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公開番号2025057124
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023166799
出願日2023-09-28
発明の名称半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250402BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ワイヤが破断しかけているか否かを判断可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子と、端子と、半導体素子と端子との間に電気的に接続された主ワイヤと、ダミーワイヤと、封止樹脂とを備える。ダミーワイヤの両端は、主ワイヤの両端が接続された部分に接続され、ダミーワイヤ自体の引張強度が主ワイヤ自体の引張強度よりも低い。封止樹脂は、半導体素子、主ワイヤ、及び、ダミーワイヤを覆う。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
端子と、
前記半導体素子と前記端子との間に電気的に接続された主ワイヤと、
前記主ワイヤの両端が接続された部分に両端が接続され、それ自体の引張強度が前記主ワイヤ自体の引張強度よりも低いダミーワイヤと、
前記半導体素子、前記主ワイヤ、及び、前記ダミーワイヤを覆う封止樹脂と
を備える、半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
半導体素子と、
第１端子、第２端子、及び、第３端子と、
前記半導体素子と前記第１端子との間に電気的に接続された主ワイヤと、
前記第２端子と前記第３端子との間に電気的に接続され、それ自体の引張強度が前記主ワイヤ自体の引張強度よりも低いダミーワイヤと、
前記半導体素子、前記主ワイヤ、及び、前記ダミーワイヤを覆う封止樹脂と
を備える、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子の通電を制御するための制御信号を伝達し、前記主ワイヤよりも径が小さい制御ワイヤをさらに備える、半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記制御ワイヤは前記ダミーワイヤよりも径が大きい、半導体装置。
【請求項５】
半導体素子と端子との間に主ワイヤを電気的に接続する工程と、
前記主ワイヤの両端が接続された部分に、それ自体の引張強度が前記主ワイヤ自体の引張強度よりも低いダミーワイヤの両端を接続する工程と、
前記半導体素子、前記主ワイヤ、及び、前記ダミーワイヤを封止樹脂で覆う工程と、
前記主ワイヤ及び前記ダミーワイヤの電圧値または抵抗値の測定結果に基づいて、前記ダミーワイヤの破断状態を判定する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記測定結果に基づいて、前記主ワイヤの破断状態を判定する工程をさらに備える、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子と第１端子との間に主ワイヤを電気的に接続する工程と、
第２端子と第３端子との間に、それ自体の引張強度が前記主ワイヤ自体の引張強度よりも低いダミーワイヤを電気的に接続する工程と、
前記半導体素子、前記主ワイヤ、及び、前記ダミーワイヤを封止樹脂で覆う工程と、
前記ダミーワイヤの電圧値または抵抗値の測定結果に基づいて、前記ダミーワイヤの破断状態を判定する工程と
を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記主ワイヤの電圧値または抵抗値の測定結果に基づいて、前記主ワイヤの破断状態を判定する工程をさらに備える、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
パワー半導体装置などの半導体装置におけるワイヤの状態の検出について、様々な技術が提案されている。例えば特許文献１には、経年劣化による剥離を防ぐために、ダミー配線のワイヤと端子との間の接続強度を検出する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－２８６００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の製造工程のうちの封止樹脂を成型するモールド工程において、溶融中の粘度の高いモールド樹脂が金型に注入されると、端子などに接続されたワイヤに粘性抵抗がかかり、ワイヤが破断しかけてしまう場合がある。しかしながら、モールド工程後には、封止樹脂で覆われたワイヤを目視で確認することができないので、ワイヤが破断しかけているか否かの判断が困難であるという問題があった。
【０００５】
そこで、本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、ワイヤが破断しかけているか否かを判断可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、半導体素子と、端子と、前記半導体素子と前記端子との間に電気的に接続された主ワイヤと、前記主ワイヤの両端が接続された部分に両端が接続され、それ自体の引張強度が前記主ワイヤ自体の引張強度よりも低いダミーワイヤと、前記半導体素子、前記主ワイヤ、及び、前記ダミーワイヤを覆う封止樹脂とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、それ自体の引張強度が主ワイヤ自体の引張強度よりも低いダミーワイヤを備える。このような構成によれば、ワイヤが破断しかけているか否かを判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す回路図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
実施の形態１に係る検査工程を説明するための平面図である。
実施の形態１に係る検査工程を説明するための図である。
実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の各実施の形態で説明される特徴は例示であり、すべての特徴は必ずしも必須ではない。また、以下に示される説明では、複数の実施の形態において同様の構成要素には同じまたは類似する符号を付し、異なる構成要素について主に説明する。また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「表」または「裏」などの特定の位置及び方向は、実際の実施時の位置及び方向とは必ず一致しなくてもよい。
【００１０】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す平面図であり、図２は、当該構成を示す回路図である。本実施の形態１に係る半導体装置は、図１に示すように、半導体素子である半導体スイッチング素子１と、ダイオード２と、制御ＩＣ（Integrated Circuit）３と、制御ワイヤ４と、リードフレーム５と、主ワイヤ６と、ダミーワイヤ７と、図示しないヒートシンクと、モールド樹脂である封止樹脂８とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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