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公開番号2024078985
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-11
出願番号2022191649
出願日2022-11-30
発明の名称半導体装置
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20240604BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】封止樹脂の充填性の悪化を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、主面を有し、前記主面を第1面及び第2面に分断する溝部が形成された前記第1半導体チップと、前記第1半導体チップの前記第1面及び前記第2面と対向する第3面を有する配線基板と、前記第1半導体チップの前記第1面と前記配線基板の前記第3面との間に設けられる第1接着層と、前記第1半導体チップの前記第2面と前記配線基板の前記第3面との間に設けられる第2接着層と、前記第1半導体チップの前記溝部及び前記配線基板の前記第3面によって形成される孔部であって、両端に第1開口部及び第2開口部を有する前記孔部に少なくとも一部が配設される第2半導体チップと、前記溝部の底面の少なくとも一部と、前記底面と対向する前記第2半導体チップの第4面の少なくとも一部と、の間に設けられる第3接着層と、少なくとも前記第1半導体チップを封止する封止樹脂と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
主面を有する第１半導体チップであって、前記主面を第１面及び第２面に分断する溝部が形成された前記第１半導体チップと、
前記第１半導体チップの前記第１面及び前記第２面と対向する第３面を有する配線基板と、
前記第１半導体チップの前記第１面と前記配線基板の前記第３面との間に設けられる第１接着層と、
前記第１半導体チップの前記第２面と前記配線基板の前記第３面との間に設けられる第２接着層と、
前記第１半導体チップの前記溝部及び前記配線基板の前記第３面によって形成される孔部であって、両端に第１開口部及び第２開口部を有する前記孔部に少なくとも一部が配設される第２半導体チップと、
前記溝部の底面の少なくとも一部と、前記底面と対向する前記第２半導体チップの第４面の少なくとも一部と、の間に設けられる第３接着層と、
少なくとも前記第１半導体チップを封止する封止樹脂と、を備える、
半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記配線基板は、前記第３面に設けられる第１基板電極を有し、
前記第２半導体チップは、前記第１基板電極と向き合って接続される第１チップ電極を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は、
前記第１半導体チップにおいて、前記底面の反対側の面に設けられる第２チップ電極と、前記配線基板に設けられる第２基板電極と、を接続する第１ボンディングワイヤと、
前記第１半導体チップにおいて、前記第１面の反対側の面に設けられる第３チップ電極と、前記配線基板に設けられる第３基板電極と、を接続する第２ボンディングワイヤと、をさらに備える、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２チップ電極及び前記第３チップ電極は、前記第１半導体チップにおける前記第１開口部側の縁に沿って設けられる、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、
前記第１半導体チップにおける前記底面、前記第１面及び前記第２面の反対側の面において、前記第２チップ電極及び前記第３チップ電極が露出するように設けられる第３半導体チップをさらに備える、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記封止樹脂は、前記溝部の一方の側面の少なくとも一部と、前記一方の側面と対向する前記第２半導体チップの側面の少なくとも一部とに当接し、かつ、前記溝部の他方の側面の少なくとも一部と、前記他方の側面と対向する前記第２半導体チップの側面の少なくとも一部とに当接する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２半導体チップを前記第４面に垂直な方向に沿って平面視したときに、前記底面と前記第４面とが重なる領域に前記封止樹脂が含まれる、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２半導体チップを前記第４面に垂直な方向に沿って平面視したときに、前記第３接着層が前記第４面からはみ出る部分がある、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２半導体チップの一部が前記第２開口部を通じて前記孔部からはみ出ている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は、
前記孔部の前記第１開口部側に少なくとも一部が含まれるスペーサと、
前記スペーサと前記配線基板の前記第３面との間に設けられる第４接着層と、
前記スペーサと前記溝部の前記底面との間に設けられる第５接着層と、をさらに備える、
請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の中には、コントローラチップの上方に、積層された複数のチップが配設されるものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開ＵＳ２０１９／００６７２５０号明細書
米国特許出願公開ＵＳ２０１２／０２４８６２８号明細書
米国特許出願公開ＵＳ２０１２／０１４９１５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、コントローラチップと、積層されたチップとを絶縁封止部材によって封止する場合、絶縁封止部材の充填性が悪化することがある。
【０００５】
本開示は、封止樹脂の充填性の悪化を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、主面を有する第１半導体チップであって、前記主面を第１面及び第２面に分断する溝部が形成された前記第１半導体チップと、前記第１半導体チップの前記第１面及び前記第２面と対向する第３面を有する配線基板と、前記第１半導体チップの前記第１面と前記配線基板の前記第３面との間に設けられる第１接着層と、前記第１半導体チップの前記第２面と前記配線基板の前記第３面との間に設けられる第２接着層と、前記第１半導体チップの前記溝部及び前記配線基板の前記第３面によって形成される孔部であって、両端に第１開口部及び第２開口部を有する前記孔部に少なくとも一部が配設される第２半導体チップと、前記溝部の底面の少なくとも一部と、前記底面と対向する前記第２半導体チップの第４面の少なくとも一部と、の間に設けられる第３接着層と、少なくとも前記第１半導体チップを封止する封止樹脂と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る半導体装置を上方から見た平面図である。
図１に示す切断線ＩＩ―ＩＩにおける断面図である。
図１に示す切断線ＩＩＩ―ＩＩＩにおける断面図である。
第１実施形態に係る半導体チップを下方から見た平面図である。
第１実施形態に係る半導体チップ及び配線基板の接続部分の拡大図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造プロセスを示す模式図である。
第２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置の断面図である。
第３実施形態に係る半導体チップ及び配線基板の接続部分の拡大図である。
第４実施形態に係る半導体装置を上方から見た平面図である。
図１０に示す切断線ＸＩ―ＸＩにおける断面図である。
第５実施形態に係る半導体装置を上方から見た平面図である。
図１２に示す切断線ＸＩＩＩ―ＸＩＩＩにおける断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照しながら本実施形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【０００９】
［第１実施形態］
以下、第１実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。各図面には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示すことがある。Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、右手系の３次元の直交座標を形成する。以下、Ｘ軸の矢印方向をＸ軸＋方向、矢印とは逆方向をＸ軸－方向と呼ぶことがあり、その他の軸についても同様である。なお、Ｚ軸＋方向及びＺ軸－方向を、それぞれ「上方」及び「下方」と呼ぶこともある。また、Ｘ軸、Ｙ軸又はＺ軸にそれぞれ直交する面を、ＹＺ面、ＺＸ面又はＸＹ面と呼ぶことがある。
【００１０】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置１０を上方から見た平面図である。図２は、図１に示す切断線ＩＩ―ＩＩにおける断面図である。図３は、図１に示す切断線ＩＩＩ―ＩＩＩにおける断面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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