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公開番号2024085420
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-26
出願番号2024025621,2022546025
出願日2024-02-22,2021-02-05
発明の名称マルチステッププロセス検査方法
出願人エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G01N 23/2251 20180101AFI20240619BHJP(測定;試験)
要約【課題】リソグラフィデバイス製造プロセスで使用するための改良されたメトロロジ方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィで画定された2つの隣接するフィーチャは、それらのエッジにばらつきを有する。第1のスペーサ301b～301dを作成するためにコンフォーマルコーティングプロセスが実施されるとき、第1のスペーサは、リソグラフィで画定されたフィーチャのそれぞれのエッジの形状を取り、したがって直線ではない。この段階では、第1のスペーサの幅のばらつきも生じ得る可能性がある。第2のコンフォーマルコーティングプロセスで第2のスペーサ302a～302gが形成され、次いで第1のスペーサ301b～301dが除去されて最終段階に至る。
【選択図】図3C
特許請求の範囲【請求項１】
マルチステッププロセスによって形成されたフィーチャのアレイの一部の画像内のフィーチャを識別するための画像分析装置であって、
前記画像において見られるフィーチャのばらつきを分析する画像分析モジュールと、
前記分析の結果に少なくとも部分的に基づいて、前記画像のフィーチャを前記マルチステッププロセスのステップに関連付ける関連付けモジュールと
を含む画像分析装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記ばらつきは、前記フィーチャの位置又は形状のばらつきである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ばらつきは、
前記フィーチャの重心、
前記フィーチャの幾何学的な中点、
前記フィーチャの中心線、
前記フィーチャのエッジ、
前記フィーチャの寸法、
前記フィーチャの一部の中心
の１つ又は複数の位置のばらつきである、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記画像分析モジュールは、異なるフィーチャの前記ばらつき間の相関を分析する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記画像分析モジュールは、第１のフィーチャのばらつきと、ｎ個の隣接するフィーチャのそれぞれのばらつきとの間の相関を決定し、ｎは、４未満である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記画像分析モジュールは、隣接するフィーチャのばらつき間の前記相関を決定する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記関連付けモジュールは、相関されたばらつきを有するフィーチャを同じプロセスステップに関連付ける、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記関連付けモジュールは、同様の相関レベルを有する複数のセットに前記フィーチャを分割し、及び各セットを前記プロセスステップのそれぞれの１つに関連付ける、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記画像分析モジュールは、前記画像の複数の領域であって、それぞれの領域は、複数のフィーチャを含む、複数の領域を選択し、及び異なる領域の前記フィーチャ間の相関を決定する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
各領域は、複数の位置合わせされたフィーチャを含む、請求項９に記載の装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２０年２月１０日出願の欧州特許出願公開第２０１５６２９０．７号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に援用される。
続きを表示（約 2,100 文字）【０００２】
[0002] 本開示は、特にリソグラフィ装置を使用するデバイス製造のための検査方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003] リソグラフィ装置は、基板、通常、基板のターゲット部分に所望のパターンを施す機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その際、パターニングデバイス（代替としてマスク又はレチクルとも呼ばれる）を使用して、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェハ）のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つのダイ又はいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、典型的には、基板に設けられた放射線感受性材料の層（レジスト）への結像によるものである。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成された隣接するターゲット部分のネットワークを含む。
【０００４】
[0004] リソグラフ技術における、形成することができるフィーチャのサイズを縮小（シュリンク）するという継続的な要求を満たすために、単一の光学パターニングステップで形成することができるよりも小さいサイズ又はピッチで単一の層を作成するための複数のステップを含む、様々なプロセスが提案されている。そのようなプロセスの例としては、リソ－エッチ－リソ－エッチ（ＬＥＬＥ）、自己整合二重パターニング（ＳＡＤＰ）及び自己整合四重パターニング（ＳＡＱＰ）が挙げられる。これらのプロセスは、検査及びメトロロジプロセスを難しくする。
【発明の概要】
【０００５】
[0005] 本開示は、例えば、リソグラフィデバイス製造プロセスで使用するための改良されたメトロロジ方法を提供することを目的とする。
【０００６】
[0006] 一実施形態によれば、マルチステッププロセスによって形成されたフィーチャのアレイの一部の画像内のフィーチャを識別するための画像分析方法であって、
画像において見られるフィーチャのばらつきを分析することと、
分析の結果に少なくとも部分的に基づいて、画像のフィーチャをマルチステッププロセスのステップに関連付けることと
を含む画像分析方法が提供される。
【０００７】
[0007] 一実施形態によれば、デバイス製造方法であって、
マルチステッププロセスを使用して、基板上にフィーチャのアレイを形成することと、
アレイの一部の画像を取得することと、
上述したように画像を分析して、フィーチャをマルチステッププロセスのステップに関連付けることと、
アレイのフィーチャにおける欠陥を検出することと、
ステップへのフィーチャの関連付け及び検出された欠陥に基づいて是正アクションを実施することと
を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
[0008] 一実施形態によれば、マルチステッププロセスによって形成されたフィーチャのアレイの一部の画像内のフィーチャを識別するための画像分析装置であって、
画像において見られるフィーチャのばらつきを分析するように構成された画像分析モジュールと、
分析の結果に少なくとも部分的に基づいて、画像のフィーチャをマルチステッププロセスのステップに関連付けるように構成された関連付けモジュールと
を含む画像分析装置が提供される。
【０００９】
[0009] 一実施形態によれば、自己整合四重パターニングプロセスによって形成されたフィーチャのアレイの一部の画像を分析する方法であって、
画像内において、複数のフィーチャを識別すること、
それぞれの識別された各フィーチャに特性値を割り当てることであって、特性値は、フィーチャの位置又は形状のばらつきを表す、割り当てること、
フィーチャを第１、第２、第３及び第４のグループにグループ化することであって、各グループは、位置合わせされたフィーチャのセットを含み、第１、第２、第３及び第４のグループは、その順序で互いに隣接している、グループ化すること、
第１のグループの特性値のばらつきと、第２のグループの特性値のばらつきとの間の第１の相関値を決定すること、
第２のグループの特性値のばらつきと、第３のグループの特性値のばらつきとの間の第２の相関値を決定すること、
第１の相関値が第２の相関値よりも高い場合、第１及び第２のグループを自己整合四重パターニングプロセスの第１のスペーサに関連付け、及びそうでない場合、第２及び第３のグループを自己整合四重パターニングプロセスの第１のスペーサに関連付けること
を含む方法が提供される。
【００１０】
[0010] ここで、例として添付図面を参照していくつかの実施形態を述べる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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