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公開番号2024121085
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-06
出願番号2023027981
出願日2023-02-27
発明の名称弾性波デバイスおよびその製造方法
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20240830BHJP(基本電子回路)
要約【課題】温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に形成された媒質層と、前記媒質層上に形成された圧電基板と、前記圧電基板上に形成された共振器とを備え、前記媒質層は、上面視において、第1音響インピーダンス領域と前記第1音響インピーダンス領域と異なる音響インピーダンスを有する第2音響インピーダンス領域を有し、前記第2音響インピーダンス領域は、上面視において、分割された複数の領域が形成されており、前記第2音響インピーダンス領域は、前記共振器が形成された領域内において3つ以上形成されている弾性波デバイス。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に形成された媒質層と、
前記媒質層上に形成された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された共振器と
を備え、
前記媒質層は、上面視において、第１音響インピーダンス領域と前記第１音響インピーダンス領域と異なる音響インピーダンスを有する第２音響インピーダンス領域を有し、
前記第２音響インピーダンス領域は、上面視において、複数の領域が形成されており、
前記第２音響インピーダンス領域は、前記共振器が形成された領域内において３つ以上形成されている弾性波デバイス。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記第２音響インピーダンス領域は、前記圧電基板側において、前記媒質層から露出していない請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記媒質層と前記圧電基板の間に形成された第２媒質層を備える請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第２媒質層は、上面視において、第３音響インピーダンス領域と前記第３音響インピーダンス領域と異なる音響インピーダンスを有する第４音響インピーダンス領域を有する請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第２媒質層と前記圧電基板の間に形成された第３媒質層を備える請求項４に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第２音響インピーダンス領域は、上面視において、円形、楕円形または多角形である請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記支持基板は、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスからなる請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記第１音響インピーダンス領域は、窒化シリコン、シリコン酸窒化物、シリコン、アルミナ、二酸化ケイ素または炭化ケイ素からなる請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記第２音響インピーダンス領域は、窒化シリコン、シリコン酸窒化物、シリコン、アルミナ、二酸化ケイ素、炭化ケイ素、ゲルマニウム、タングステン、白金またはイリジウムからなる請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第２音響インピーダンス領域の平均面積は、０．１μｍ２～５００μｍ２である請求項１に記載の弾性波デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。詳しくはＳＨ波を用いる弾性表面波デバイス、例えば、フィルタ、デュプレクサまたはマルチプレクサに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
スマートフォンを代表とする移動通信端末の高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために、高周波フィルタ等が用いられている。
【０００３】
高周波フィルタ等には、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅａｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅ）素子等を有する弾性波デバイスが用いられている。ＳＡＷ素子は、圧電基板上に一対の櫛型電極を有するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を形成した素子である。
【０００４】
例えば、弾性表面波デバイスは、以下のように製造される。まず、弾性波を伝搬させる圧電基板とこの圧電基板よりも小さな熱膨張係数を持つ支持基板とを接合した多層膜基板を作成する。次に、その多層膜基板にフォトリソグラフィ技術を用いて多数のＩＤＴ電極を形成し、その後、ダイシングにより所定のサイズに切り出して弾性表面波デバイスとする。この製造方法では、多層膜基板を利用することにより、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化が支持基板により抑制されるため、弾性波デバイスとしての周波数特性が安定化する。
【０００５】
例えば、特許文献１などにより、弾性波デバイスの温度特性を改善するため、圧電基板にヤング率が高く線膨張係数が小さいサファイア基板などの支持基板を貼り合わせて、温度変化による伸縮を抑制することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００９－２７８６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示のように、弾性波デバイスの温度特性を改善するため、圧電基板にヤング率が高く線膨張係数が小さいサファイア基板などの支持基板を貼り合わせて、温度変化による伸縮を抑制することが知られている。しかしながら、このような支持基板を用いた共振器には、特に高周波側にスプリアスが生じ、フィルタ特性に劣る。
【０００８】
本開示は、上述の課題を解決するためになされた。本開示の目的は、温度特性が良好で、かつ、よりスプリアスが抑制された弾性波デバイスおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示にかかる弾性波デバイスは、
支持基板と、
前記支持基板上に形成された媒質層と、
前記媒質層上に形成された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された共振器と
を備え、
前記媒質層は、上面視において、第１音響インピーダンス領域と前記第１音響インピーダンス領域と異なる音響インピーダンスを有する第２音響インピーダンス領域を有し、
前記第２音響インピーダンス領域は、上面視において、複数の領域が形成されており、
前記第２音響インピーダンス領域は、前記共振器が形成された領域内において３つ以上形成されている弾性波デバイスとした。
【００１０】
前記第２音響インピーダンス領域は、前記圧電基板側において、前記媒質層から露出していないことが、本開示の一形態とされる。
（【００１１】以降は省略されています）

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