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公開番号2024119138
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-03
出願番号2023025820
出願日2023-02-22
発明の名称処理システム
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類G05B 19/418 20060101AFI20240827BHJP(制御;調整)
要約【課題】複数の処理装置を備える処理システムにおける生産性の低下の度合いを低減する。
【解決手段】複数の処理装置が被処理物を順次処理する処理システムであって、被処理物を順次処理する複数の処理装置と、メモリと、プロセッサと、を有し、複数の処理装置を制御するコントローラと、を備え、複数の処理装置の各々は、被処理物に対して処理を行う処理ユニットと、処理装置自身が正常に動作するか否かを診断するために所定の診断項目について診断を行う診断ユニットと、を有し、コントローラは、複数の処理装置のうち少なくとも一の処理装置における被処理物の処理終了から次の処理開始までの空き時間に、少なくとも一の処理装置の診断ユニットを動作させて一の処理装置が正常に動作するか否かを診断する処理システムを提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
複数の処理装置が被処理物を順次処理する処理システムであって、
該被処理物を順次処理する該複数の処理装置と、
メモリと、プロセッサと、を有し、該複数の処理装置を制御するコントローラと、
を備え、
該複数の処理装置の各々は、
該被処理物に対して処理を行う処理ユニットと、
処理装置自身が正常に動作するか否かを診断するために所定の診断項目について診断を行う診断ユニットと、
を有し、
該コントローラは、
該複数の処理装置のうち少なくとも一の処理装置における該被処理物の処理終了から次の処理開始までの空き時間に、該少なくとも一の処理装置の該診断ユニットを動作させて該一の処理装置が正常に動作するか否かを診断することを特徴とする処理システム。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
該少なくとも一の処理装置は、それぞれ所定の診断項目について診断を行う１以上の診断ユニットを更に含み、
該コントローラは、
該少なくとも一の処理装置における該被処理物の処理終了から次の処理開始までの空き時間を計算する空き時間計算部と、
各診断ユニットが診断を行うのに必要とする所要時間を各診断項目について記憶する所要時間記憶部と、
各診断ユニットにおいて最も直近に行われた診断のタイミングから現在に至るまでの経過時間を記憶する経過時間記憶部と、
を有し、
該空き時間計算部で計算された空き時間内に実行可能な１以上の診断項目のうち、前回実行してから現在に至るまでの経過時間が最も長い診断項目について診断を行うことを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
該コントローラは、
該少なくとも一の処理装置における該被処理物の処理終了から次の処理開始までの空き時間を計算する空き時間計算部と、
各診断ユニットが診断を行うのに必要とする所要時間を各診断項目について記憶する所要時間記憶部と、
各診断ユニットにおいて最も直近に行われた診断のタイミングから現在に至るまでの経過時間を記憶する経過時間記憶部と、
各診断ユニットにおいて前回診断を行ったタイミングから次に診断を行うことが推奨されるタイミングまでの時間間隔である推奨実行間隔を、各診断項目について記憶する推奨実行間隔記憶部と、を有し、
該空き時間計算部が計算した空き時間内に実行可能な１以上の診断項目のうち、前回診断を行ってからの経過時間を推奨実行間隔で割った値が最も大きい診断項目について診断を行うことを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
【請求項４】
該診断ユニットが診断を行う診断項目は、複数の診断工程に分割可能であり、
該コントローラは、
該少なくとも一つの処理装置における該被処理物の処理終了から次の処理開始までの空き時間を計算する空き時間計算部を有し、
分割された該複数の診断工程のうち、該空き時間計算部が計算した空き時間内に収まる１以上の診断工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の処理システム。
【請求項５】
該複数の処理装置間で該被処理物を搬送する搬送ユニットを更に備えることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の処理システム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程において複数の処理装置がインゴット等の被処理物を順次処理する処理システムに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、半導体材料のインゴットから複数の処理装置での処理工程を順次経ることにより、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ、光デバイスチップ、パワー半導体デバイスチップ等のデバイスチップが製造される。
【０００３】
半導体製造工程では、例えば、まず、炭化珪素（以下、ＳｉＣ）インゴットからＳｉＣウェーハを製造する。具体的には、ＳｉＣインゴットを透過する波長を有するレーザービームを使用して、機械的強度が脆弱な剥離層をＳｉＣインゴットの所定深さ位置に形成した後、この剥離層を境にＳｉＣインゴットからＳｉＣウェーハを剥離する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この場合、剥離層を形成するレーザー加工装置と、剥離層形成後のＳｉＣインゴットからＳｉＣウェーハを剥離する剥離装置と、ＳｉＣウェーハ剥離後のＳｉＣインゴットの頂面に残存する凹凸を研削により除去して当該頂面を平坦化する研削装置と、を順次用いて、ＳｉＣインゴットを順次処理する（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
また、特許文献２では、レーザー加工装置と、剥離装置と、研削装置と、の間でＳｉＣインゴットを搬送するベルトコンベア式の搬送ユニットを含む処理システムが提案されている。レーザー加工装置と、剥離装置と、研削装置と、搬送ユニットと、を例えばコンピュータが制御することにより、ＳｉＣインゴットから自動的に複数のＳｉＣウェーハが次々に製造される。
【０００６】
この様にして製造されたウェーハに複数のデバイスを形成した後、例えば切削装置を用いて、ウェーハをデバイスチップに分割する。複数の切削装置の各々にウェーハを搬送して並列的に切削ブレードでウェーハを切削すれば、効率よくウェーハの切削を行うことができる。
【０００７】
これを実現するために、複数の切削装置と、各切削装置にウェーハを搬送するベルトコンベア式の搬送ユニットと、各切削装置及び搬送ユニットを制御するコンピュータと、を備える処理システムが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００８】
ところで、処理システムを構成する各処理装置は、処理装置自身が正常に動作するか否かを診断するための診断ユニットを備える場合がある。例えば、レーザー加工装置（処理装置）は、レーザービームの周波数ごとの出力が正常か否かを確認するための出力診断ユニットを備える（例えば、特許文献４参照）。
【０００９】
また、例えば、切削装置（処理装置）は、円環状の切削ブレードの外周部に破損が無いか否かを確認するための破損検出診断ユニットを備える（例えば、特許文献５参照）。処理装置の不良を早期に発見するためには、これら診断ユニットによる診断を定期的に実施する必要がある。
【００１０】
しかし、診断ユニットを動作させて処理装置の診断を行っている間は、処理装置におけるインゴット、ウェーハ等の処理を停止又は中断する必要があるので、処理システムにおける生産性が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
（【００１１】以降は省略されています）

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