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公開番号2024129608
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-27
出願番号2023038929
出願日2023-03-13
発明の名称積層構造体および半導体素子
出願人株式会社FLOSFIA
代理人
主分類H01L 29/872 20060101AFI20240919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子に適した積層構造体を提供する。
【解決手段】表面にトレンチ構造を有する第1の酸化物層と、前記トレンチ構造に沿って積層されている第2の酸化物層とを備える積層構造体であって、前記第2の酸化物層は、底部の中心と側壁の中心との膜厚差が30%未満である積層構造体。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
表面にトレンチ構造を有する第１の酸化物層と、前記トレンチ構造に沿って積層されている第２の酸化物層とを備える積層構造体であって、前記第２の酸化物層は、底部の中心と側壁の中心との膜厚差が３０％未満であることを特徴とする、積層構造体。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
表面にトレンチ構造を有する第１の酸化物層と、トレンチ構造に沿って積層されている第２の酸化物層とを含む積層構造体であって、前記第２の酸化物層は、周期律表第１３族金属から選ばれる第１の金属の酸化物と、周期律表第６族および第９族金属から選ばれる第２の金属の酸化物とを含み、且つ底部の中心付近と側壁の中心付近とにおける前記第２の金属の含有率の差が３０％未満であることを特徴とする、積層構造体。
【請求項３】
前記トレンチ構造が、複数のトレンチ溝を含む請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記第２の酸化物層が、前記第１の金属の酸化物と前記第２の金属の酸化物との混晶を主成分とする請求項２記載の積層構造体。
【請求項５】
前記第１の金属がガリウムである請求項２記載の積層構造体。
【請求項６】
前記第２の金属が周期律表第９族金属である請求項２記載の積層構造体。
【請求項７】
前記第２の金属がイリジウムである請求項６記載の積層構造体。
【請求項８】
前記第２の酸化物層の最小膜厚が３０ｎｍ以上である請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項９】
前記トレンチ構造の溝深さが０．１μｍ～１０μｍの範囲内である請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項１０】
前記トレンチ構造の溝幅が０．１μｍ～５．０μｍの範囲内である請求項１または２に記載の積層構造体。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、パワーデバイス等として有用な積層構造体およびそれを備える半導体素子並びに半導体システムに関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、イリジウムアセチルアセトナートおよびガリウムアセチルアセトナートを含む原料溶液から酸化物半導体を成膜することが記載されている。また、特許文献２には、イリジウムアセチルアセトナート、ガリウムアセチルアセトナートおよびドーパント原料としてのマグネシウムの有機金属塩を含む原料溶液を用いてｐ型酸化物半導体膜を成膜することが記載されている。
【０００３】
なお、背景技術のセクションは、当業者が本発明の範囲および有用性を理解することを支援するために、本発明の実施態様を技術的または動作的な文脈で提供されるものである。明示的に特定されたものでない限り、単に背景技術のセクションに含まれていることによって本明細書の記述が先行技術であると認められるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開ＷＯ２０２２／０３０６４７
国際公開ＷＯ２０２２／０３０６４８
【発明の概要】
【０００５】
以下は、当業者に基本的理解を提供するために本開示の簡略化された概要を提示する。この概要は、本開示の実施形態の重要な要素を特定することまたは本発明の範囲を定めることを意図していない。この発明の概要の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前置きとして、簡略化された形態で、本明細書で開示されるいくつかの概念を提示することである。
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、半導体素子に適した積層構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本開示の一態様における積層構造体は、表面にトレンチを有する第１の酸化物層と、前記トレンチに沿って積層されており、底部、側壁部、および曲線部を少なくとも有する第２の酸化物層とを含む積層構造体であって、前記第２の酸化物層は、前記底部と前記側壁部との膜厚差が３０％未満である。
【０００８】
また、上記課題を解決するために、本開示の一態様における積層構造体は、表面にトレンチを有する第１の酸化物層と、トレンチに沿って積層されており、底部、側壁部、および曲線部を少なくとも有する第２の酸化物層とを含む積層構造体であって、前記第２の酸化物層は、周期律表第１３族金属から選ばれる第１の金属の酸化物と、第１の金属とは異なる第２の金属の酸化物との酸化物の混晶を主成分とする第２の酸化物層とを含み、且つ前記底部と前記側壁部とで前記第２の金属の含有率の差が３０％未満である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の積層構造体は、半導体素子に適している。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
第１実施形態にかかる積層構造体を模式的に例示する上面図である。
第１実施形態にかかる積層構造体を模式的に例示する断面図である。
第１実施形態にかかる積層構造体のトレンチを模式的に例示する断面図である。
第１実施形態にかかる積層構造体のトレンチを模式的に例示する断面図である。
第１実施形態にかかる積層構造体の製造方法を模式的に例示する断面図である。
第１実施形態にかかる積層構造体を備える半導体素子を模式的に例示する上面図である。
第１実施形態にかかる積層構造体を備える半導体素子を模式的に例示する断面図である。
本開示の実施態様にかかる半導体素子を採用した制御システムの一例を示すブロック構成図である。
本開示の実施態様にかかる半導体素子を採用した制御システムの一例を示す回路図である。
本開示の実施態様にかかる半導体素子を採用した制御システムの一例を示すブロック構成図である。
本開示の実施態様にかかる半導体素子を採用した制御システムの一例を示す回路図である。
本開示の変形例にかかる積層構造体のトレンチを模式的に例示する断面図である。
本開示の実施態様にかかる半導体素子を模式的に例示する断面図である。
実施例および比較例におけるＴＥＭ像を示す図である。
実施例および比較例におけるＩ－Ｖ特性の測定結果を示す図である。
本開示の実施態様にかかる成膜装置６５０を例示する模式図である。
本開示の実施態様にかかる成膜装置６５１を例示する模式図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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