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公開番号2024089803
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-04
出願番号2022205232
出願日2022-12-22
発明の名称デバイスの製造方法
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240627BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】従来のデバイスの製造方法には、電気的な接続に関して改善の余地がある。
【解決手段】回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、デバイスの製造方法。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、
前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、
バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、
デバイスの製造方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記配線を第１配線とし、前記絶縁層を第１絶縁層として、前記回路基板は、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、第２配線と、前記第２配線の上に配置された第２絶縁層と、を有し、
前記第１絶縁層と、前記第２絶縁層とは、前記回路部品の中心線を挟んで互いに反対側に位置し、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに接触させる、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記パッド電極を第１パッド電極とし、前記回路基板は、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、前記第１パッド電極と異なる第２パッド電極及び第３パッド電極と、第３配線と、を有し、
前記第１配線は、前記第１パッド電極から延伸し、
前記第２配線は、前記第２パッド電極から延伸し、
前記第３配線は、前記第３パッド電極から延伸し、
前記第１絶縁層は、前記第１配線と前記第３配線とを跨ぎ、
前記回路部品は、前記バンプを第１バンプとして、前記第１バンプとは異なる第２バンプ及び第３バンプを有し、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記第１バンプを前記第１パッド電極に接続し、前記第２バンプを前記第２パッド電極に接続し、前記第３バンプを前記第３パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに接触させる、
請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記回路部品を前記第１絶縁層と前記第２絶縁層とに複数の箇所で接触させ、且つ前記複数の箇所のそれぞれと前記回路基板との距離が相互に等しい、
請求項３に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記回路基板は、セラミック基板に前記パッド電極、前記配線、及び前記絶縁層が形成され、
前記絶縁層は、前記配線をアルミナで被覆した構成を有する、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記回路部品は、ＩＣチップであり、
前記ＩＣチップは、能動面に膜を備え、
前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程では、前記ＩＣチップの前記膜を前記絶縁層に接触させる、
請求項１に記載のデバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、回路部品の一種であるＩＣ(Integrated Circuit)チップをフェイスダウンボンディングによって、回路基板の一種である実装基板の回路端子に電気的に接続する技術を開示する。実装基板の表面上に、ＩＣチップと実装基板の間隙を一定にする複数の枕が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－５４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、ＩＣチップなどの回路部品と回路基板とを平行に維持しやすい。しかしながら、特許文献１に記載された回路基板では、複数の枕は、それぞれ、回路基板の回路端子間に設けられる。このため、バンプのつぶれ量は、回路端子の厚みの影響と、枕の厚みの影響とを受ける。つまり、従来のデバイスの製造方法には、電気的な接続に関して改善の余地がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
回路基板と、前記回路基板に実装される回路部品とを有するデバイスの製造方法であって、前記回路基板を平面視したときに前記回路部品に重なる領域内に、パッド電極と、配線と、前記配線の上に配置された絶縁層とを有する前記回路基板を準備する工程と、バンプを有する前記回路部品の前記バンプを前記パッド電極に接続するときに、前記回路部品を前記絶縁層に接触させる工程と、を含む、デバイスの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
発振器を示す斜視図。
図１中のＡ－Ａ線における断面図。
実施形態１のケースを示す平面図。
第１部分とＩＣチップとを図３中のＢ－Ｂ線で切断したときの断面図。
発振器の製造方法を説明する図。
ケースにＩＣチップを実装する工程を説明する図。
実施形態２のケースを示す平面図。
実施形態３のケースを示す平面図。
実施形態４のケースを示す平面図。
実施形態５のケースを示す平面図。
実施形態６のケースを示す平面図。
実施形態７のＩＣチップを説明する図。
実施形態８の発振器の構造を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
デバイスの一例である発振器を例に実施形態について説明する。
発振器１は、図１に示すように、ケース２と、リッド３とを有する。リッド３は、ケース２に重ねられている。図１には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付されている。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する座標軸である。図１以降に示す図についても必要に応じてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付される。この場合、各図におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、図１におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に対応する。図１は、Ｘ軸とＹ軸とによって規定されるＸＹ平面に発振器１を載置した状態を示す。さらに、図１では、ケース２の辺２Ａの延在方向がＸ軸に沿っている。なお、リッド３は、ケース２の＋Ｚ方向に位置する。
【０００８】
以下において、発振器１の構成部品やユニットを示す図や説明にＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が表記されている場合には、その構成部品やユニットを発振器１に組み込んだ状態でのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を意味する。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸には、それぞれ、矢印が付される。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれにおいて、矢印の向きが＋（正）の方向を示し、矢印の向きとは反対の向きが－（負）の方向を示す。Ｚ軸は、ＸＹ平面に直交する軸である。発振器１を＋Ｙ方向に見たときの図が正面図である。
【０００９】
図１中のＡ－Ａ線における断面図である図２に示すように、ケース２に凹状のキャビティー４が形成されている。ケース２は、底面５と、マウント面７と、内壁８とを有する。マウント面７は、底面５の＋Ｚ方向に位置する。キャビティー４は、リッド３によって塞がれる。キャビティー４は、底面５と、内壁８と、リッド３とによって区画される。底面５とマウント面７とは、キャビティー４の内側に位置する。
【００１０】
発振器１は、ＩＣチップ９と、振動素子１１とを有する。ＩＣチップ９は、回路部品の一例である。ＩＣチップ９は、底面５に実装される。振動素子１１は、マウント面７に実装される。ＩＣチップ９は、半導体基板に各種の回路素子や配線などが形成された回路部品である。ＩＣチップ９に形成される回路は、発振回路や周波数調整回路などを含む。発振器１では、ＩＣチップ９と振動素子１１とは、キャビティー４内に収容される。振動素子１１は、ＩＣチップ９の＋Ｚ方向に位置する。
（【００１１】以降は省略されています）

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