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公開番号2025004301
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-15
出願番号2023103892
出願日2023-06-26
発明の名称導電性組成物およびPt導電膜付き基板
出願人ノリタケ株式会社
代理人個人,個人
主分類H01B 1/22 20060101AFI20250107BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】十分な導電性を有するPt導電膜を実現する導電性組成物を提供すること。
【解決手段】ここで開示される導電性組成物は、基板にPt導電膜を形成するための導電性組成物であって、少なくともPtとSiとAlとを含み、Ptの含有割合は、当該導電性組成物に含まれる元素全体を100モル%としたときに75モル%以上であり、Alのモル分率に対するSiのモル分率の比(Si/Al)が1未満である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
基板にＰｔ導電膜を形成するための導電性組成物であって、
少なくともＰｔとＳｉとＡｌとを含み、
Ｐｔの含有割合は、当該導電性組成物に含まれる元素全体を１００モル％としたときに７５モル％以上であり、
Ａｌのモル分率に対するＳｉのモル分率の比（Ｓｉ／Ａｌ）が１未満である、導電性組成物。
続きを表示（約 530 文字）【請求項２】
前記比（Ｓｉ／Ａｌ）が０．１以上０．７以下である、請求項１に記載の導電性組成物。
【請求項３】
Ａｌの含有割合は、前記導電性組成物に含まれる元素全体を１００モル％としたときに１０モル％以上１５モル％以下である、請求項１または２に記載の導電性組成物。
【請求項４】
Ｓｉの含有割合は、前記導電性組成物に含まれる元素全体を１００モル％としたときに２モル％以上７モル％以下である、請求項１または２に記載の導電性組成物。
【請求項５】
Ｒｈをさらに含み、
Ｒｈの含有割合は、前記導電性組成物に含まれる元素全体を１００モル％としたときに０．１モル％以上１モル％以下である、請求項１または２に記載の導電性組成物。
【請求項６】
セラミックス基板と、
前記セラミックス基板の上に配置され、請求項１または２に記載の導電性組成物の焼成体からなるＰｔ導電膜と、
を備えたＰｔ導電膜付き基板。
【請求項７】
前記Ｐｔ導電膜の平均厚みが、１μｍ以下であり、
前記Ｐｔ導電膜の体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以下である、請求項６に記載のＰｔ導電膜付き基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性組成物およびＰｔ導電膜付き基板に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から電子部品などの電極や配線パターンを形成するために、導電性組成物が広く用いられている。かかる導電性組成物の導電性成分として、白金（Ｐｔ）を用いることが検討されている。白金を主成分とする電極や配線等は、一般的に、白金の粉末やセラミック粉末と、樹脂、溶剤とを混合したペーストを印刷、焼成することにより形成される。これに関連する技術として、例えば特許文献１が挙げられる。特許文献１では、導電性粉末と、セラミック粉末とを備え、導電性粉末の走査型電子顕微鏡の撮像を画像処理することにより得られた面積円相当径における、個数基準の粒度分布での平均粒子径が０．１２μｍ以上０．３μｍ以下であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－７２２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年では、より高性能な電子部品が要求されている。Ｐｔを主成分とする導電膜においても、十分な導電性を確保する技術が求められている。
【０００５】
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、十分な導電性を有するＰｔ導電膜付き基板および、該Ｐｔ導電膜を実現する導電性組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題に対して本発明者らが種々の検討を重ねたところ、Ｐｔ元素を含む組成物を焼成すると、焼成中に過度な粒成長が発生して焼成後にＰｔ粒子同士が離れて配置される現象（以下、「Ｐｔのアイランド化」ともいう。）が生じることを見出した。Ｐｔのアイランド化が生じた場合、焼成後の導電膜では導電パスが切れやすくなり、導電性が低くなる傾向にある。これに対して、本発明者らがさらに検討を重ねた結果、導電性組成物がＰｔに加えてＳｉおよびＡｌを含み、モル分率でＳｉよりもＡｌを多く含むように調製することにより、Ｐｔのアイランド化を好適に抑制できることを発見した。
【０００７】
ここに開示される導電性組成物は、上記知見に基づいてなされたものである。すなわち、ここに開示される導電性組成物は、基板にＰｔ導電膜を形成するための導電性組成物であって、少なくともＰｔとＳｉとＡｌとを含み、Ｐｔの含有割合は、当該導電性組成物に含まれる元素全体を１００モル％としたときに７５モル％以上であり、Ａｌのモル分率に対するＳｉのモル分率の比（Ｓｉ／Ａｌ）が１未満である。
【０００８】
かかる構成によれば、焼成後の導電膜においてＰｔのアイランド化が好適に抑制される。したがって、十分な導電性を有するＰｔ導電膜を形成する導電性組成物を実現することができる。
【０００９】
ここに開示される導電性組成物の好ましい一態様では、上記比（Ｓｉ／Ａｌ）が０．１以上０．７以下である。
かかる構成によれば、より好適な導電性を有する導電膜を実現することができる。
【００１０】
ここに開示される導電性組成物の好ましい一態様では、Ａｌの含有割合は、上記導電性組成物に含まれる元素全体を１００モル％としたときに１０モル％以上１５モル％以下である。
かかる構成によれば、ここに開示される技術の効果を高いレベルで発揮させることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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