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公開番号2024158109
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023072997
出願日2023-04-27
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20241031BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子の異常発熱による封止樹脂の破損を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、半導体素子1と接合部2と封止樹脂7とを備える。接合部2は、半導体素子1に接続されている。封止樹脂7は、半導体素子1および接合部2に接続されている。接合部2は低溶融部20を含む。低溶融部20の融点は、封止樹脂7の熱分解温度より低い。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子に接続されている接合部と、
前記半導体素子および前記接合部に接続されている封止樹脂とを備え、
前記接合部は低溶融部を含み、
前記低溶融部の融点は、前記封止樹脂の熱分解温度より低い、半導体装置。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記半導体素子から見て前記接合部が配置されている方向を第１方向としたときに、
前記第１方向からみた平面視において、
前記低溶融部は、前記半導体素子の中心に配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低溶融部は、複数の溶融部を含み、
複数の前記溶融部の各々は、前記半導体素子において前記接合部が接続している面が延在する方向に互いに間隔を隔てて配置されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
ヒートシンクを更に備え、
前記接合部は、第１接合部を含み、
前記第１接合部の材料はシンタリング材料であり、
前記第１接合部は、前記半導体素子と前記ヒートシンクとの間に配置されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
端子を更に備え、
前記接合部は、第２接合部を含み、
前記第２接合部の融点が、前記封止樹脂の前記熱分解温度以上であり、
前記端子は、前記第２接合部を介して前記半導体素子と接続されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２接合部の材料はシンタリング材料である、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２接合部を構成する材料は錫を含む、請求項５に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
パワー半導体装置として、半導体素子と、端子と、封止樹脂とを備えた半導体装置が知られている。（例えば、特開２０２２－１１４０４８号公報参照）。特開２０２２－１１４０４８号公報では、放熱性を改善するために、半導体素子にシンタリングペーストが接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１１４０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記のような半導体装置においては、半導体素子を覆う封止樹脂の熱分解温度が相対的に低い。そのため、半導体素子が異常発熱した場合、熱により封止樹脂が破損する恐れがある。
【０００５】
本開示は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、本開示の目的は、半導体素子の異常発熱による封止樹脂の破損を防止することが可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に従った半導体装置は、半導体素子と接合部と封止樹脂とを備える。接合部は、半導体素子に接続されている。封止樹脂は、半導体素子および接合部に接続されている。接合部は低溶融部を含む。低溶融部の融点は、封止樹脂の熱分解温度より低い。
【発明の効果】
【０００７】
上記によれば、半導体素子の異常発熱による封止樹脂の破損を防止することが可能な半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。
実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施の形態を説明する。なお、特に言及しない限り、以下の図面において同一または対応する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１０】
実施の形態１．
＜半導体装置の構成＞
図１は、実施の形態１に係る半導体装置１００の断面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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