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公開番号2025003022
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023103460
出願日2023-06-23
発明の名称半導体発光装置および半導体発光モジュール
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/023 20210101AFI20241226BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体発光素子の順方向電圧が高くなることを抑制すること。
【解決手段】半導体発光装置は、基板表面21と、基板表面21とは反対側の基板裏面22を有する基板20と、基板表面21に形成された表面配線層40と、表面配線層40に接合された半導体発光素子30と、表面配線層40と半導体発光素子30とを接合する接合層80と、を備える。表面配線層40は、基板表面21に接する第1金属層41と、第1金属層41上に存在する第1酸化膜43と、第1酸化膜43と接合層80との間に介在する第2金属層42と、を含む。第2金属層42の厚さT2は、1000Å以上である。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板表面を有する基板と、
前記基板表面に形成された表面配線層と、
前記表面配線層に接合された半導体発光素子と、
前記表面配線層と前記半導体発光素子とを接合する接合層と、
を備え、
前記表面配線層は、
前記基板表面上に形成された第１金属層と、
前記第１金属層上に存在する酸化膜と、
前記酸化膜と前記接合層との間に介在する第２金属層と、
を含み、
前記第２金属層の厚さは、１０００Å以上である
半導体発光装置。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
前記第２金属層の厚さは、７０００Å以下である
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第２金属層の厚さは、３０００Å以上である
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第２金属層の厚さは、５０００Å以上である
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第１金属層は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔのいずれかを含み、
前記第２金属層は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔのいずれかを含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記第２金属層は、Ａｌを含む
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第１金属層は、Ａｌを含む
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第１金属層を形成する材料と前記第２金属層を形成する材料とは、互いに異なる
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第１金属層を形成する材料と前記第２金属層を形成する材料とは、互いに同じである
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記接合層は、
Ｔｉを含み、前記第２金属層上において前記第２金属層に接する第１接合層と、
ＡｕＳｎを含み、前記第１接合層上において前記第１接合層に接する第２接合層と、
を含む
請求項１に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置および半導体発光モジュールに関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
サブマウントと、サブマウント上に導電接着層によって接合された半導体レーザ素子と、を備える半導体レーザ装置が知られている（例えば特許文献１参照）。特許文献１のサブマウントは、基材と、基材の主面に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された導電層と、導電層上に形成された導電接着層と、を備える。導電接着層上には、半導体レーザ素子が配置されている。これにより、半導体レーザ素子と導電層とが電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１９／１１６９８１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、サブマウントと半導体レーザ素子との間の導電経路における抵抗成分に起因して、半導体レーザ素子における所定の光出力を出すときの順方向電圧や閾値電流における順方向電圧が高くなる場合がある。なお、このような問題は、半導体レーザ素子に限られず、発光ダイオード（Light-Emitting Diode：ＬＥＤ）等の半導体発光素子についても同様に生じ得る。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による半導体発光装置は、基板表面を有する基板と、前記基板表面に形成された表面配線層と、前記表面配線層に接合された半導体発光素子と、前記表面配線層と前記半導体発光素子とを接合する接合層と、を備え、前記表面配線層は、前記基板表面上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に存在する酸化膜と、前記酸化膜と前記接合層との間に介在する第２金属層と、を含み、前記第２金属層の厚さは、１０００Å以上である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様による半導体発光装置および半導体発光モジュールによれば、半導体発光素子の順方向電圧が高くなることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、一実施形態に係る例示的な半導体発光モジュールの概略斜視図である。
図２は、図１のＦ２－Ｆ２線で半導体発光モジュールを切断した概略断面図である。
図３は、図２の半導体発光モジュールにおける基板の平面図である。
図４は、図２の半導体発光モジュールにおける半導体発光装置の概略平面図である。
図５は、図４のＦ５－Ｆ５線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図６は、図４のＦ６－Ｆ６線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図７は、図４のＦ７－Ｆ７線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図８は、図４の半導体発光素子の概略斜視図である。
図９は、図８のＦ９－Ｆ９線で半導体発光素子を切断した概略断面図である。
図１０は、一実施形態の半導体発光装置の例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略断面図である。
図１２は、図１１に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図１３は、図１１に続く製造工程を示す概略平面図である。
図１４は、図１１に続く製造工程を示すワイヤ配線層およびその周辺の概略断面図である。
図１５は、図１１に続く製造工程を示す検出配線層およびその周辺の概略断面図である。
図１６は、図１２に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図１７は、図１６に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図１８は、図１７に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図１９は、図１７に続く製造工程を示すワイヤ配線層およびその周辺の概略断面図である。
図２０は、図１７に続く製造工程を示す検出配線層およびその周辺の概略断面図である。
図２１は、図１８に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図２２は、図２１に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図２３は、図２２に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図２４は、図２３に続く製造工程を示す第１金属層およびその周辺の概略断面図である。
図２５は、第１比較例の半導体発光装置における表面配線層およびその周辺の概略断面図である。
図２６は、第２比較例の半導体発光装置における表面配線層およびその周辺の概略断面図である。
図２７は、変更例の半導体発光装置における表面配線層およびその周辺の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本開示における半導体発光装置および半導体発光モジュールの実施形態について説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするため、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするため、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００９】
以下の詳細な説明は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【００１０】
＜実施形態＞
［半導体発光モジュールの全体構成］
図１および図２を参照して、半導体発光モジュール１００の全体構成について説明する。図１は半導体発光モジュール１００の斜視構造を示し、図２は図１のＦ２－Ｆ２線で半導体発光モジュール１００を切断した断面構造を示している。図１では、図面の理解を容易にするため、後述するキャップ１２０を二点鎖線で示し、キャップ１２０内部の半導体発光モジュール１００の構成を実線で示している。
（【００１１】以降は省略されています）

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