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公開番号2025018048
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-06
出願番号2023121445
出願日2023-07-26
発明の名称電子構造体、電子構造体基板、電子デバイス、表示装置、および電子デバイスの製造方法
出願人沖電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10H 20/85 20250101AFI20250130BHJP()
要約【課題】電子デバイスの製造プロセスを簡単にすることを目的とする。
【解決手段】電子構造体としての機能フィルム10は、絶縁層としての下地層13と、下地層13の第1面C1に設けられる機能素子とを有する。下地層13は、第1面C1と反対側の第2面C2に、第1面C1に直交するZ方向(第1の方向)に見た場合に機能素子と重ならない位置に凸部13aを有する。凸部13aは、第2面C2と同じ側を向く第3面C3を有する。下地層13の第1面C1と第2面C2との間の厚さD2と、凸部13aから機能素子までの第1面C1と平行な面内での最短距離D3とは、D1≦D2×1/2、およびD1≦D3×1/2を満足する。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の第１面に形成される機能素子と
を有し、
前記絶縁層は、
前記第１面と反対側の第２面に、前記第１面に直交する第１の方向に見た場合に前記機能素子と重ならない位置に凸部を有し、
前記凸部は、前記第２面と同じ側を向く第３面を有し、
前記凸部の前記第２面からの突出長さＤ１と、
前記絶縁層の前記第１面と前記第２面との間の厚さＤ２と、
前記凸部から前記機能素子までの前記第１面と平行な面内での最短距離Ｄ３とは、
Ｄ１≦Ｄ２×１／２、および
Ｄ１≦Ｄ３×１／２
を満足することを特徴とする電子構造体。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第２面の表面粗さおよび前記第３面の表面粗さはいずれも、５ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の電子構造体。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記第１面から前記第２面にかけて、前記第１の方向に見た場合に前記機能素子と重ならない位置に形成された開口を有し、
前記開口には導電部材が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子構造体。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記第１面から前記第３面にかけて、前記第１の方向に見た場合に前記機能素子と重ならない位置に形成された開口を有し、
前記開口には導電部材が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子構造体。
【請求項５】
前記凸部は、前記絶縁層の前記第１面に平行な第２の方向の端部に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子構造体。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記第１面に平行な面において矩形状であり、
前記凸部は、矩形状の前記絶縁層の角部に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の電子構造体。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子構造体と、
前記凸部に当接し、前記電子構造体を支持する基板と
を有する電子構造体基板。
【請求項８】
前記機能素子として発光素子を有する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子構造体を有する表示装置。
【請求項９】
回路基板と、
絶縁層と、
前記絶縁層の第１面に形成される機能素子と
を有し、
前記絶縁層は、
前記第１面と反対側の第２面に、前記第１面に直交する第１の方向に見た場合に前記機能素子と重ならない位置に凸部を有し、
前記凸部は、前記第２面と同じ側を向く第３面を有し、
前記第２面および前記第３面は、前記回路基板と接合される
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
前記回路基板から前記第１面までの距離Ｌ１と、前記回路基板から前記機能素子までの距離Ｌ２とは、Ｌ１≦Ｌ２を満足する
ことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子構造体、電子構造体基板、電子デバイス、表示装置、および電子デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
機能素子を含む機能フィルム（電子構造体）と回路基板とを有する電子デバイスが知られている。例えば特許文献１には、機能フィルムを回路基板とは別の基板（形成基板）上の犠牲層上に形成し、犠牲層をエッチングして密着強度を低下させたのち、犠牲層から分離して回路基板に転写する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－７４４２８号公報（要約参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の技術では、犠牲層のエッチング量を正確に制御しなければならず、製造プロセスが複雑になる。そのため、電子デバイスの製造プロセスを簡略化すると共に、電子構造体の転写先の基板（回路基板）への接合を簡単にすることが求められている。
【０００５】
本開示は、電子デバイスの製造プロセスを簡単にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の電子構造体は、絶縁層と、絶縁層の第１面に形成される機能素子とを有する。絶縁層は、第１面と反対側の第２面に、第１面に直交する第１の方向に見た場合に機能素子と重ならない位置に凸部を有する。凸部は、第２面と同じ側を向く第３面を有する。絶縁層の第１面と第２面との間の厚さＤ２と、凸部から機能素子までの第１面と平行な面内での最短距離Ｄ３とは、Ｄ１≦Ｄ２×１／２、およびＤ１≦Ｄ３×１／２を満足する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の電子構造体は、基板上に犠牲層を覆うように絶縁層を形成し、絶縁層上に機能素子を設け、犠牲層を除去することによって製造される。電子構造体は、第１面および第２面で回路基板に接合することができる。電子構造体の製造時には、犠牲層を完全に除去することができるため、エッチング量の正確な制御が不要になり、製造プロセスを簡単にすることができる。また、Ｄ１≦Ｄ２×１／２およびＤ１≦Ｄ３×１／２が満足されるため、転写先の基板（回路基板）への接合時に機能素子に作用する応力を最小限に抑えることができる。すなわち、電子構造体の回路基板への接合を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態１の電子デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
実施の形態１における犠牲層の形成工程を示す断面図（Ａ）、および下地層の形成工程を示す断面図（Ｂ）である。
実施の形態１において基板上に犠牲層および下地層が形成された状態を示す平面図である。
実施の形態１における機能素子の接合工程を示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
実施の形態１において基板上の下地層に機能素子が接合された状態を示す平面図である。
実施の形態１における下地層への開口の形成工程を示す断面図（Ａ），（Ｂ）、垂直配線の形成工程を示す断面図（Ｃ）、および引き出し配線の形成工程を示す断面図（Ｄ）である。
実施の形態１の電子構造体としての機能フィルムを含む電子構造体基板を示す平面図である。
実施の形態１の電子構造体基板を示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
実施の形態１における犠牲層の除去工程を示す断面図（Ａ）、および機能フィルムの分離工程を示す断面図（Ｂ），（Ｃ）である。
実施の形態１における機能フィルムの転写工程を示す断面図（Ａ），（Ｂ）、およびスタンプの除去工程を示す断面図（Ｃ），（Ｄ）である。
実施の形態１の電子デバイスを示す平面図である。
実施の形態１の電子デバイスを示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
実施の形態１の電子デバイスの製造方法を示す断面図（Ａ）～（Ｆ）である。
比較例の電子デバイスの製造方法を示す断面図（Ａ）～（Ｅ）である。
実施の形態１の変形例１，２の電子デバイスを示す平面図（Ａ），（Ｂ）である。
実施の形態１の変形例３，４の電子デバイスを示す平面図（Ａ），（Ｂ）である。
実施の形態２の電子デバイスを示す平面図である。
実施の形態２の電子デバイスを示す断面図（Ａ），（Ｂ）である。
実施の形態２における機能素子の接合工程を示す断面図（Ａ）、犠牲層の除去工程を示す断面図（Ｂ）、および機能フィルムの分離工程を示す断面図（Ｃ）である。
実施の形態２における機能フィルムの転写工程を示す断面図（Ａ）、およびスタンプの除去工程を示す断面図（Ｂ）である。
実施の形態１、２および変形例の電子デバイスが適用可能な表示装置の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照して説明する。電子デバイスは、所定の機能を発揮する機能素子を有する。
【００１０】
電子デバイスの機能素子は、例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）等の光電変換素子（発光素子、受光素子）である。この場合、電子デバイスは、ＬＥＤディスプレイ等の表示装置、またはイメージセンサ等に用いることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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