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公開番号2024135339
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023045968
出願日2023-03-22
発明の名称半導体装置
出願人ラピステクノロジー株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類G09G 3/36 20060101AFI20240927BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】高速動作し難い動作条件でも動作可能であり、かつ、標準的な動作条件においては消費電流を抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基準電圧を生成する基準電圧生成部と、第1の電流供給部及び第2の電流供給部を有し、アナログ回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給部と、自装置に供給された電源電圧と設定された第1の閾値電圧とを基準電圧に基づいて比較し、電源電圧が第1の閾値電圧よりも高い場合に、第1の電流供給部から供給された電流のみをバイアス電流として出力し、電源電圧が第1の閾値電圧よりも低い場合に、第1の電流供給部から供給された電流及び第2の電流供給部から供給された電流を合わせてバイアス電流として出力するように、バイアス電流供給部を制御する制御部と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
第１の電流供給部及び第２の電流供給部を有し、アナログ回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給部と、
自装置に供給された電源電圧と設定された第１の閾値電圧とを前記基準電圧に基づいて比較し、前記電源電圧が前記第１の閾値電圧よりも高い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流のみをバイアス電流として出力し、前記電源電圧が前記第１の閾値電圧よりも低い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流及び前記第２の電流供給部から供給された電流を合わせてバイアス電流として出力するように、バイアス電流供給部を制御する制御部と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記基準電圧を用いて基準電流を生成し、カレントミラー回路を用いて前記基準電流と同じ電流を前記第１の電流供給部及び前記第２の電流供給部の各々に供給する電流生成部を備える
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バイアス電流供給部は、さらに第３の電流供給部を備え、
前記制御部は、
自装置が備えるトランジスタのゲート閾値電圧と設定された第２の閾値電圧とを前記基準電圧に基づいて比較し、前記ゲート閾値電圧が前記第２の閾値電圧よりも低い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流のみをバイアス電流として出力し、前記ゲート閾値電圧が前記第２の閾値電圧よりも高い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流及び前記第３の電流供給部から供給された電流を合わせてバイアス電流として出力するように、バイアス電流供給部を制御する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基準電圧を用いて基準電流を生成し、カレントミラー回路を用いて前記基準電流と同じ電流を前記第１の電流供給部、前記第２の電流供給部、及び、前記第３の電流供給部の各々に供給する電流生成部を備える
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
基準電圧を生成する基準電圧生成部と、
第１の電流供給部及び第３の電流供給部を有し、アナログ回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給部と、
自装置が備えるトランジスタのゲート閾値電圧と設定された第２の閾値電圧とを前記基準電圧に基づいて比較し、前記ゲート閾値電圧が前記第２の閾値電圧よりも低い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流のみをバイアス電流として出力し、前記ゲート閾値電圧が前記第２の閾値電圧よりも高い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流及び前記第３の電流供給部から供給された電流を合わせてバイアス電流として出力するように、バイアス電流供給部を制御する制御部と、
を備える半導体装置。
【請求項６】
前記基準電圧を用いて基準電流を生成し、カレントミラー回路を用いて前記基準電流と同じ電流を前記第１の電流供給部及び前記第３の電流供給部の各々に供給する電流生成部を備える
請求項５に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、液晶表示装置を駆動するための表示駆動装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００９－１４５４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、液晶表示装置等の表示装置の高解像度化が進み、それに伴って、表示装置を駆動するための表示駆動装置において処理される映像データ量が増加している。そのため、表示駆動装置を構成する半導体装置における消費電流が増大しており、半導体装置における消費電流の削減が要求されている。
【０００５】
半導体装置の回路設計では、半導体装置の推奨動作条件範囲と半導体装置の製造のばらつきによる特性変化範囲とを組み合わせた動作条件において、全ての組み合わせの動作条件で回路が動作できるようにする必要がある。
【０００６】
半導体装置の動作条件の中には、標準的な動作条件と、高速動作し易い動作条件と、高速動作し難い動作条件がある。半導体装置の回路設計では、高速動作し難い動作条件でも回路を動作させるために余裕を持って電流を供給するように半導体装置を設計しなければならないため、標準的な動作条件では余裕が大き過ぎて消費電流が過剰になってしまうという問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記の事情を踏まえ、高速動作し難い動作条件でも動作可能であり、かつ、標準的な動作条件においては消費電流を抑えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の半導体装置は、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、第１の電流供給部及び第２の電流供給部を有し、アナログ回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給部と、自装置に供給された電源電圧と設定された第１の閾値電圧とを前記基準電圧に基づいて比較し、前記電源電圧が前記第１の閾値電圧よりも高い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流のみをバイアス電流として出力し、前記電源電圧が前記第１の閾値電圧よりも低い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流及び前記第２の電流供給部から供給された電流を合わせてバイアス電流として出力するように、バイアス電流供給部を制御する制御部と、を備える。
【０００９】
本発明の第２の半導体装置は、基準電圧を生成する基準電圧生成部と、第１の電流供給部及び第３の電流供給部を有し、アナログ回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給部と、自装置が備えるトランジスタのゲート閾値電圧と設定された第２の閾値電圧とを前記基準電圧に基づいて比較し、前記ゲート閾値電圧が前記第２の閾値電圧よりも低い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流のみをバイアス電流として出力し、前記ゲート閾値電圧が前記第２の閾値電圧よりも高い場合に、前記第１の電流供給部から供給された電流及び前記第３の電流供給部から供給された電流を合わせてバイアス電流として出力するように、バイアス電流供給部を制御する制御部と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の表示駆動装置によれば、高速動作し難い動作条件でも動作可能であり、かつ、標準的な動作条件においては消費電流を抑えた半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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