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公開番号2024083463
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-21
出願番号2024060978,2020056548
出願日2024-04-04,2020-03-26
発明の名称リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20240614BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止樹脂とリードフレームとの密着性を高めることが可能な、リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム10は、ダイパッド11と、端子部53A、53B、53Cを有するリード部12A、12B、12Cと、リードフレーム10の裏面側に配置された裏面側樹脂18と、を備えている。端子部53A、53B、53Cは、端子表面53aと、端子裏面53bと、端子側面53cとを有し、端子裏面53bの幅w_bは、端子表面53aの幅w_aよりも広い。端子側面53cは、表面側に位置する第1端子側面53dと、裏面側に位置する第2端子側面53eとを有し、第2端子側面53eは、裏面側樹脂18と密着し、第1端子側面53dは、外方に露出するとともに、粗面化されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の裏面側に裏面側凹部を形成する工程と、
前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成し、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程と、
前記金属基板の表面側から前記金属基板を薄肉化することにより、前記裏面側樹脂を表面側に露出させる工程と、
前記金属基板に端子部を有するリード部を形成する工程と、
前記金属基板の表面側を粗面化する工程と、を備え、
前記端子部を有する前記リード部を形成する工程は、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程よりも後の工程であって、前記金属基板の表面側を粗面化する工程よりも前の工程である、リードフレームの製造方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板の裏面側に裏面側凹部を形成する工程と、
前記金属基板の裏面側に裏面側樹脂を形成し、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程と、
前記金属基板の表面側から前記金属基板を薄肉化することにより、前記裏面側樹脂を表面側に露出させる工程と、
前記金属基板にダイパッドを形成する工程と、
前記金属基板の表面側を粗面化する工程と、を備え、
前記ダイパッドを形成する工程は、前記裏面側樹脂によって前記裏面側凹部を覆う工程よりも後の工程であって、前記金属基板の表面側を粗面化する工程よりも前の工程である、リードフレームの製造方法。
【請求項３】
前記端子部は、表面側に位置する端子表面と、裏面側に位置する端子裏面と、前記端子表面と前記端子裏面との間に位置する端子側面とを有し、
前記端子側面は、表面側に位置する第１端子側面と、裏面側に位置する第２端子側面とを有し、
前記第２端子側面は、前記裏面側樹脂と密着し、
前記第１端子側面は、外方に露出するとともに、粗面化されている、請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項４】
前記リード部は、前記端子部に連結されたインナーリードを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、
前記インナーリードは、表面側に位置するインナーリード表面と、裏面側に位置するインナーリード裏面と、前記インナーリード表面と前記インナーリード裏面との間に位置するインナーリード側面とを有し、
前記インナーリード裏面は、前記裏面側樹脂と密着し、
前記インナーリード表面及び前記インナーリード側面は、外方に露出するとともに、粗面化されている、請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項５】
前記ダイパッドは、表面側に位置するダイパッド表面と、裏面側に位置するダイパッド裏面と、前記ダイパッド表面と前記ダイパッド裏面との間に位置するダイパッド側面とを有し、
前記ダイパッド側面は、表面側に位置する第１ダイパッド側面と、裏面側に位置する第２ダイパッド側面と、を有し、
前記第２ダイパッド側面は、前記裏面側樹脂と密着し、
前記ダイパッド表面及び前記第１ダイパッド側面は、外方に露出するとともに、粗面化されている、請求項２に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記第１端子側面のあらさは、前記第２端子側面のあらさよりも粗い、請求項３に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記インナーリード表面及び前記インナーリード側面のあらさは、前記インナーリード裏面のあらさよりも粗い、請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記ダイパッド表面及び前記第１ダイパッド側面のあらさは、前記第２ダイパッド側面のあらさよりも粗い、請求項５に記載のリードフレームの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、基板に実装される半導体装置の小型化及び薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。
【０００３】
しかしながら、従来、リードフレームが薄くなるにしたがって、リードフレームの強度を維持することが難しくなり、エッチング後にリードフレームが変形してしまうことが問題となる。
【０００４】
また近年、チップサイズを変更することなく、リードの数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、リードの幅を細くすることが行われているが、リードが細くなるにしたがって、リードに変形が生じやすくなり、ワイヤボンディングを安定して行いにくくなるという問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－５７５９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１には、リードフレームの裏面に樹脂部を設けた後、樹脂部の不要部を除去する技術が開示されている。このような裏面に樹脂部を設けたリードフレームを用いて半導体装置を作製する際、封止樹脂とリードフレームとの密着性をより高めることが求められている。
【０００７】
本開示は、裏面側樹脂を有するリードフレームにおいて、封止樹脂とリードフレームとの密着性を高めることが可能な、リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示によるリードフレームは、リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置され、端子部を有するリード部と、前記ダイパッドと前記リード部との周囲であって、前記リードフレームの裏面側に配置された裏面側樹脂と、を備え、前記端子部は、表面側に位置する端子表面と、裏面側に位置する端子裏面と、前記端子表面と前記端子裏面との間に位置する端子側面とを有し、前記端子部の前記端子裏面の幅は、前記端子部の前記端子表面の幅よりも広く、前記端子側面は、表面側に位置する第１端子側面と、裏面側に位置する第２端子側面とを有し、前記第２端子側面は、前記裏面側樹脂と密着し、前記第１端子側面は、外方に露出するとともに、粗面化されている。
【０００９】
本開示によるリードフレームにおいて、前記ダイパッドは、表面側に位置するダイパッド表面と、裏面側に位置するダイパッド裏面と、前記リード部側を向くとともに前記ダイパッド表面側に位置する第１ダイパッド側面と、前記リード部側を向くとともに前記ダイパッド裏面側に位置する第２ダイパッド側面と、を有し、前記第２ダイパッド側面は、前記裏面側樹脂と密着し、前記ダイパッド表面及び前記第１ダイパッド側面は、外方に露出するとともに、粗面化されていても良い。
【００１０】
本開示によるリードフレームにおいて、前記リード部は、前記端子部に連結されたインナーリードを有し、前記インナーリードは、裏面側から薄肉化され、前記インナーリードは、表面側に位置するインナーリード表面と、裏面側に位置するインナーリード裏面と、前記インナーリード表面と前記インナーリード裏面との間に位置するインナーリード側面とを有し、前記インナーリード裏面は、前記裏面側樹脂と密着し、前記インナーリード表面及び前記インナーリード側面は、外方に露出するとともに、粗面化されていても良い。
（【００１１】以降は省略されています）

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