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公開番号2024127025
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-20
出願番号2023035852
出願日2023-03-08
発明の名称マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法
出願人HOYA株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G03F 1/54 20120101AFI20240912BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】紫外線領域の波長を含む露光光に対する高い耐光性の要求を満たすマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、パターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、
X線吸収分光法によって取得される前記薄膜のX線吸収スペクトルは、X線の入射エネルギーが400eV以上402eV以下の範囲でプレエッジを有する。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
透光性基板上に、パターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクであって、
前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、
Ｘ線吸収分光法によって取得される前記薄膜のＸ線吸収スペクトルは、Ｘ線の入射エネルギーが４００ｅＶ以上４０２ｅＶ以下の範囲でプレエッジを有する
ことを特徴とするマスクブランク。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記薄膜のＸ線吸収スペクトルは、入射Ｘ線エネルギーが４０３ｅＶ以上４０６ｅＶの範囲で吸収端を有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
【請求項３】
前記プレエッジにおけるＸ線吸収係数の最大値をＩＰ、前記吸収端におけるＸ線吸収係数の最大値をＩＡとしたとき、ＩＡ／ＩＰが１．４５以下の関係を満たすことを特徴とする請求項２記載のマスクブランク。
【請求項４】
前記薄膜は、さらに窒素を含有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
【請求項５】
前記薄膜は、前記遷移金属として少なくともチタンを含有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
【請求項６】
前記薄膜における遷移金属およびケイ素の合計含有量に対する遷移金属の含有量の比率は、０．０５以上であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
【請求項７】
前記薄膜上に、前記薄膜に対してエッチング選択性が異なるエッチングマスク膜を備えていることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
【請求項８】
前記エッチングマスク膜は、クロムを含有していることを特徴とする請求項７記載のマスクブランク。
【請求項９】
透光性基板上に、転写パターンが形成された薄膜を備える転写用マスクであって、
前記薄膜は、遷移金属とケイ素を含有し、
Ｘ線吸収分光法によって取得される前記薄膜のＸ線吸収スペクトルは、Ｘ線の入射エネルギーが４００ｅＶ以上４０２ｅＶ以下の範囲でプレエッジを有する
ことを特徴とする転写用マスク。
【請求項１０】
前記薄膜のＸ線吸収スペクトルは、入射Ｘ線エネルギーが４０３ｅＶ以上４０６ｅＶの範囲で吸収端を有することを特徴とする請求項９記載の転写用マスク。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を代表とするＦＰＤ（Flat Panel Display）等の表示装置では、大画面化、広視野角化、折りたたみなどのフレキシブル化とともに、高精細化、高速表示化が急速に進んでいる。この高精細化、高速表示化のために必要な要素の１つが、微細で寸法精度の高い素子および配線等の電子回路パターンを作製することである。この表示装置用電子回路のパターニングにはフォトリソグラフィが用いられることが多い。このため、微細で高精度なパターンが形成された表示装置製造用の位相シフトマスクおよびバイナリマスクといった転写用マスク（フォトマスク）が必要である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、微細パターンを露光するためのフォトマスクが記載されている。特許文献１には、フォトマスクの透明基板上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成することが記載されている。また、特許文献１には、位相シフト効果を用いて、前記光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを向上させることが記載されている。また、特許文献１には、フォトマスクが、前記光半透過部を、窒素、金属およびシリコンを主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成するとともに、該薄膜を構成する物質の構成要素たるシリコンを３４～６０原子％含むことが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、リソグラフィに使用するハーフ・トーン型位相シフト・マスク・ブランクが記載されている。特許文献２には、マスク・ブランクが、基板と、前記基板に堆積させたエッチ・ストップ層と、前記エッチ・ストップ層に堆積させた位相シフト層とを備えることが記載されている。さらに特許文献２には、このマスク・ブランクを用いて、５００ｎｍ未満の選択された波長でほぼ１８０度の位相シフト、および少なくとも０．００１％の光透過率を有するフォトマスクを製造可能であることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第２９６６３６９号公報
特開２００５－５２２７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年の高精細（１０００ｐｐｉ以上）のパネル作製に使用される転写用マスクとしては、高解像のパターン転写を可能にするために、転写用マスクであって、かつホール径で、６μｍ以下、ライン幅で４μｍ以下の微細なパターン形成用の薄膜パターンを含む転写パターンが形成された転写用マスクが要求されている。具体的には、径または幅寸法が１．５μｍの微細なパターンを含む転写パターンが形成された転写用マスクが要求されている。
【０００７】
一方、マスクブランクのパターン形成用の薄膜をパターニングすることにより得られる転写用マスクは、繰り返し、被転写体へのパターン転写に用いられるため、実際のパターン転写を想定した紫外線に対する耐光性（紫外線耐光性）も高いことが望まれる。
【０００８】
しかしながら、紫外線領域の波長を含む露光光に対する紫外線耐光性（以下、単に耐光性）の要求を満たすパターン形成用の薄膜を備えたマスクブランクを製造することは、従来においては困難であった。
【０００９】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、紫外線領域の波長を含む露光光に対する高い耐光性の要求を満たすマスクブランクを提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、紫外線領域の波長を含む露光光に対する高い耐光性の要求を満たす、良好な転写パターンを備える転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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