特許ウォッチ

公開番号2024165567
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-28
出願番号2023081852
出願日2023-05-17
発明の名称センサ装置、及びセンサ装置の製造方法
出願人ミツミ電機株式会社
代理人個人,個人
主分類G01P 15/08 20060101AFI20241121BHJP(測定;試験)
要約【課題】不十分な樹脂の広がりを改善することが可能なセンサ装置を提供すること。
【解決手段】センサ装置100は、半導体センサ素子10と、半導体センサ素子10を実装する基板11と、を含み、基板11は、センサ素子実装部12を囲むように形成された第1レジスト部20と、第1レジスト部20に隣接する第1領域14,15と、第1領域14,15を挟んで第1レジスト部20を囲むように形成された第2レジスト部30と、第1レジスト部20から第2レジスト部30へ向かうように延びる第3レジスト部40と、を有し、第1領域14,15は樹脂層53に覆われている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体センサ素子と、前記半導体センサ素子を実装する基板と、を含み、
前記基板は、
前記半導体センサ素子を実装するセンサ素子実装部と、
センサ素子実装部を囲むように形成された第１レジスト部と、
前記第１レジスト部に隣接する第１領域と、
前記第１領域を挟んで前記第１レジスト部を囲むように形成された第２レジスト部と、
前記第１レジスト部から前記第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部と、を有し、
前記第１領域は樹脂層に覆われているセンサ装置。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記第３レジスト部は、前記第１レジスト部と前記第２レジスト部とを連結するように形成されている、請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記第３レジスト部の前記第１レジスト部に近い方の第１幅は、前記第３レジスト部の前記第２レジスト部に近い方の第２幅よりも狭い、請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記第１レジスト部は、平面視において矩形状を成し、
第１方向に対向し、第２方向に延びる一対の第１片と、
第２方向に対向し、第１方向に延びる一対の第２片と、を備え、
前記第３レジスト部は、前記第１片と前記第２片とが交差する角部に連結されている、請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記第３レジスト部は、
前記角部から前記第２方向に延び前記第２レジスト部に連結される第１部分と、
前記第１部分に連結され前記第１方向に延びる第２部分と、を有する、請求項４に記載のセンサ装置。
【請求項６】
半導体センサ素子を、基板のセンサ素子実装部に実装してセンサ装置を製造するセンサ装置の製造方法であって、
前記センサ素子実装部を囲むように第１レジスト部を形成する工程と、
第１領域を挟んで前記第１レジスト部を囲むように第２レジスト部を形成する工程と、
前記第１レジスト部から前記第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部を形成する工程と、
前記第３レジスト部の上に樹脂注入部を配置して、前記樹脂注入部から樹脂を注入して、前記第１領域を覆う樹脂層を形成する工程と、を含む、センサ装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ装置、及びセンサ装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、センサ装置が開示されている。センサ装置は、基部を含む基板と、基板に実装された半導体センサ素子と、半導体センサ素子とワイヤボンディングされるワイヤボンディングパッドと、基部の一部を覆うレジスト膜と、露出された基部を覆う樹脂層と、を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－７３２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術に係るセンサ装置では、基板上への樹脂の注入後、樹脂の広がりが不十分な場合があった。本発明は、不十分な樹脂の広がりを改善することが可能なセンサ装置、及びセンサ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示に係るセンサ装置は、半導体センサ素子と、半導体センサ素子を実装する基板と、を含み、基板は、半導体センサ素子を実装するセンサ素子実装部と、センサ素子実装部を囲むように形成された第１レジスト部と、第１レジスト部に隣接する第１領域と、第１領域を挟んで第１レジスト部を囲むように形成された第２レジスト部と、第１レジスト部から第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部と、を有し、第１領域は樹脂層に覆われている。
【０００６】
また、本開示に係るセンサ装置の製造方法は、半導体センサ素子を、基板のセンサ素子実装部に実装してセンサ装置を製造するセンサ装置の製造方法であって、センサ素子実装部を囲むように第１レジスト部を形成する工程と、第１領域を挟んで第１レジスト部を囲むように第２レジスト部を形成する工程と、第１レジスト部から第２レジスト部へ向かうように延びる第３レジスト部を形成する工程と、第３レジスト部の上に樹脂注入部を配置して、樹脂注入部から樹脂を注入して、第１領域を覆う樹脂層を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示は、不十分な樹脂の広がりを抑制することが可能なセンサ装置、及びセンサ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態に係るセンサ装置を示す平面図であり、半導体センサ素子が実装される前の基板を示す図である。
第１実施形態に係るセンサ装置を示す平面図である。
第３レジスト部を拡大して示す平面図である。
図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。
従来技術に係るセンサ装置を示す断面図である。
センサ装置の製造方法の手順を示す工程図である。
第２実施形態に係るセンサ装置を示す平面図である。
第３実施形態に係るセンサ装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態に係るセンサ装置及びセンサ装置の製造方法について、添付の図面を参照しながら説明する。尚、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く場合がある。
【００１０】
［第１実施形態に係るセンサ装置］
図１～図３を参照して、第１実施形態に係るセンサ装置１００について説明する。図１は、第１実施形態に係るセンサ装置１００を示す平面図であり、半導体センサ素子１０が実装される前の基板１１を示す図である。図２は、第１実施形態に係るセンサ装置１００を示す平面図である。図３は、第３レジスト部４０を拡大して示す平面図である。図４は、図２のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。図１～図３には、参考のため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。必要に応じ、他の図においても、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示される。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許