１ＡにおけるＸ方向に沿った縦断側面図である。以後、Ｘ方向は横方向ということもあり、Ｙ方向は前後方向ということがある。また、ノズル１１を含む処理液供給機構１０が配置された側を前方、その反対側にある処理部２１Ａ、２１Ｂが配置された側を後方ということもある。
【０００９】
レジスト塗布装置はレジスト膜をウエハＷに形成するため、ウエハＷに処理液としてシンナー及びレジストを供給する処理液供給機構１０を備えている。シンナーについては、レジストの供給前のウエハＷに供給され、ウエハＷ表面のレジストに対する濡れ性を高める処理（プリウエット）用の処理液である。
【００１０】
またシンナーは、レジスト膜の形成後のウエハＷの周縁部に吐出されることで当該レジスト膜の不要な部位を環状に除去するＥＢＲ（Edge Bead Removal）にも用いられ、このＥＢＲ用のシンナーは、処理液供給機構１０とは別に設けられるＥＢＲ機構４Ａ、４Ｂから供給される。このように、レジスト塗布装置１では処理部２１Ａ、２１Ｂの各々において、プリウエット、レジスト塗布、ＥＢＲの順でウエハＷに処理が行われる。
（【００１１】以降は省略されています）

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